芯片转移结构及MicroLED显示模块返修方法技术

本发明专利技术公开一种能够适用于Micro LED显示模块返修过程中取晶/置晶补晶的芯片转移结构以及采用了该芯片转移结构的Micro LED显示模块返修方法。芯片转移结构包括透明的可被激光穿透的承载件及粘附在承载件的一端的粘贴件。在返修过程中，利用粘贴件的粘性粘起载板上的新LED芯片，并粘附新LED芯片移动至不良芯片在基板上的所在位置，然后采用激光朝承载件的延伸方向照射加热基板上的焊料将新LED芯片与基板焊接在一起，而后再将芯片转移结构与新LED芯片分离，可以防止新LED芯片由于焊料熔融过程中不同焊料区域的张力差异而倾斜或位置偏移，返修效果更加稳定、可靠。可靠。可靠。

【技术实现步骤摘要】
芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法


[0001]本专利技术涉及Micro LED显示模块制造
，具体涉及一种适用于Micro LED显示模块返修过程中取晶/置晶补晶的芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示模块包括有基板和焊接在基板上的多个LED芯片。在Micro LED显示模块的生产过程中，因一些制程产生的不良，导致Micro LED显示模块中可能会存在不良芯片，例如坏芯、焊接不良芯片等，对存在不良芯片的Micro LED显示模块，需要进行返修。
[0003]在返修时，首先需要从基板上移除不良芯片，然后再拿取新的LED芯片(取晶)放至不良芯片原本所在位置进行焊接(置晶补晶)等。在这过程中，需要用到专门的吸嘴真空吸附LED芯片实现取晶/置晶补晶。然而，当LED芯片缩小至micro尺寸(<50um)，由于吸嘴尺寸无法加工，已经无法利用现有吸嘴真空吸附方式进行取晶/置晶补晶。与此同时，由于LED芯片尺寸过小，补晶时也难以使用现有的热风/红外热棒加热焊接LED芯片与基板。
[0004]因此，有必要提供一种能够适用于Micro LED显示模块返修过程中取晶/置晶补晶的芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种能够适用于Micro LED显示模块返修过程中取晶/置晶补晶的芯片转移结构。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供一种Micro LED显示模块返修方法。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供了一种芯片转移结构，适用于Micro LED显示模块返修。所述Micro LED显示模块包括基板和焊接在所述基板上的多个LED芯片。所述芯片转移结构包括透明的承载件、以及粘贴件。其中，所述承载件可被激光穿透。所述粘贴件粘附在所述承载件的一端，用于在Micro LED显示模块返修工序中粘住待移除的不良芯片将所述不良芯片从所述基板上移除和/或粘取新LED芯片补至所述基板上。
[0008]与现有技术相比，本专利技术的芯片转移结构具有承载件和粘贴件，利用承载件作为基体，利用粘贴件的粘性粘起载板上相应的新LED芯片，能够实现micro尺寸的LED芯片的取晶/置晶补晶，从而实现Micro LED显示模块的返修。同时，承载件为可被激光穿透的透明材料，在返修过程中将新LED芯片置于基板上时，可以先不分离新LED芯片与粘贴件，而是采用激光朝承载件的延伸方向照射加热基板上的焊料将新LED芯片与基板焊接在一起，在此过程中，芯片转移结构可以防止新LED芯片由于焊料熔融过程中不同焊料区域的张力差异而倾斜或位置偏移，从而可以获得更加稳定、可靠的返修效果。
[0009]较佳地，所述粘贴件为具有粘性的PDMS膜。
[0010]较佳地，所述粘贴件为片状或具有多层结构的阶梯状。
[0011]较佳地，所述承载件为玻璃材料、石英材料、透明陶瓷材料其中一种。
[0012]较佳地，所述承载件为实心结构。
[0013]为实现上述目的，本专利技术提供了一种Micro LED显示模块返修方法，所述Micro LED显示模块包括基板和焊接在所述基板上的多个LED芯片，所述Micro LED显示模块返修方包括：
[0014]将所述Micro LED显示模块的基板上的不良芯片移除；
[0015]提供承载有新LED芯片的载板，所述载板一侧表面具有粘胶层，所述载板借由所述粘胶层粘附所述新LED芯片，所述粘胶层的粘力小于上述技术方案中所述芯片转移结构的粘贴件的粘力；
[0016]采用所述芯片转移结构对准所述载板上相应的所述新LED芯片，并粘起相应的所述新LED芯片移动至所述不良芯片在所述基板上的所在位置；
[0017]采用激光朝所述承载件的延伸方向照射所述承载件，将相应的所述新LED芯片与所述基板焊接在一起；
[0018]将所述芯片转移结构与所述新LED芯片分离。
[0019]与现有技术相比，本专利技术利用可被激光穿透的承载件承载粘贴件，利用粘贴件的粘性粘起载板上相应的新LED芯片并移动至不良芯片在基板上的所在位置，实现了micro尺寸的LED芯片的取晶/置晶补晶，从而实现Micro LED显示模块的返修。且，在将新LED芯片移动至不良芯片在基板上的所在位置后，不分离新LED芯片与粘贴件，而是采用激光朝承载件的延伸方向照射加热基板上的焊料将新LED芯片与基板焊接在一起，而后再将芯片转移结构与新LED芯片分离，可以防止新LED芯片由于焊料熔融过程中不同焊料区域的张力差异而倾斜或位置偏移，返修效果更加稳定、可靠。
[0020]较佳地，所述“采用激光朝所述承载件的延伸方向照射所述承载件”为：采用激光从所述承载件粘附有所述粘贴件的一端的相反端照射所述承载件，激光自所述相反端透过所述承载件到达粘附有所述粘贴件的一端。
[0021]较佳地，在采用激光朝所述承载件的延伸方向照射所述承载件以将所述新LED芯片与所述基板焊接的过程中，通过所述芯片转移结构给所述新LED芯片施以朝向所述基板的压力。
[0022]较佳地，所述“将所述Micro LED显示模块的基板上的不良芯片移除”包括：熔化所述不良芯片与所述基板之间的焊料；利用所述芯片转移结构粘起所述不良芯片。
[0023]较佳地，在将所述新LED芯片移动至所述不良芯片在所述基板上的所在位置之前，还包括：采用压头压在所述基板移除所述不良芯片后的残留焊料上，并加热所述残留焊料整平所述残留焊料的焊接面。
附图说明
[0024]图1为本专利技术一实施例芯片转移结构的示意图。
[0025]图2为本专利技术一实施例Micro LED显示模块返修方法的流程图。
[0026]图3a
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图3g为本专利技术一实施例Micro LED显示模块返修过程示意图。其中，图3a为初始状态下Micro LED显示模块的示意图，图3b为移除不良芯片后的Micro LED显示模块的示意图，图3c、图3d、图3e为采用芯片转移结构粘附新LED芯片移动至基板的过程示意图，图3f为采用激光焊接新LED芯片与基板的示意图，图3g为芯片转移结构与新LED芯片分离时的示意图。
[0027]图4a
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图4c为本专利技术一实施例Micro LED显示模块部分返修过程示意图。
[0028]其中，图4a为移除不良芯片后进行加热整平残留焊料时的示意图，图4b为图4a整平残留焊料后的示意图，图4c为将新LED芯片放至图4b上时的示意图。
具体实施方式
[0029]为详细说明本专利技术的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于Micro LED显示模块返修的芯片转移结构，所述Micro LED显示模块包括基板和焊接在所述基板上的多个LED芯片，其特征在于，所述芯片转移结构包括：透明的承载件，所述承载件可被激光穿透；以及粘贴件，所述粘贴件粘附在所述承载件的一端，用于在Micro LED显示模块返修工序中粘住待移除的不良芯片将所述不良芯片从所述基板上移除和/或粘取新LED芯片补至所述基板上。2.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述粘贴件为具有粘性的PDMS膜。3.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述粘贴件为片状或具有多层结构的阶梯状。4.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述承载件为玻璃材料、石英材料、透明陶瓷材料其中一种。5.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述承载件为实心结构。6.一种Micro LED显示模块返修方法，所述Micro LED显示模块包括基板和焊接在所述基板上的多个LED芯片，其特征在于，所述Micro LED显示模块返修方法包括：将所述Micro LED显示模块的基板上的不良芯片移除；提供承载有新LED芯片的载板，所述载板一侧表面具有粘胶层，所述载板借由所述粘胶层粘附所述新LED芯片，所述粘胶层的粘力小于如权利要求1至5任一项所述芯片转移结构的粘贴件的粘力；采用所述芯片转移结构对准所述载板上相...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛水源，庄文荣，孙明，付小朝，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：