本发明专利技术公开了一种擦除方法，包括：对存储块中存储单元进行一次擦除；从与所述存储块中存储单元对应的预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的第一校验电压；利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压；对所述存储块中存储单元施加所述第一擦除电压，进行第二次擦除，以使所述存储单元的阈值电压范围由一次擦除后的第一阈值电压范围变为初始阈值电压范围；其中，所述存储块中的不同存储单元对应的所述预设校验电压集合不同。储单元对应的所述预设校验电压集合不同。储单元对应的所述预设校验电压集合不同。
【技术实现步骤摘要】
一种擦除方法、装置及计算机可读存储介质
[0001]本申请是申请日为2018年08月28日、申请号为201810991139.5、专利技术名称为“一种擦除方法、装置及计算机可读存储介质”的中国专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种擦除方法、装置及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0003]非易失存储器比如计算机闪存，具有不需电源仍可保存数据的特性，且具有擦除和写入功能，被广泛应用于各种电子产品上，但是擦除性能没有受到更多关注。
[0004]对非易失存储器进行擦除时，需要擦除五次才能完成擦除操作。在擦除过程中，由于擦除时间较长且不能暂停擦除动作，将会影响随机访问的正常进行，因而影响了访问性能。
[0005]因此，亟需找到一种能够缩短擦除时间的技术方案。
技术实现思路
[0006]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种擦除方法、装置及计算机可读存储介质，能够缩短擦除时间。
[0007]本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：
[0008]本专利技术实施例提供一种擦除方法，所述方法包括：
[0009]对存储块中存储单元进行一次擦除；
[0010]从预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的第一校验电压；
[0011]利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压；
[0012]对所述存储块中存储单元施加所述第一擦除电压，进行第二次擦除，以使所述存储单元的阈值电压范围由一次擦除后的第一阈值电压范围变为初始阈值电压范围。
[0013]上述方案中，所述对存储块中存储单元进行一次擦除，包括：
[0014]对所述存储块中存储单元进行预编程；将预编程后的存储单元作为所述存储块中待擦除的存储单元；
[0015]相应地，所述对存储块中存储单元进行一次擦除，包括对所述存储块中待擦除的存储单元进行一次擦除。
[0016]上述方案中，所述从预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的的第一校验电压，包括：
[0017]从预设校验电压集合中查找第i个校验电压，对所述存储块中存储单元施加所述第i个校验电压，进行一次校验；判断所述存储块中存储单元是否通过校验；
[0018]当确定未通过校验时，从预设校验电压集合中查找第i+1个校验电压，对所述存储块中存储单元施加所述第i+1个校验电压，再进行一次校验；判断所述存储块中存储单元是否通过校验；以此类推；
[0019]将使得所述存储块中存储单元通过校验的校验电压作为第一校验电压；
[0020]其中，i＝1,3,5,
…
N，N为正整数。
[0021]上述方案中，所述利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压，包括：
[0022]确定所述第一校验电压和预设初始校验电压的电压差；
[0023]利用所述电压差，以及对所述存储块中存储单元进行一次擦除时施加的初始擦除电压，得到所述电压差与所述初始擦除电压的电压之和；
[0024]将得到的电压之和作为对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压。
[0025]上述方案中，所述对存储块中存储单元进行一次擦除，包括：
[0026]确定初始擦除电压；
[0027]对所述存储块中存储单元施加所述初始擦除电压，进行第一次擦除，以使所述存储单元的阈值电压范围变为第一阈值电压范围。
[0028]上述方案中，所述确定初始擦除电压之前，所述方法还包括：
[0029]确定待处理的存储块；
[0030]对所述存储块中存储单元进行预编程，以使存储单元的阈值电压范围由初始阈值电压范围变为预编程后的第二阈值电压范围；
[0031]相应地，所述以使所述存储单元的阈值电压范围变为第一阈值电压范围，包括：
[0032]以使所述存储单元的阈值电压范围由预编程后的第二阈值电压范围变为第一次擦除后的第一阈值电压范围。
[0033]本专利技术实施例提供一种擦除装置，所述装置包括：
[0034]擦除模块，用于对存储块中存储单元进行一次擦除；
[0035]查找模块，用于从预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的的第一校验电压；
[0036]确定模块，用于利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压；
[0037]所述擦除模块，还用于对所述存储块中存储单元施加所述第一擦除电压，进行第二次擦除，以使所述存储单元的阈值电压范围由一次擦除后的第一阈值电压范围变为初始阈值电压范围。
[0038]上述方案中，所述查找模块，具体用于从预设校验电压集合中查找第i个校验电压，对所述存储块中存储单元施加所述第i个校验电压，进行一次校验；判断所述存储块中存储单元是否通过校验；当确定未通过校验时，从预设校验电压集合中查找第i+1个校验电压，对所述存储块中存储单元施加所述第i+1个校验电压，再进行一次校验；判断所述存储块中存储单元是否通过校验；以此类推；将使得所述存储块中存储单元通过校验的校验电压作为第一校验电压；其中，i＝1,3,5,
…
N，N为正整数。
[0039]上述方案中，所述确定模块，具体用于确定所述第一校验电压和预设初始校验电
压的电压差；利用所述电压差，以及对所述存储块中存储单元进行一次擦除时施加的初始擦除电压，得到所述电压差与所述初始擦除电压的电压之和；将得到的电压之和作为对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压。
[0040]本专利技术实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上面所述任一项擦除方法的步骤。
[0041]本专利技术实施例提供一种擦除装置，包括：存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序；
[0042]其中，所述处理器用于运行所述计算机程序时，执行上面所述任一项擦除方法的步骤。
[0043]本专利技术实施例提供的擦除方法、装置及计算机可读存储介质，对存储块中存储单元进行一次擦除；从预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的的第一校验电压；利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压；对所述存储块中存储单元施加所述第一擦除电压，进行第二次擦除，以使所述存储单元的阈值电压范围由一次擦除后的第一阈值电压范围变为初始阈值电压范围。本专利技术实施例中，当对存储块中存储单元进行第一擦除后，对所述存储块中存储单元施加所述第一擦除电压，进行第二次擦除后，可使所述存储单元的阈值电压范围由一次擦除后的第一阈值电压范围直接变为初始阈值电压范围。显然，对所述存储块中存储单元擦除两次，就可以使存储单元的阈值电压范围变为初始阈值电压范围，缩短了擦除时间。
[0044]另外，由于擦除两次，就可以使存储单元的阈值电压范围变为初始阈值本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种擦除方法，其特征在于，所述方法包括：对存储块中存储单元进行一次擦除；从与所述存储块中存储单元对应的预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的第一校验电压；利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压；对所述存储块中存储单元施加所述第一擦除电压，进行第二次擦除，以使所述存储单元的阈值电压范围由一次擦除后的第一阈值电压范围变为初始阈值电压范围；其中，所述存储块中的不同存储单元对应的所述预设校验电压集合不同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设校验电压集合中的最小电压值是根据相应存储单元的相关工艺设置的，所述预设校验电压集合中的最大电压值是根据相应存储单元的导通电压设置的。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对存储块中存储单元进行一次擦除，包括：对所述存储块中存储单元进行预编程；将预编程后的存储单元作为所述存储块中待擦除的存储单元；相应地，所述对存储块中存储单元进行一次擦除，包括对所述存储块中待擦除的存储单元进行一次擦除。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从与所述存储块中存储单元对应的预设校验电压集合中查找使得所述存储块中存储单元通过校验的第一校验电压，包括：从预设校验电压集合中查找第i个校验电压，对所述存储块中存储单元施加所述第i个校验电压，进行一次校验；判断所述存储块中存储单元是否通过校验；当确定未通过校验时，从预设校验电压集合中查找第i+1个校验电压，对所述存储块中存储单元施加所述第i+1个校验电压，再进行一次校验；判断所述存储块中存储单元是否通过校验；以此类推；将使得所述存储块中存储单元通过校验的校验电压作为第一校验电压；其中，i＝1,3,5,
…
N，N为正整数。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一校验电压，确定对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压，包括：确定所述第一校验电压和预设初始校验电压的电压差；利用所述电压差，以及对所述存储块中存储单元进行一次擦除时施加的初始擦除电压，得到所述电压差与所述初始擦除电压的电压之和；将得到的电压之和作为对所述存储块中存储单元进行第二次擦除的第一擦除电压。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对存储块中存储单元进行一次擦除，包括：确定初始擦除电压；对所述存储块中存储单元施加所述初始擦除电压，进行第一次擦除，以使所述存储单...
【专利技术属性】
技术研发人员：李跃平，梁轲，廖璐，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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