本发明专利技术的目的在于，提供有机聚硅氧烷固化物膜、其用途以及制备方法，该有机聚硅氧烷固化物膜为薄膜且具有优异的平坦性，优选地，膜的表面非常平滑且具有优异的平坦性，可预期相对于负载电压的高介质击穿强度。一种膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm且膜中心的平均厚度在1～20μm的范围内的有机聚硅氧烷固化物膜。这种膜可优选地使用包括在一对支撑辊之间通过张力支撑方式支撑的连续移动的基材上使用狭缝模头涂布固化性有机聚硅氧烷组合物的模头涂布工序的制备方法来获得。的模头涂布工序的制备方法来获得。的模头涂布工序的制备方法来获得。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机聚硅氧烷固化物膜、其用途、制备方法及制备装置
[0001]本专利技术涉及一种薄而均匀的有机聚硅氧烷固化物膜、其用途、其制备方法及制备装置。
技术介绍
[0002]就具有聚硅氧烷骨架的有机聚硅氧烷固化物而言，透明性、电绝缘性、耐热性、耐寒性等优异，能根据期望通过引入氟代烷基等高介电性官能团来改善电活性，且能容易加工为膜状或片状，因此以用于各种电气/电子设备的粘接剂膜、用于致动器等换能器设备的电活性膜为代表，用于各种用途，这些有机聚硅氧烷固化物根据其固化机理，分类为硅氢化反应固化型、缩合反应固化型、过氧化物固化型等。通过室温放置或加热而迅速固化，不产生副产物，因此使用硅氢化反应固化型的固化性有机聚硅氧烷组合物的有机聚硅氧烷固化物膜被通用。
[0003]特别是，作为触摸面板等电子材料、显示装置用电子构件，特别是传感器、致动器等的换能器材料，有机聚硅氧烷固化物膜有以下倾向：除了要求高度的均匀性以外，还要求作为薄膜的成形性。特别是近年来，对由有机聚硅氧烷固化物制成且膜厚为20μm以下的具有优异的平坦性的薄膜的需求强烈。
[0004]然而，例如如图2(参考图)所述的狭缝式涂布方式广泛用于精密薄膜制备，但由于机床加工精度的限制，因此存在支持辊的偏心为大致2μm且由此获得的薄膜的膜厚不均匀的情况。即使使用精密级的轴承，也只是增加轴承的不均匀精度而已，不可避免起因于该支撑辊的偏心的膜的不均匀性。其中，从有机聚硅氧烷固化物膜的绝缘耐圧性或层叠精度的观点来看，涂布膜厚的精度优选在5％以内，但只要无法避免大致2μm的不均匀性，就会在薄膜的目标膜厚为20μm的情况下，当因偏心和轴承精度造成的膜厚的误差为2μm时，在制备方面上难以稳定保持5％以内的膜厚精度。
[0005]另一方面，已知以通过降低涂布液的粘度和增加湿润膜厚等效果而缓解机械精度的影响并提高涂布膜厚精度为目的来使用溶剂稀释的制膜方法。作为一例，本案申请人提出一种包含溶剂且具有控制的粘度及触变性的成膜用固化性有机聚硅氧烷组合物及通过固化该组合物而获得的有机聚硅氧烷固化物膜(专利文献1)。这种组合物是在获得薄膜状的有机聚硅氧烷固化物的方面有用且有效的，但是，当将通过溶剂稀释获得的成膜用固化性有机聚硅氧烷组合物成型为薄膜时，根据其稀释所用的溶剂的选择，存在在膜的表面及内部产生来源于残留溶剂、相分离等的缺陷的情况，当精密且具有优异的平坦性、且薄膜的目标膜厚为20μm以下时，留有进一步改善的余地。
[0006]另一方面，本案申请人在专利文献2中提出均匀性和膜宽度方向上的平坦性优异的高誘电性膜的提供、及其用途以及制备方法。然而，该薄膜是在抑制厚度的偏差或不均匀性以实现具有优异的平坦性的有机聚硅氧烷固化物膜的方面是有效的，但是，当膜厚为50μm时，难以稳定涂布该组合物，在薄膜的目标膜厚为20μm的情况下，还留有改善的余地。
[0007]类似地，在专利文献3中提出了使用辊输送由热塑性树脂等的载体膜制成的网，使
用狭缝模头将固化性硅垂直涂布到该载体上以获得薄且平坦性优异的有机硅薄膜。然而，在本方法中，当薄膜的目标膜厚为20μm时，尚未完全解决前文中所述的基因于支持辊的偏心及轴承的机械精度的影响和溶剂的使用所伴随的膜的表面及内部的缺陷问题而还留有改善的余地。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本专利申请2018
‑
229642
[0011]专利文献2：国际专利公开WO2017/183541号公报
[0012]专利文献3：日本特表2016
‑
500382号公报
技术实现思路
[0013]专利技术所要解决的问题
[0014]本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种有机聚硅氧烷固化物膜、其用途以及制备方法，所述有机聚硅氧烷固化物膜的膜厚为20μm以下且具有优异的平坦性及均匀性。
[0015]用于解决问题的方案
[0016]为解决上述问题而深入研究的结果，本专利技术人发现通过膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm且膜中心的平均厚度在1～20μm的范围内的有机聚硅氧烷固化物膜以及以包括在一对支撑辊之间通过张力支撑方式支撑的连续移动的基材上使用狭缝模头涂布固化性有机聚硅氧烷组合物的模头涂布工序为特征的该有机聚硅氧烷固化物膜的制备方法来能够解决上述问题，并完成了本专利技术。
[0017]即，本专利技术的目的如下。
[0018][1]一种有机聚硅氧烷固化物膜，其中，膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm，膜中心的平均厚度在1～20μm的范围内。此外，更优选的是在膜的宽度方向上末端的厚度与中心的厚度之差在5.0％以内。
[0019][2]根据[1]中所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其中，所述有机聚硅氧烷固化物膜的膜中心的平均厚度在1～10μm的范围内。
[0020][3]根据[1]或[2]中所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，所述有机聚硅氧烷固化物膜实质上不含有有机溶剂。此外，实质上不含有有机溶剂是指，通过固化无溶剂型的固化性有机聚硅氧烷组合物而获得的固化物膜，或者通过充分除去固化时残留的有机溶剂而相对于整个固化物膜的有机溶剂的含量小于0.1质量％。
[0021][4]根据[1]～[3]中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其中，其使包含以下成分的固化性有机聚硅氧烷组合物固化而成：(A)分子内具有至少两个包含碳
‑
碳双键的固化反应性基团的有机聚硅氧烷；
[0022](B)相对于分子中具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷组合物中的碳
‑
碳双键的合计量1摩尔，本成分中的硅原子键合氢原子含量成为0.1～2.5摩尔的量；以及
[0023](C)有效量的硅氢化反应用催化剂。
[0024][5]根据[4]所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其中，所述成分(A)或成分(B)一部分或全部为具有高介电性官能团的有机聚硅氧烷或有机氢聚硅氧烷。
[0025][6]根据[4]或[5]所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其中，固化性有机聚硅氧烷组合物还包含：
[0026](D1)通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积超过100m2/g的增强性微粒或其复合体；和
[0027](D2)通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积在10～100m2/g的范围内的增强性微粒或其复合体，
[0028]成分(D1)与成分(D2)的质量比在50：50～99：1的范围内。
[0029][7]根据[4]～[6]中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其中，固化性有机聚硅氧烷组合物为无溶剂型或低溶剂型的组合物。
[0030]并且，本专利技术的目的通过以下的专利技术达成。
[0031][8]一种使用，其是[1]～[7]中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜的作为电子材料或显示装置用构件的使用。
[0032][9]一种本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，所述固化物膜的膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm，膜中心的平均厚度在1～20μm的范围内。2.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，膜中心的平均厚度在1～10μm的范围内。3.根据权利要求1或2所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，实质上不含有有机溶剂。4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，所述有机聚硅氧烷固化物膜使包含以下成分的固化性有机聚硅氧烷组合物固化而成：(A)分子内具有至少两个包含碳
‑
碳双键的固化反应性基团的有机聚硅氧烷；(B)相对于分子中具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷组合物中的碳
‑
碳双键的合计量1摩尔，本成分中的硅原子键合氢原子含量成为0.1～2.5摩尔的量；以及(C)有效量的硅氢化反应用催化剂。5.根据权利要求4所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，所述成分(A)或成分(B)的一部分或全部为具有高介电性官能团的有机聚硅氧烷或有机氢聚硅氧烷。6.根据权利要求4或5所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，固化性有机聚硅氧烷组合物还包含：(D1)通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积超过100m2/g的增强性微粒或其复合体；(D2)通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积在10～100m2/g的范围内的增强性微粒或其复合体，且成分(D1)与成分(D2)的质量比在50：50～99：1的范围内。7.根据权利要求4至6中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜，其特征在于，固化性有机聚硅氧烷组合物为无溶剂型或低溶剂型的组合物。8.一种使用，其特征在于，所述使用为权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜的作为电子材料或显示装置用构件的使用。9.一种层叠体，其特征在于，所述层叠体具有权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜层叠于具备剥离层的片状基材的结构。10.一种电子零件或显示装置，其特征在于，所述电子零件或显示装置具有权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：福井弘，津田武明，
申请(专利权)人：陶氏东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：
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