薄膜感应式磁头及磁读写驱动器制造技术

一种薄膜感应式磁头，用于在磁盘驱动器或磁带机中读写磁信号，上述磁头包括两个由相应的两个磁层分别形成的磁芯，所述两个磁层使导电线圈沿铅垂方向位于其间，所述两磁层的前端部经一间隔层相互对置，所述一磁层的前端部的一部分比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于在磁盘驱动器或磁带驱动器中记录磁信号的感应式磁头(IND磁头)，并涉及该IND磁头的制造方法以及使用磁阻/感应式磁头(MR/IND磁头)的磁读写驱动器。近年来，MR/IND磁头已经受到高度重视，因为这种磁头可适合于磁盘驱动器的高记录密度和小型化。已经对MR/IND磁头提出高性能的要求。在读出头(MR磁头)领域，已经在研制高性能的MR器件。现在，关注自旋阀(spin valve)磁阻器件(自旋阀MR器件)等器件，这些器件不依赖于磁记录媒体的移动速度并可提供高输出磁信号。另一方面，在写头(记录头)领域，也已有高性能要求。已经对这样的MR/IND磁头提出如下要求使磁信号可在高频率范围内记录并使记录展宽(spread)小。图1A是表示现有技术合并式MR/IND磁头的透视图。图1B为沿图1中线I-I所作的合并式MR/IND磁头的剖视图。图2为示出图1中MR/IND磁头的气垫表面(air bearing surface)ABS的剖视前视图。如图1A、图1B和图2所示，在读出侧(R)中，下磁屏蔽1和上磁屏蔽4分别形成在磁阻器件(MR器件)2之下和之上，结果，MR器件2在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜感应式磁头，它包括两个由相应的两个磁层分别形成的磁芯，所述两个磁层使导电线圈沿铅垂方向位于其间，所述两磁层的前端部经一间隔层相互对置，所述一磁层的前端部的两侧表面比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。

【技术特征摘要】
JP 1996-4-26 106931/961.一种薄膜感应式磁头，它包括两个由相应的两个磁层分别形成的磁芯，所述两个磁层使导电线圈沿铅垂方向位于其间，所述两磁层的前端部经一间隔层相互对置，所述一磁层的前端部的两侧表面比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。2.如权利要求1所述的薄膜感应式磁头，其特征在于除所述一磁层的前端部的两侧表面具有高饱和磁通密度以外，所述一磁层的与所述另一磁层相对的表面，也比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。3.如权利要求1所述的薄膜感应式磁头，其特征在于所述两磁层形成一记录部分，且所述两磁层中的另一磁层亦用作一读出部分的磁屏蔽。4.如权利要求1所述的薄膜感应式磁头，其特征在于所述另一磁层的前端部的与所述一磁层的前端部相对的表面，比所述另一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。5.如权利要求1所述的薄膜感应式磁头，其特征在于所述另一磁层的前端部的与所述一磁层的前端部相对的部分，相对所述另一磁层的其余部分突出。6.如权利要求1所述的薄膜感应式磁头，其特征在于所述两磁层的相互对置的所述两前端部，基本上等宽。7.如权利要求6所述的薄膜感应式磁头，其特征在于所述另一磁层的与所述一磁层的前端部相对的所述前端部的两侧表面，比所述另一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。8.如权利要求7所述的薄膜感应式磁头，其特征在于除所述另一磁层的前端部的两侧表面具有高饱和磁通密度以外，所述另一磁层前端部的与所述一磁层的所述前端部相对的另一表面，也比所述另一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。9.一种磁读写驱动器，它包括(a)一种用于把磁信号记录于其上的磁记录材料；和(b)一种薄膜感应式磁头，它具有(1)一个记录部分，用于把所述磁信号记录于所述磁记录材料上，所述记录部分包括两个由相应的两个磁层分别形成的磁芯，所述两个磁层使导电线圈沿铅垂方向位于其间，所述两磁层的前端部经一间隔层相互对置，所述一磁层的前端部的两侧表面比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度，和(2)一个读出部分，用于把所述磁信号从所述磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：大冢善德，户田顺三，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]