【技术实现步骤摘要】
201610380051
【技术保护点】
一种高阻抗放大式冷光LED用节能电源电路，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T，二极管整流器U1，负极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、正极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与控制芯片U2的CS管脚相连接、正极经电感L1后与控制芯片U2的RE管脚相连接的极性电容C5，一端与极性电容C5的正极相连接、另一端与控制芯片U2的GND管脚相连接后接地的电阻R9，串接在变压器T副边电感线圈的非同名端与同名端之间的极性电容C9，串接在控制芯片U2的VCC管脚与VS‑管脚之间的基准电流校正电路，与控制芯片U2相连接的晶闸管触发电路，串接在基准电流校正电路与晶闸管触发电路之间的高阻抗放大电路，以及串接在二极管整流器U1与变压器T之间的低通滤波电路组成；所述基准电流校正电路与低通滤波电路相连接。
【技术特征摘要】
1.一种高阻抗放大式冷光LED用节能电源电路，其特征在于，主要由控制芯片U2，变压器T，二极管整流器U1，负极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、正极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与控制芯片U2的CS管脚相连接、正极经电感L1后与控制芯片U2的RE管脚相连接的极性电容C5，一端与极性电容C5的正极相连接、另一端与控制芯片U2的GND管脚相连接后接地的电阻R9，串接在变压器T副边电感线圈的非同名端与同名端之间的极性电容C9，串接在控制芯片U2的VCC管脚与VS-管脚之间的基准电流校正电路，与控制芯片U2相连接的晶闸管触发电路，串接在基准电流校正电路与晶闸管触发电路之间的高阻抗放大电路，以及串接在二极管整流器U1与变压器T之间的低通滤波电路组成；所述基准电流校正电路与低通滤波电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种高阻抗放大式冷光LED用节能电源电路，其特征在于，所述高阻抗放大电路由场效应管MOS3，三极管VT3，三极管VT4，一端与场效应管MOS3的栅极相连接、另一端作为高阻抗放大电路的输入端并与基准电流校正电路相连接的电感L2，正极与场效应管MOS3的栅极相连接、负极接地的极性电容C11，P极经电阻R18后与极性电容C11的负极相连接、N极顺次经电阻R24和电阻R25后与三极管VT4的基极相连接的二极管D7，一端与场效应管MOS3的源极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R20，负极经电阻R21后与三极管VT3的集电极相连接、正极经电阻R22后与三极管VT4的基极相连接的极性电容C13，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的可调电阻R23，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端接地的电阻R28，负极与场效应管MOS3的栅极相连接、正极顺次经电阻R16和电阻R17后与场效应管MOS3的漏极相连接的极性电容C10，P极与电阻R16与电阻R17的连接点相连接、N极经电阻R19后与场效应管MOS3的漏极相连接的二极管D6，负极经电阻R26后与二极管D6的N极相连接、正极经电阻R27后与三极管VT4基极相连接的极性电容C12，以及P极与极性电容C12的正极相连接、N极经电阻R29后与三极管VT4的集电极相
\t连接的二极管D8组成；所述极性电容C13的负极接地；所述二极管D8的P极作为高阻抗放大电路的输出端并与晶闸管触发电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种高阻抗放大式冷光LED用节能电源电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周建英，
申请(专利权)人：成都昂迪加科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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