一种IGBT模块的驱动电路及保护电路制造技术

本发明专利技术提供了一种IGBT模块的驱动电路，其包括IGBT模块、光耦合器、TVS抑制管(瞬态抑制二极管)，所述TVS抑制管与所述光耦合器电性连接，所述TVS抑制管与IGBT模块连接，所述光耦合器与TVS抑制管驱动IGBT模块；所述TVS抑制管用于减少浪涌电流，所述用于光耦合器用于减少高压干扰。通过设置TVS抑制管可减少IGBT两端的浪涌电流，避免加电时过高的浪涌电流，防止烧坏IGBT模块与电路上的负载元件。还提供了一种IGBT模块的保护电路，用于包括电路中的负载元件，其包括上述一种IGBT模块的驱动电路。其包括上述一种IGBT模块的驱动电路。其包括上述一种IGBT模块的驱动电路。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT模块的驱动电路及保护电路


[0001]本专利技术涉及IGBT领域，特别涉及一种IGBT模块的驱动电路及保护电路。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极晶体管(IGBT)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有功率MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点，又具有双极达林顿功率管(GTO)饱和电压低、电流容量大、耐压高等优点，能正常工作于几十KHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率设备(如变频器、UPS电源、高频焊机等)应用中占据了主导地位。IGBT和其他电力电子器件一样，实用性还依赖于电路条件和开关环境，IGBT的驱动电路是其应用方案设计的难点和关键。性能优良的驱动电路是确保IGBT高效、可靠运行的必要条件。
[0003]现有的IGBT模块的驱动电路在加电时，容易产生较高的浪涌电流，对IGBT模块造成损伤。

技术实现思路

[0004]为克服目前的IGBT的驱动电路在家电时容易产生较高的浪涌电流的技术问题，本专利技术提供了一种IGBT模块的驱动电路及保护电路。
[0005]本专利技术提供了一种I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块的驱动电路，其特征在于：包括IGBT模块、光耦合器、TVS抑制管(瞬态抑制二极管)，所述TVS抑制管与所述光耦合器电性连接，所述TVS抑制管与IGBT模块连接，所述光耦合器与TVS抑制管驱动IGBT模块；所述TVS抑制管用于减少浪涌电流，所述用于光耦合器用于减少高压干扰。2.如权利要求1所述一种IGBT模块的驱动电路，其特征在于：所述IGBT模块的驱动电路进一步包括逻辑控制电路，所述逻辑控制电路与光耦合器电性连接，所述逻辑控制电路用于提供PWM信号；所述逻辑控制电路包括芯片U1，所述芯片U1型号为STM32F103C8T6。3.如权利要求1所述一种IGBT模块的驱动电路，其特征在于：所述IGBT模块的集电极、发射极带有一二极管；所述IGBT模块的栅极与发射极连接TVS抑制管。4.如权利要求1所述一种IGBT模块的驱动电路，其特征在于：所述IGBT模块内可设置IGBT个数为一个、两个或两个以上。5.如权利要求1所述一种IGBT模块的驱动电路，其特征在于：所述光耦合器的发光部连接逻辑控制电路，所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：向晟，
申请(专利权)人：深圳市芯愚公半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：