一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及金刚石抛光技术领域，公开了一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，包括：S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕；S2、测量划痕的深度h0；S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光，记录抛光所用的时间t；S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h；S5、根据MRR＝(h0‑

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法及系统


[0001]本专利技术涉及金刚石抛光
，特别是涉及一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法及系统。

技术介绍

[0002]随着半导体材料在电子通讯、航空航天等众多领域的发展，半导体晶片的性能和稳定性方面的要求越来越高。金刚石作为第三代半导体材料，在所有材料中有最强的、物理、光学和机械性能。如最低摩擦系数、最低压缩性、最高体积模量以及导热率、从深紫外(UV)到远红外的宽光学透明度、极端机械硬度和耐磨性等。金刚石已被广泛使用于现代工业应用，如刀具、光学窗、散热等。带隙为5.5eV的金刚石晶体，电场击穿强度为10MVcm
‑1，而2000WMK
‑1的高导热率被认为是制造高性能半导体电子元件的理想材料。
[0003]为了提高采用金刚石材料的器件的性能，需要对金刚石晶片进行抛光，得到超光滑、无表面/亚表面损伤的工件表面。对金刚石表面进行抛光的方法有很多种，如机械抛光、化学机械抛光等。评价金刚石抛光方法的优劣通常采用晶片表面材料去除率(Material Removal Rate，M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，其特征在于，包括：S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕；S2、测量步骤S1加工处理的划痕的深度h0；S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光，记录抛光所用的时间t；S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h；S5、根据MRR＝(h0‑
h)/t计算材料去除率MRR。2.根据权利要求1所述的金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，其特征在于，在步骤S1中，先配置芬顿反应液，将芬顿反应液输送到金刚石晶片的表面，再通过紫外光照射该金刚石晶片的表面一段时间，最后在该金刚石晶片的表面上加工划痕。3.根据权利要求2所述的金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，其特征在于，在步骤S1中，还包括配置光催化反应液，将芬顿反应液和光催化反应液均输送到金刚石晶片的表面，然后通过紫外光照射该金刚石晶片的表面。4.根据权利要求2或3所述的金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，其特征在于，通过工具头与金刚石晶片的表面接触来加工划痕，工具头采用能够发生催化并降低金刚石化学反应活化能、加速金刚石晶片氧化的材料。5.根据权利要求1所述的金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，其特征在于，通过工具头与金刚石晶片的表面接触来加工划痕，在加工划痕时，工具头自身做旋转运动。6.根据权利要求1所述的金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法，其特征在于，通过工具头与金刚石晶片的表面接触来加工划痕，工具头与金刚石晶片的表面倾斜接触，工具头与金刚石晶片的表面的夹角为10
°
～80
°
。7.一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算系统，其特征在于，包括：工件固定装置(100)，用于固定金刚石晶片工件(200)；划痕加工装置(300)，用于在金刚石晶片工件(200)的表面加工划痕；划痕测量装置，用于测量金刚石晶片工件(200)表面的划痕；金刚石晶片表面抛光装置，用于对金刚石晶片工件(200)的表面进行抛光；处理装置(400)，所述处理装置(400)与所述划痕加工装置(300)、所述划痕测量装置和所述金刚石晶片表面抛光装置均通信连接，所述处理装置(400)用于接收所述划痕测量装置和所述金刚石晶片表面抛光装置的信号，并根据所述划痕测量装置测量的划痕深度和所述金刚石晶片表面抛光装置的加工时间进行材料去除率的计算。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：路家斌，王新汉，熊强，阎秋生，刘文涛，骆应荣，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：