一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构制造技术

本申请涉及LED封装领域，尤其是涉及一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构，其技术方案要点是：紫外LED芯片封装半成品包括基板，基板上开设有封装槽，紫外LED芯片放置在封装槽的槽底上；封装槽内设置有抗黄硅胶硫化剂层，抗黄硅胶硫化剂层上设置有填充在封装槽内部的原硅胶层；原硅胶层与抗黄硅胶硫化剂层经加工形成抗黄硫化硅胶层，对紫外LED芯片进行封装的同时具有一定的抗黄变性能，达到了降低LED装置由于自身封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性的目的。外光性能的可能性的目的。外光性能的可能性的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构


[0001]本申请涉及LED封装领域，尤其是涉及一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构。

技术介绍

[0002]紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，随着科技的发展，紫外技术用处越来越广泛；相关技术中记载的紫外LED光源通常使用塑料注塑件作为封装装置，但是塑料注塑件在紫外光的长期照射下会变黄即发生黄变现象，影响紫外LED装置所发出紫外光的性能。

技术实现思路

[0003]为了降低LED装置由于自身封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性，本申请提供一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构。
[0004]本申请提供的一种紫外LED芯片封装半成品采用如下的技术方案：
[0005]一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构，包括基板，基板上开设有封装槽，紫外LED芯片放置在封装槽的槽底上；封装槽内设置有抗黄硅胶硫化剂层，抗黄硅胶硫化剂层上设置有填充在封装槽内部的原硅胶层。
[0006]通过采用上述技术方案，当需要制成投入使用的封装成品时，将封装半成品置于烘箱内并在150℃的环境温度下烘烤3小时，在此过程中原硅胶层中的未发生硫化的硅胶分子链与抗黄硅胶硫化剂层中的抗黄硅胶硫化剂发生交联反应，硅胶分子链更多地交联成立体网状结构，使得在紫外光的照射下硅胶分子链难以生产引起黄变的自由基；当需要对LED进行封装时，直接将封装半成品置于特定环境中以制成成品的封装结构即可，降低了LED装置由于自身封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性。
[0007]优选的，抗黄硅胶硫化剂层远离原硅胶层的一侧设置有绝缘反射层，绝缘反射层设置在封装槽的槽底与槽壁上；绝缘反射层避开紫外LED芯片设置。
[0008]通过采用上述技术方案，当封装半成品制成投入使用的封装结构时，紫外LED芯片发出的光，一部分直射在被照物体上，另一部分则向周围发射；绝缘反射层用于改变紫外LED芯片向其他方向照射的光线的传播方向以使这部分光线照射在被照物体表面，并减少基板对光线的吸收。
[0009]优选的，绝缘反射层包括多个层叠分布的反射单元；每个反射单元包括低折射率层以及高折射率层，低折射率层的折射率小于高折射率层的折射率。
[0010]通过采用上述技术方案，高折射率层与低折射率层构成了布拉格反射镜的基本单元，多个反射单元构成了一个布拉格反射镜，进而获得紫外LED芯片所发出光线的强反射效果。
[0011]优选的，封装槽相对的槽壁之间的距离沿着从靠进到远离槽底的方向逐渐变大。
[0012]通过采用上述技术方案，由紫外LED芯片发出的紫外光部分照射在封装槽的槽壁上，由于封装槽的槽壁倾斜设置，进而这部分紫外光在封装槽的槽壁上发生反射并向远离
紫外LED芯片的方向延伸，并逐级反射至被照物体表面上；此外，封装槽的槽壁倾斜设置，减少了封装槽的槽壁对紫外光的遮挡。
[0013]优选的，紫外LED芯片与封装槽的槽底之间设置有固定胶。
[0014]通过采用上述技术方案，抗黄硫化硅胶层对LED芯片起到一定的固定作用，固定胶则用于使LED芯片更加稳固地固定在基板上。
[0015]一种紫外LED芯片封装结构，是由一种紫外LED芯片封装半成品制成的封装结构；封装结构包括基板，基板上开设有封装槽，紫外LED芯片放置在封装槽的槽底上；封装槽内部固定填充有抗黄硫化硅胶层，抗黄硫化硅胶层覆盖在紫外LED芯片上。
[0016]通过采用上述技术方案，紫外LED芯片封装半成品中包含的抗黄硅胶硫化剂层与原硅胶层在一定条件下发生交联反应并形成抗黄硫化硅胶层；由于抗黄硫化硅胶相比于塑料具有更强的抗黄变性能，进而降低了LED装置由于封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性。
[0017]优选的，封装槽的槽底和槽壁上均设置有绝缘反射层，抗黄硫化硅胶层覆盖在绝缘反射层上，绝缘反射层避开紫外LED芯片设置。
[0018]通过采用上述技术方案，紫外LED芯片发出的光，一部分直射在被照物体上，另一部分则向周围发射；绝缘反射层用于改变紫外LED芯片向其他方向照射的光线的传播方向以使这部分光线照射在被照物体表面，并减少基板对光线的吸收。
[0019]优选的，绝缘反射层包括多个层叠分布的反射单元；每个反射单元包括低折射率层以及高折射率层，低折射率层的折射率小于高折射率层的折射率。
[0020]通过采用上述技术方案，高折射率层与低折射率层构成了布拉格反射镜的基本单元，多个反射单元构成了一个布拉格反射镜，进而获得紫外LED芯片所发出光线的强反射效果。
[0021]综上所述，本申请具有以下技术效果：
[0022]1.通过设置了基板，在基板上开设有封装槽，封装槽内部设置有抗黄硫化硅胶层，由于抗黄硫化硅胶相比于塑料具有更强的抗黄变性能，进而降低了LED装置由于封装结构的黄变而影响发出紫外光性能的可能性；
[0023]2.通过设置了绝缘反射层，绝缘反射层包括多个反射单元，反射单元包括低折射率层和高折射率层，构成了布拉格反射镜的基本单元，多个反射单元构成了一个布拉格反射镜，进而获得紫外LED芯片所发出光线的强反射效果。
附图说明
[0024]图1是本申请实施例中的紫外LED芯片封装半成品的整体结构图；
[0025]图2是本申请实施例中的基板的结构示意图；
[0026]图3是本申请实施例中的绝缘反射层的结构示意图；
[0027]图4是本申请实施例中的紫外LED芯片封装结构的整体结构图。
[0028]图中，1、基板；2、封装槽；3、抗黄硅胶硫化剂层；4、原硅胶层；5、绝缘反射层；51、反射单元；511、高折射率层；512、低折射率层；6、抗黄硫化硅胶层；8、紫外LED芯片。
具体实施方式
[0029]以下结合附图对本申请作进一步详细说明。
[0030]参照图1和图2，本申请提供了一种紫外LED芯片封装半成品，包括基板1，基板1的塑胶部分材质不限于PPA或PCT，基板1金属部分的材质不限于银铜镍金属合金；基板1的表面上开设有封装槽2，封装槽2的与基板1开设有封装槽2的表面平行的截面形状为矩形；紫外LED芯片8设置在封装槽2的槽底，且紫外LED芯片8与封装槽2的槽底之间点涂有固定胶，固定胶的成分有两种以供选择，对于与封装槽2槽底贴合的表面存在电极的紫外LED芯片8而言，固定胶选用银胶；而对于与封装槽2槽底贴合的表面不存在电极的紫外LED芯片8而言，固定胶选用绝缘胶，进而实现将紫外LED芯片8固定在基板1上。
[0031]参照图1和图3，在封装槽2的槽底与四个槽壁上均涂覆有绝缘反射层5，绝缘反射层5采用包括但不限于PVD或PECVD沉积的方法设置在基板1上，绝缘反射层5避开紫外LED芯片8设置，且绝缘反射层5的厚度小于紫外LED芯片8的高度；进一步的，绝缘反射层5包括多个在基板1上层叠分布的反射单元51，反射单元51设置有5
‑
10个；每个反射单元51包括低折射率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：包括基板(1)，基板(1)上开设有封装槽(2)，紫外LED芯片(8)放置在封装槽(2)的槽底上；封装槽(2)内设置有抗黄硅胶硫化剂层(3)，抗黄硅胶硫化剂层(3)上设置有填充在封装槽(2)内部的原硅胶层(4)。2.根据权利要求1所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：抗黄硅胶硫化剂层(3)远离原硅胶层(4)的一侧设置有绝缘反射层(5)，绝缘反射层(5)设置在封装槽(2)的槽底与槽壁上；绝缘反射层(5)避开紫外LED芯片(8)设置。3.根据权利要求2所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：绝缘反射层(5)包括多个层叠分布的反射单元(51)；每个反射单元(51)包括低折射率层(512)以及高折射率层(511)，低折射率层(512)的折射率小于高折射率层(511)的折射率。4.根据权利要求1所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：封装槽(2)相对的槽壁之间的距离沿着从靠进到远离槽底的方向逐渐变大。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗轶，张健，郭庆霞，易斌，
申请(专利权)人：北京创盈光电医疗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：