一种IGBT管的储存装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种IGBT管的储存装置，包括放置架、储存板以及温湿度调节机构；放置架上从上至下依次设置有多个储存板，储存板为U形板，且储存板的开口内从上至下依次滑动连接有多个储存盒；储存盒、储存板以及放置架均采用导电材质制成，储存板与每个储存盒导通，且储存板通过第一接地导线电连接放置架，放置架通过第二接地导线电连接接地端子；储存盒内设置有温湿度传感器，温湿度传感器电连接控制器，且控制器电连接温湿度调节机构的受控端；温湿度调节机构的输出端通过输风管连通储存盒，向储存盒内输送新风、热风或水蒸气；本实用新型专利技术可实时调节储存环境的温湿度，并能够防止静电产生，从而避免IGBT管在储存过程中容易受到损坏的问题。到损坏的问题。到损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT管的储存装置


[0001]本技术涉及半导体的储存
，具体涉及一种IGBT管的储存装置。

技术介绍

[0002]IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件；IGBT管是由MOSFET场效应管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET，输出级为PNP型大功率三极管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高、响应速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低，耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS
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FET与功率晶体管之间，可正常工作于几十KHz的频率范围内，在现代电子电力技术中得到了广泛的应用。
[0003]IGBT管的储存对环境具有较高的要求，其储存环境的温度应保持在5～35摄氏度之间，湿度应保持在45％～75％之间，且还要求储存容器不能存在静电，否则可能会引起静电放电，从而导致器件损坏；而目前，尚未存在IGBT管的专用储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT管的储存装置，其特征在于，包括：放置架(10)、储存板(20)以及温湿度调节机构(30)；所述放置架(10)包括有从上至下依次设置的多个储存板(20)，其中，所述储存板(20)为U形板，且所述储存板(20)的开口内从上至下依次滑动连接有多个用于放置IGBT管的储存盒(21)；所述储存盒(21)、所述储存板(20)以及所述放置架(10)均采用导电材质制成，其中，所述储存板(20)与每个所述储存盒(21)电连接，且所述储存板(20)通过第一接地导线(40)电连接所述放置架(10)，所述放置架(10)通过第二接地导线(50)电连接接地端子(60)；所述储存盒(21)内设置有温湿度传感器(22)，其中，所述温湿度传感器(22)电连接控制器，且所述控制器电连接所述温湿度调节机构(30)的受控端；所述温湿度调节机构(30)的输出端通过输风管(70)连通所述储存盒(21)，向所述储存盒(21)内输送新风、热风或水蒸气。2.如权利要求1所述的一种IGBT管的储存装置，其特征在于，所述温湿度调节机构(30)包括鼓风机(31)、加热腔(32)以及加湿器(33)，其中，所述加热腔(32)内设置有加热管(34)；所述鼓风机(31)的出风端通过管道连通所述加热腔(32)的一端，所述加热腔(32)的另一端连通所述输风管(70)；所述加湿器(33)的出气端连通所述管道；所述加热管(34)通过电控开关电连接直流电源；所述控制器分别电连接所述鼓风机(31)、所述加湿器(33)以及所述电控开关的受控端。3.如权利要求1所述的一种IGBT管的储存装置，其特征在于，所述输风管(70)竖直设置，且固定在所述储存板(20)背向开口的端面上；每个所述储存盒(21)背向所述储存板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：向晟，
申请(专利权)人：深圳市芯愚公半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：