一种带有IGBT模块的驱动电路及保护电路制造技术

本发明专利技术提供了一种带有IGBT模块的驱动电路，IGBT模块、用于减少高压干扰的光耦合器以及用于减少浪涌电流的TVS抑制管，所述光耦合器与所述IGBT模块串联接入电路，所述TVS抑制管与所述IGBT模块并联。通过设置TVS抑制管可减少IGBT两端的浪涌电流，避免加电时过高的浪涌电流，防止烧坏IGBT模块与电路上的负载元件。还提供了一种带有IGBT模块的保护电路，用于包括电路中的负载元件，其包括上述一种带有IGBT模块的驱动电路。IGBT模块的驱动电路。IGBT模块的驱动电路。

【技术实现步骤摘要】
一种带有IGBT模块的驱动电路及保护电路


[0001]本专利技术涉及IGBT领域，特别涉及一种带有IGBT模块的驱动电路及保护电路。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极晶体管（IGBT）是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有功率MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动等优点，又有双极达林顿功率管（GTO）的饱和电压低、电流容量大、耐压高等优点，能在几十KHz频率范围内正常工作，故，在高频率的大、中功率设备（如变频器、UPS电源、高频焊机等）的驱动电路中占据了主导地位。
[0003]然而，现有的带有IGBT模块的驱动电路中，在加电时，容易产生较高的浪涌电流，从而对IGBT模块造成损伤。

技术实现思路

[0004]为克服目前的带有IGBT的驱动电路在加电时容易产生较高的浪涌电流的技术问题，本专利技术提供了一种带有IGBT模块的驱动电路及保护电路。
[0005]本专利技术提供了一种带有IGBT模块的驱动电路，所述带有IGBT模块的驱动电路包括：IGBT模块、用于减少高压干扰的光耦合器以及用于减少浪涌电流的TVS抑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有IGBT模块的驱动电路，其特征在于：所述带有IGBT模块的驱动电路包括：IGBT模块、用于减少高压干扰的光耦合器以及用于减少浪涌电流的TVS抑制管，所述光耦合器与所述IGBT模块串联接入电路，所述TVS抑制管与所述IGBT模块并联。2.根据权利要求1所述一种带有IGBT模块的驱动电路，其特征在于：所述带有IGBT模块的驱动电路还包括用于提供PWM信号的逻辑控制电路，所述逻辑控制电路与所述光耦合器串联。3.根据权利要求2所述一种带有IGBT模块的驱动电...

【专利技术属性】
技术研发人员：向晟，
申请(专利权)人：深圳市芯愚公半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：