本发明专利技术公开了一种内部串联型自愈式金属化膜，包括基膜，所述基膜上设置有基膜空白区，所述基膜空白区两侧的基膜上分别均敷设有金属镀层平整区，其中一侧的金属镀层平整区内包含有留边加厚区，另一侧的金属镀层平整区内包含有金属镀层串联导电加厚区，所述电容器，包括两个电容极板，两个电容极板均所述的自愈式金属化膜，可减少电容器发热、减小了电阻和损耗、延长使用寿命；加宽的留边区和空白区增大了留边和空白区的尺寸，保证了绝缘距离，降低了薄膜间击穿的概率，增加了电容器可靠性、延长了金属化膜的寿命。长了金属化膜的寿命。长了金属化膜的寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种内部串联型自愈式金属化膜及电容器
[0001]本专利技术属于电容器术领域，具体涉及一种内部串联型自愈式金属化膜及电容器。
技术介绍
[0002]金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前电性能的现象称为自愈，金属化膜电容器最大特点是具备自愈功能。随着自愈次数和面积的增大，电容器的电容值随之下降，一般的将电容值下降5%作为电容器寿命终止的临界值。
[0003]电容器自愈发生的程度和速度除了与介质材料本身有关，如膜间气泡、杂质等，还与金属镀层的合理性有关，如金属镀层厚度、留边宽度等。研究表明，金属化膜内部串联后，导致串联导电区域电流集中，其产生的热量会加速介质薄膜的老化，缩短了电容器的寿命；而且当自愈式金属化膜电容器寿命终止时，金属化膜的自愈击穿点多发生在金属镀层边缘。
技术实现思路
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种内部串联型自愈样式金属化膜及电容器。
[0005]具体方案如下：一种内部串联型自愈式金属化膜，包括基膜，所述基膜上设置有基膜空白区，所述基膜空白区两侧的基膜上分别均敷设有金属镀层平整区，其中一侧的金属镀层平整区内包含有留边加厚区，另一侧的金属镀层平整区内包含有金属镀层串联导电加厚区。
[0006]所述基膜上且与所述留边加厚区相对的一端还设置有基膜留边区，所述基膜空白区位于所述金属镀层平整区内，所述基膜空白区将所述金属镀层平整区分割成二等分。
[0007]所述留边加厚区的厚度大于所述金属镀层平整区的厚度，所述金属镀层串联导电加厚区大于所述金属镀层平整区的厚度。
[0008]所述金属镀层平整区的方阻值为60Ω至200Ω，所述金属镀层串联导电加厚区的方阻值为2Ω至10Ω，所述留边加厚区的方阻值为2Ω至10Ω。
[0009]所述金属镀层平整区采用真空蒸镀或真空溅镀敷设在所述基膜上。
[0010]所述基膜为聚丙烯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚或聚偏氟乙烯及其聚合物。
[0011]一种电容器，包括两个电容极板，两个电容极板均为所述的自愈式金属化膜。
[0012]所述两个电容极板为错边设置。
[0013]一个电容极板上的留边加厚区与另一个电容极板上的基膜留边区错边设置在同一端。
[0014]一个电容极板上的金属镀层串联导电加厚区与另一个电容极板上的基膜空白区相互对应设置。本专利技术公开了一种内部串联型自愈样式金属化膜，金属化膜利用金属镀层进行内部串联，串联导电区域金属镀层加厚，金属镀层串联导电加厚区可减小膜内串联导电区的
电阻，可减少电容器发热、减小了电阻和损耗、延长使用寿命；加宽的留边区和空白区增大了留边和空白区的尺寸，保证了绝缘距离，降低了薄膜间击穿的概率，增加了电容器可靠性、延长了金属化膜的寿命。
附图说明
[0015]图1是本专利技术的金属化膜的结构示意图。
[0016]图2是本专利技术的电容器的结构示意图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施，而不是全部的实施，基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]如图1所示，一种内部串联型自愈式金属化膜，包括基膜1，所述基膜1上设置有基膜空白区3，所述基膜空白区3两侧的基膜1上分别均敷设有金属镀层平整区4，其中一侧的金属镀层平整区4内包含有留边加厚区6，另一侧的金属镀层平整区4内包含有金属镀层串联导电加厚区5。
[0019]所述基膜1上且与所述留边加厚区6相对的一端还设置有基膜留边区2，所述基膜空白区3位于所述金属镀层平整区4内，所述基膜空白区3将所述金属镀层平整区4分割成二等分。所述基膜空白区3主要器绝缘隔离的作用。
[0020]所述的自愈式金属化薄膜电容器以蒸镀金属层的薄膜为主要材料，金属化膜卷绕形成圆柱式或者扁平式形状后，在两端通过喷金实现蒸镀金属电极与外部电路的电气连接。金属化膜是电容器卷制生产的关键原材料，目前一般生产自愈式电容器所使用的金属化膜，是在聚丙烯膜上蒸镀铝和锌，边缘蒸镀锌铝合金或者银锌合金的聚丙烯金属化膜。
[0021]在本实施例中，所述基膜1为电工级有机薄膜，常用的材料有聚丙烯、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚偏氟乙烯及其聚合物等。基膜1上蒸镀有金属层，金属种类包括铝、铝
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锌复合等，蒸镀方式包括真空蒸镀或真空溅镀。优选地，所述基膜1优选采用双向拉伸聚丙烯薄膜BOPP，所述基膜1的宽度为120mm，所述基膜1的厚度为5.0μm。
[0022]所述金属镀层平整区4主要用于存储电荷，优选地，所述金属镀层平整区4宽度为33mm，所述金属镀层串联导电加厚区5主要用于减小膜内串联导电区的电阻，减少发热，延长使用寿命，优选地，金属镀层串联导电加厚区5宽度为5.5mm。
[0023]此外，所述基膜留边区2相比一般的自愈式电容器的留边较宽，保证了金属镀层两极间的绝缘距离，增加了可靠性，延长了使用寿命，优选地，所述基膜留边区2宽度为4.5mm。
[0024]所述基膜空白区3相比一般的自愈式电容器的留边较宽，保证了串联膜之间的绝缘距离，增加了可靠性，延长了使用寿命，优选地，所述基膜空白区3宽度为5.5mm。
[0025]所述留边加厚区6为金属镀层留边加厚区6，所述金属镀层留边加厚区6固定在金属镀层平整区4上，所述金属镀层串联导电加厚区5固定在所述金属镀层平整区4上。金属镀层的留边加厚区6主要是用于与金属化膜两端的喷金相粘接，形成电容器的两个引出电极。优选地，金属镀层的留边加厚区6宽度为5.5mm，
所述留边加厚区6的厚度大于所述金属镀层平整区4的厚度，所述金属镀层串联导电加厚区5大于所述金属镀层平整区4的厚度。所述金属镀层平整区4的方阻值为60Ω至200Ω，所述金属镀层串联导电加厚区5的方阻值为2Ω至10Ω，所述留边加厚区6的方阻值为2Ω至10Ω。由于留边加厚区6的厚度和金属镀层串联导电加厚区5的厚度均大于金属镀层平整区4的厚度，所述留边加厚区6的方阻值和金属镀层串联导电加厚区5的方阻值均小于所述金属镀层平整区4的方阻值。
[0026]如图2所示，一种电容器，包括两个电容极板，两个电容极板均所述的自愈式金属化膜。
[0027]所述两个电容极板为错边设置。优选地，所述两层金属化膜在宽度方向上错边1mm。
[0028]一个电容极板上的留边加厚区6与另一个电容极板上的基膜留边区2错边设置在同一端。
[0029]一个电容极板上的金属镀层串联导电加厚区5与另一个电容极板上的基膜空白区3相互对应设置。在本实施例中，采用所述自愈式金属化膜作为电容的两极板，并且所述两个自愈式金属化膜在宽度方向上采用错边设置的方式，且一个电容极板上的留边加厚区6与另一极板上的基膜留边区2相对应，一个电容极板上的金属镀层串联导电加厚区5与另一个电容极板上的基本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种内部串联型自愈式金属化膜，包括基膜（1），其特征在于：所述基膜（1）上设置有基膜空白区（3），所述基膜空白区（3）两侧的基膜（1）上分别均敷设有金属镀层平整区（4），其中一侧的金属镀层平整区（4）内包含有留边加厚区（6），另一侧的金属镀层平整区（4）内包含有金属镀层串联导电加厚区（5）。2.根据权利要求1所述的内部串联型自愈式金属化膜，其特征在于：所述基膜（1）上且与所述留边加厚区（6）相对的一端还设置有基膜留边区（2），所述基膜空白区（3）位于所述金属镀层平整区（4）内，所述基膜空白区（3）将所述金属镀层平整区（4）分割成二等分。3.根据权利要求1所述的内部串联型自愈式金属化膜，其特征在于：所述留边加厚区（6）的厚度大于所述金属镀层平整区（4）的厚度，所述金属镀层串联导电加厚区（5）大于所述金属镀层平整区（4）的厚度。4.根据权利要求3所述的内部串联型自愈式金属化膜，其特征在于：所述金属镀层平整区（4）的方阻值为60Ω至20...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴立周，耿昊，赵玺，谢战洪，李翔宇，古刚，林灿，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七一三研究所，
类型：发明
国别省市：
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