本发明专利技术提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；从而可大大减少测试的时间，提高测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。响。响。
【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
[0002]非易失性储存器的擦除操作的操作范围是多根字线上的存储单元，目前，每次用户对特定存储区域发送擦除操作指令时，会直接对被选中的存储区域的所有存储单元转化为编程单元，然后进行擦除步骤。然而，有时候被选中的存储区域中的存储单元已经全部是擦除单元，不需要被擦除，对其再进行擦除是多余的，当需要对芯片进行多次测试时，则需要进行多次这种多余的擦除操作，从而大大增加了测试时间，降低了测试效率；此外，每对芯片多一次擦除操作，都会降低芯片的寿命，因此会影响芯片的使用寿命。
技术实现思路
[0003]鉴于上述现有技术的不足之处，本申请实施例的目的在于提供一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，可减少多余的擦除操作，从而有利于提高测试效率和降低对芯片的使用寿命的影响。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除方法，包括步骤：A1.在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；A2.若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；A3.若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。
[0005]本申请实施例的非易失性存储器擦除方法，在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，先验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”，若全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。
[0006]优选地，步骤A2包括：A201.对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；A202.对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；A203.对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；A204.对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。
[0007]优选地，步骤A204之后，还包括：A205.对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的
存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。
[0008]优选地，若步骤A203中验证了擦除不成功，则返回步骤A202再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。
[0009]第二方面，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除装置，包括：验证模块，用于在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；第一执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据不是全为“1”的时候，对所述选定的存储区域执行擦除处理；第二执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据是全为“1”的时候，结束本次针对所述选定的存储区域的操作。
[0010]优选地，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候：对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。
[0011]优选地，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行软编程操作之后，还：对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。
[0012]优选地，第一执行模块在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候，若擦除验证操作验证了擦除不成功，则再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。
[0013]第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行如所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。
[0014]第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。
[0015]有益效果：本申请实施例提供的非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；若选定的存储区域中的数据全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。
附图说明
[0016]图1为本申请实施例提供的非易失性存储器擦除方法的流程图。
[0017]图2为本申请实施例提供的非易失性存储器擦除方法中，擦除处理的流程图。
[0018]图3为本申请实施例提供的非易失性存储器擦除装置的结构示意图。
[0019]图4为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0021]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0022]下文的公开提供的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器擦除方法，其特征在于，包括步骤：A1.在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；A2.若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；A3.若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，步骤A2包括：A201.对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；A202.对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；A203.对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；A204.对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，步骤A204之后，还包括：A205.对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。4.根据权利要求2所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，若步骤A203中验证了擦除不成功，则返回步骤A202再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。5.一种非易失性存储器擦除装置，其特征在于，包括：验证模块，用于在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；第一执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数据不是全为“1”的时候，对所述选定的存储区域执行擦除处理；第二执行模块，用于在所述选定的存储区域中的数...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘梦，温靖康，鲍奇兵，高益，吴彤彤，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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