一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，获取方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程

【技术实现步骤摘要】
一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及芯片
，具体而言，涉及一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]Nor Flash芯片的擦除操作包括扇区擦除（Sector Erase，擦除的最小单元 ，512字节为一个扇区）、块擦除（Block Erase，一般是64K一个单位）和全片擦除（Chip Erase）。扇区擦除时间典型情况是45ms，但是随着擦写操作次数持续增加，扇区擦除时间也会不停增加。
[0003]对存储单元的擦写周期循环（预编程
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检查
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擦除
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过擦除修复
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数据修复，Cycle）一般最小都可以支持10万次，按照芯片的擦写标准，在整个Cycle 过程中扇区擦除的时间不能超过300ms。
[0004]现有技术中，一般仅能通过查询Nor Flash 内部的忙碌信号（Busy信号）来判断擦除操作是否结束，这种方法一般情况，外部通过发查询命令，查询Nor Flash 内部的Busy（忙碌信号）信号来判断擦除操作过程是否结束。这种方法只能知道整个擦除操作的时间，无法得到整个cycle过程中各个操作阶段的时间分布，且只能获取整个操作对象的擦除时间，无法区分特定区域对应的操作时间，但这些数据在芯片的设计、制造中可作为重要的调整参考依据。
[0005]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0006]本申请实施例的目的在于提供一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，以获取芯片中特定区域的擦写周期循环中各阶段操作时间。
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种擦除时间的获取方法，用于获取Nor Flash的擦除时间，所述方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程
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检查
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擦除
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过擦除修复
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数据修复的周期循环操作；在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束。
[0008]所述的一种擦除时间的获取方法，其中，还包括步骤：绘制并输出各处理操作用时关于周期循环操作次数的变化趋势图。
[0009]所述的一种擦除时间的获取方法，其中，分别绘制关于每个扇区、每个块、芯片全片的变化趋势图。
[0010]所述的一种擦除时间的获取方法，其中，所述使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。
[0011]所述的一种擦除时间的获取方法，其中，获取使能信号过程为依次判断当前使能信号是否为预编程使能、是否为检查使能、是否为擦除使能、是否为过擦除检测修复使能、是否为数据修复使能。
[0012]所述的一种擦除时间的获取方法，其中，使能信号持续时间判断基准为该使能信号是否关闭或当前使能信号是否发生变换。
[0013]所述的一种擦除时间的获取方法，其中，还包括步骤：分别计算每个扇区、每个块和全片在周期循环操作每种操作的平均用时或总用时。
[0014]本申请实施例的一种擦除时间的获取方法，通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
[0015]第二方面，本申请实施例还提供了一种擦除时间的获取装置，用于获取Nor Flash的擦除时间，包括：循环操作模块，用于对芯片进行预编程
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检查
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擦除
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过擦除修复
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数据修复的周期循环操作；读取模块，用于持续芯片中每个扇区当前的使能信号；计算模块，用于计算使能信号的持续时间；记录模块，用于记录使能信号的持续时间；所述读取模块可读取芯片每个扇区在进行周期循环操作中当前的使能信号，所述计算模块可计算当前使能信号的持续时间并由记录模块将使能信号持续时间进行记录输出。
[0016]本申请实施例的一种擦除时间的获取装置，通过循环操作模块对芯片进行编程
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检查
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擦除
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过擦除修复
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数据修复的周期循环操作，在周期循环操作的过程中，通过读取模块通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，然后通过计算模块配合记录模块获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
[0017]第三方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
[0018]第四方面，本申请实施例还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
[0019]由上可知，本申请实施例提供的一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
附图说明
[0020]图1为本申请实施例提供的一种擦除时间的获取方法的流程图。
[0021]图2为本申请实施例提供的一种擦除时间的获取方法中使能信号读取的逻辑图。
[0022]图3为本申请实施例提供的一种擦除时间的获取装置的结构示意图。
[0023]图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]第一方面，请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种擦除时间的获取方法，用于获取Nor Flash的擦除时间，方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程
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检查
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擦除
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过擦除修复
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数据修复的周期循环操本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种擦除时间的获取方法，用于获取Nor Flash的擦除时间，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程
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检查
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擦除
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过擦除修复
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数据修复的周期循环操作；在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束。2.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，还包括步骤：绘制并输出各处理操作用时关于周期循环操作次数的变化趋势图。3.根据权利要求2所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，分别绘制关于每个扇区、每个块、芯片全片的变化趋势图。4.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，所述使能信号包括预编程使能、检查使能、擦除使能、过擦除检测修复使能、数据修复使能。5.根据权利要求4所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，获取使能信号过程为依次判断当前使能信号是否为预编程使能、是否为检查使能、是否为擦除使能、是否为过擦除检测修复使能、是否为数据修复使能。6.根据权利要求1所述的一种擦除时间的获取方法，其特征在于，使能信号持续时间判断基准为该使能信...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎永健，蒋双泉，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：