制造极端部对准的薄膜复合磁电阻头的方法技术

提供了一种复合ＭＲ头，它具有竖直对准的侧壁，以尽量减小侧边缘场并改善道偏移性能。包括读取头的第二屏蔽层Ｓ２的底极件Ｐ１，带有具有短的长度的基座极端部。其长度短至为间隙层Ｇ的长度的两倍的基座极端部能够最大程度地减小侧向写入并改善道偏移性能。写入头的底极端部结构是利用顶极端部结构作为掩膜，用离子束研磨形成的。离子束研磨是与顶极端部结构的侧壁成一个角度地照射的，使底极端部结构研磨出与顶极端部结构对准的侧壁。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有对准的极端部的薄膜复合磁阻(MR)头和该头的制作方法。在磁盘驱动器中，数据由被称为“头”的薄膜磁传感器写入和读出，而该头被支撑在以高速旋转的盘的表面上。这些头借助于由盘的高速旋转产生的薄空气垫(空气轴承)而得到支撑。薄膜磁写入头是需要的，因为它们提供了高的面密度；而薄膜磁读取头是需要的，因为它们提供了高分辨率。薄膜磁头也容易制造。借助于各种薄膜制作技术，可以在陶瓷基底上成批地生产磁头，并随后将它们切割成单独的头。薄膜写入头分别包括底和顶极件P1和P2，它们是用磁性材料薄膜(层)制成的。这些极件具有通常被称为“喉高度”的极端部高度。在制成的写入头中，喉高度是在通过对极件的端部进行抛光而形成的空气轴承表面(ABS)和一个零喉高度(“零喉高度”)之间测量的，其中底极件P1和顶极件P2在磁记录间隙处会合。薄膜磁写入头还包括一个位于ABS和零喉高度之间的极端部区和一个从零喉高度延伸到并包括一个后间隙的后区。各个极件具有在极端部区中的极端部部分和在后区中的后部分。极件在后间隙处连接在一起。极端部是写入头的底部和顶部极件P1和P2的延伸。在极端部区，各个极件P1和P2转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合ＭＲ头，其特征在于包括： 写入头，它具有底和顶极件Ｐ１和Ｐ２； 具有底和顶极端部元件ＰＴ１ａ和ＰＴ１ｂ的极件Ｐ１和具有极端部元件ＰＴ２的极件Ｐ２； 一个ＭＲ读取头，它具有第二屏蔽层Ｓ２，该第二屏蔽层Ｓ２包括底极件及其极端部元件ＰＴ１ａ； 相对于第二屏蔽层Ｓ２形成一个基座的极端部元件ＰＴ１ｂ； 各个极端部元件ＰＴ１ｂ和ＰＴ２都具有第一和第二侧壁，各个极端部元件ＰＴ１ｂ和ＰＴ２的第一侧壁共同位于一个第一竖直平面中，且各个极端部元件ＰＴ１ｂ和ＰＴ２的第二侧壁共同位于一个第二竖直平面中；且 第一和第二竖直平面在空气轴承表面（ＡＢＳ）处彼此相隔一个代表一个写入...

【技术特征摘要】
US 1994-3-9 2083981.一种复合MR头，其特征在于包括写入头，它具有底和顶极件P1和P2；具有底和顶极端部元件PT1a和PT1b的极件P1和具有极端部元件PT2的极件P2；一个MR读取头，它具有第二屏蔽层S2，该第二屏蔽层S2包括底极件及其极端部元件PT1a；相对于第二屏蔽层S2形成一个基座的极端部元件PT1b；各个极端部元件PT1b和PT2都具有第一和第二侧壁，各个极端部元件PT1b和PT2的第一侧壁共同位于一个第一竖直平面中，且各个极端部元件PT1b和PT2的第二侧壁共同位于一个第二竖直平面中；且第一和第二竖直平面在空气轴承表面(ABS)处彼此相隔一个代表一个写入头道宽的距离w。2.包括根据权利要求1的复合MR头的磁盘驱动器，该驱动器的特征在于包括一个外壳；安装在该外壳中并用于转动磁盘的装置；以及装在该外壳中的、包括一个滑动器的支架，用于当磁盘由转动装置转动时以与磁盘成传感关系地支撑该复合MR头。3.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括第二屏蔽层S2除了极端部元件PT1a之外还包括极端部元件PT1b。4.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括位于极端部元件PT1b和PT2之间的间隙层G，该间隙层G具有第一和第二侧壁，间隙层G的第一侧壁位于第一竖直平面中，且间隙层G的第二侧壁位于第二竖直平面中。5.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括作为一个单个的层的极端部元件PT2。6.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括极端部元件PT2，它包括极端部元件PT2a和PT2b，极端部元件PT2a和PT2b的每一个都是一个单独的层。7.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括该MR读取头包括在所述第二屏蔽层S2以外的一个第一屏蔽层S1；夹在第一和第二屏蔽层S1和S2之间的第一和第二间隙层G1和G2；以及夹在第一和第二间隙层G1和G2之间的一个MR元件。8.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括第一和第二竖直平面之间的距离小于5μm。9.根据权利要求1的复合MR头，其特征在于包括ABS处间隙G的长度为g且ABS处极端部元件PT1b的长度在0.5g至3.0g的范围内。10.根据权利要求9的复合MR头，其特征在于包括第二屏蔽层S2除了极端部元件PT1a以外还包括极端部元件PT1b。11.包括根据权利要求10的复合MR头的磁盘驱动器，该驱动器的特征在于包括一个外壳；安装在该外壳中的用于转动磁盘的装置；安装在该外壳中并包括一个滑动器的支架，用于当一个磁盘被转动装置转动时支撑复合MR头，以使该复合MR头相对于磁盘处于传感关系。12.根据权利要求10的复合MR头，其特征在于包括位于极端部元件PT1b和PT2之间的间隙层G，该间隙层G具有第一和第二侧壁，间隙层G的第一侧壁位于第一竖直平面中，且间隙层G的第二侧壁位于第二竖直平面中。13.根据权利要求12的复合MR头，其特征在于包括该MR读取头包括一个除了所述第二屏蔽层S2以外的第一屏蔽层S1；夹在第一和第二屏蔽层S1和S2之间的第一和第二间隙层G1和G2；以及夹在第一和第二间隙层G1和G2之间的一个MR元件。14.根据权利要求13的复合MR头，其特征在于包括间隙G的长度g处于0.1μm至0.7μm的范围内；且ABS处极端部元件的长度为大约2.0g。15.根据权利要求14的复合MR头，其特征在于包括极端部元件PT2是一个单个的层。16.根据权利要求14的复合MR头，其特征在于包括包括极端部元件PT2a和PT2b的极端部元件PT2，极端部元件PT2a和PT2b每一个都是一个单独的层。17.一种复合MR头，其特征在于包括一个写入头，它具有底和顶极件P1和P2；具有底和顶极端部元件PT1a和PT1b的极件P1和具有极端部元件PT2的极件P2，极端部元件PT1a具有宽于极端部元件PT1b的宽度的宽度；一个MR读取头，它具有第二屏蔽层S2，第二屏蔽层S2包括包含其极端部元件PT1a的底极件；极端部元件PT1b是相对于第二屏蔽层S2的一个基座；极端部元件PT1b具有顶膜表面、第一和第二侧壁和一个前壁，该前壁组成一个空气轴承表面(ABS)的一部分，且该顶膜表面以该前壁和第一和第二侧壁为边界；极端部元件PT2具有顶和底膜表面、一个前壁和第一和第二侧壁，该前壁组成ABS的一部分，且顶和底膜表面以该前壁和第一和第二侧壁为边界；夹在极端部元件PT1b的顶膜表面与极端部元件PT2的底膜表面之间的间隙层G，间隙层G具有顶和底膜表面和一个前壁，该前壁组成ABS的一部分，且顶和底膜表面以该前壁和第一和第二侧壁为边界；极端部元件PT1b、间隙层G和极端部元件PT2中的每一个的第一侧壁都邻接地处于一个第一竖直平面中，且极端部元件PT1b、间隙层G和极端部元件PT2中的每一个的第二侧壁都邻接地处于一个第二竖直平面中；且第一和第二竖直侧壁中的每一个都与ABS垂直并在ABS处彼此相距一个距离w，而距离w是写入头的道宽。18.根据权利要求17的复合MR头，其特征在于包括各个极端部元件PT1a和PT1b都是单独的磁层；极端部元件PT2包括一个顶极端部元件PT2a和一个底极端部元件PT2b；且极端部元件PT1b和PT2b的材料具有比极端部元件PT1a和PT2a的材料更高的饱和程度。19.根据权利要求17的复合MR头，其特征在于包括ABS处间隙G的长度为g且ABS处极端部元件PT1b的长度大体为2.0g。20.根据权利要求19的复合MR头，其特征在于包括间隙G的长度在0.1μm至0.7μm的范围中。21.根据权利要求20的复合MR头，其特征在于包括除了极端部元件PT1a以外还包括极端部元件PT1b的第二屏蔽层S2。22.根据权利要求21的复合MR头，其特征在于包括该MR读取头包括一个除了所述第二屏蔽层S2以外的第一屏蔽层S1；夹在第一和第二屏蔽层S1和S2之间的第一和第二间隙层G1和G2；夹在第一和第二间隙层G1和G2之间的一个MR元件。23.包括根据权利要求22的复合MR头的磁盘驱动器，该驱动器的特征在于包括一个外壳；安装在该外壳中并用于转动磁盘的装置；以及安装在该外壳中并包括一个滑动器的支架，用于当一个磁盘被该转动装置转动时支撑复合MR头以使其相对于该磁盘处于传感关系。24.根据权利要求22的复合MR头，其特征在于包括包括极端部元件PT2a和PT2b的极端部元件PT2，极端部元件PT2a和PT2b每一个都是单独的层。25.一种复合MR头，其特征在于包括极端部元件PT1a、PT1b和PT2，每个极端部元件PT1b和PT2都具有第一和第二侧壁；包括一个第二屏蔽层S2的MR读取头，该第二屏蔽层S2包括极端部元件PT1a；极端部元件PT1b是相对于第二屏蔽层S2的一个基座；极端部元件PT1b和PT2的每一个的第一侧壁都在一个第一竖直平面中对准，且极端部元件PT1b和PT2b的每一个的第二侧壁都在一个第二竖直平面中对准；且第一和第二竖直侧壁在ABS处彼此相距一个距离w，而距离w限定了复合MR头的道宽。26.根据权利要求25的复合MR头，其特征在于包括该第二屏蔽层S2除了极端部元件PT1a以外还包括极端部元件PT1b；且极端部元件PT2是一个单个的层。27.根据权利要求26的复合MR头，其特征在于包括ABS处间隙G的长度是g；间隙G的长度g在0.1μm至0.7μm的范围内；且ABS处极端部元件PT1b的长度在0.5g至3.0g的范围内。28.制造具有一个顶部和一个底部的复合MR头的方法，该复合MR头的顶部和底部的一部分以一个空气轴承表面(ABS)为边界，该方法的特征在于包括以下步骤淀积至少一个磁层以形成一个MR头的第二屏蔽层S2和一个底极件P1，该底极件P1从一个空气轴承表面(ABS)延伸到并包括一个后间隙，该底极件P1具有在ABS和一个零喉高度之间延伸的未限定极端部部分；淀积另一磁层以在底极件P1上形成自ABS至且包括后间隙的顶磁极P2，该顶磁极P2带有一个限定的极端部元件PT2，该极端部元件PT2在ABS与零喉高度之间延伸并具有第一和第二竖直侧壁；以及用至少一个离子束以与限定的极端部元件PT2的侧壁成θ的角度照射底极件P1的未限定极端部部分，利用限定的极端部元件PT2作为掩膜，在极端部元件PT2的各侧在底极件P1上形成竖直缺口以使底极件P1形成极端部元件PT1a和PT1b，极端部元件PT1b是相对于底极件P1的一个基座并具有分别与极端部元件PT2的第一和第二竖直侧壁相对准的第一和第二竖直侧壁。29.根据权利要求28的方法，其特征在于包括在用至少一个离子束照射底极件P1的未限定的极端部部分之前，在顶极件P2上淀积一个光刻胶掩膜；在该光刻胶掩膜上提供一个开口，该开口暴露出限定极端部元件PT2和在其各侧的一个区域，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫汉马德T克劳恩比，杰里罗蒂修，桑青华，罗伯特M瓦尔塔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]