用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法技术

本发明专利技术涉及一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法。该用于抛光微晶陶瓷的抛光液的原料包括质量百分数分别为30％～50％的磨料、1％～5％的分散剂、2％～5％的碱以及40％～67％的水，其中磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。采用该抛光液能够有效平衡在抛光过程中微晶陶瓷的微晶相和玻璃相的磨削速度，使微晶相和玻璃相的磨削速度接近甚至相等，这样能够有效提高微晶相和玻璃相的磨削的一致性，大大降低抛光过程中微晶陶瓷表面出现凹坑的风险，有效降低微晶陶瓷表面的粗糙度，使微晶陶瓷的表面更加光滑。使微晶陶瓷的表面更加光滑。

【技术实现步骤摘要】
用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法


[0001]本专利技术涉及材料抛光
，尤其是涉及一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液以及微晶陶瓷抛光方法。

技术介绍

[0002]微晶陶瓷是一种具有微晶相和玻璃相的复相材料，其具备陶瓷和玻璃的双重性能，相较于陶瓷具有更好的加工性能，相较于玻璃具有硬度高、机械性能好以及热膨胀系数低等优点。
[0003]在使用过程中，往往需要对微晶陶瓷进行相应的抛光处理来获得较为光滑的表面。但是当采用传统的抛光液对微晶陶瓷进行抛光时，微晶陶瓷表面容易出现凹坑，表现为较高的粗糙度，难以获得表面光滑的微晶陶瓷。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种能够有效降低微晶陶瓷表面粗糙度的抛光液以及抛光方法。
[0005]为了解决以上技术问题，本专利技术的技术方案为：
[0006]一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液，包括如下质量百分数的原料：
[0007][0008]所述磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。
[0009]在其中一个实施例中，所述磨料的粒度为W0.05本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光微晶陶瓷的抛光液，其特征在于，包括如下质量百分数的原料：所述磨料为氧化铝、氧化硅以及碳化硅中的至少一种。2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述磨料的粒度为W0.05～W30。3.一种微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：采用硬质抛光介质和如权利要求1～2中任一项所述的抛光液对微晶陶瓷进行抛光处理，所述硬质抛光介质的硬度相对于所述微晶陶瓷的硬度的变化率的绝对值小于或等于20％。4.如权利要求3所述的微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，所述硬质抛光介质为铸铁抛光介质、铸铝抛光介质、铸锡抛光介质、铜抛光介质或陶瓷抛光介质。5.如权利要求3所述的微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，所述抛光液中磨料的粒度为W0.05～W1；和/或，所述硬质抛光介质的抛光面的粗糙度为1nm～100nm。6.如权利要求5所述的微晶陶瓷抛光方法，其特征在于，控制抛光转速为200rpm～800rpm；和/或，控制抛光压力为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：李倩倩，陈亚兵，许仁，王伟，
申请(专利权)人：万津实业赤壁有限公司，
类型：发明
国别省市：