磁记录介质制造技术

一种具有以凹凸图案形成的记录层、并且能得到稳定的磁头浮动特性的磁记录介质。磁记录介质（１０）是在记录要素（１２Ａ）之间的凹部（１４）中填充非磁性材料（１６），表面为与记录层（１２）的凹凸图案不同的凹凸形状，并且，该表面的凹凸形状的算术平均粗糙度被限制在１ｎｍ或其以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有以凹凸图案形成的记录层的磁记录介质。
技术介绍
原来，硬盘等磁记录介质力图通过构成记录层的磁性粒子的细微化、材料的变更、磁头加工的微细化等的改进来显著提高面记录密度，今后也期待进一步提高面记录密度。但是，磁头的加工界限、磁场的加宽引起的侧边缘化(サイドフリンヅ)、串扰(クロスト一ク)等问题明显化了，原来的改进方法对面记录密度的提高有限制，因此作为可实现进一步的面记录密度的提高的磁记录介质的候补，提出了以规定的凹凸图案形成记录层而成的离散磁道介质和图案化介质等的磁记录介质(例如参照特开平9-97419号公报)。即，通过在凹凸图案的凸部记录信息，可抑制与相邻的其他凸部之间的侧边缘化、串扰等。此外，通过使记录层为凹凸图案，还可得到防止磁头吸附到磁记录介质表面的效果。另一方面，磁记录介质的表面为凹凸图案时，磁头的浮动高度变得不稳定，记录、再现特性会有恶化，因此考虑在凹凸图案的记录层上成膜非磁性材料来填充凹部，去除记录层上剩余的非磁性材料，使表面平坦化。作为将记录层加工为凹凸图案的方法，利用干蚀刻的方法。此外，作为成膜非磁性材料的方法，使用半导体制造领域中所用的溅射等成膜技术。而且，关于去除记录层上的剩余非磁性材料来平坦化的方法，利用半导体制造领域所使用的CMP(化学机械抛光Chemical Mechanical Polishing)等加工技术。但是，即便使用CMP法等也难以完全将表面平坦化，在表面上形成反映了记录层的凹凸图案的凹凸形状。例如，CMP法难以按纳米级精密控制加工量(厚度)，去除记录层的非磁性材料后，再由于与非磁性材料一起去除记录层的一部分，因二者的加工速度差反而会使反映了记录层的凹凸图案的表面的凹凸形状的阶梯差增加。由于这样的表面凹凸，不能得到稳定的磁头浮动特性。
技术实现思路
本专利技术考虑上述问题而作出，其目的在于提供一种具有以凹凸图案形成的记录层、并且能得到稳定的磁头浮动特性的磁记录介质。本专利技术通过使磁记录介质的表面为与记录层的凹凸图案不同的凹凸形状，并且将该表面的凹凸形状的算术平均粗糙度限制在1nm或其以下来解决上述问题。专利技术人在想到本专利技术的过程中发现，具有表面的凹凸形状反映了记录层的凹凸图案的图案与磁记录介质的表面粗糙度大小一起，都是磁头浮动不稳定的成因。更具体说，由于磁记录介质在磁头行进方向上交替周期性设置数据区域和伺服区域，具有表面的凹凸形状反映了两个区域的凹凸图案的图案，因此磁头浮动高度周期性变动，换句话说，磁头示出共振这样的举动，浮动特性变得不稳定。此外，磁头还进行在磁记录介质的径向上移动的寻迹(seek)动作，但数据区域中记录层在径向上断续形成，具有表面的凹凸形状还在反映了记录层的凹凸图案的径向上具有周期性图案，因此此时磁头浮动高度也周期性变动，表示出共振这样的举动，浮动特性变得不稳定。相对于此，通过将磁记录介质的表面加工成与记录层的凹凸图案不同的凹凸形状，可抑制磁头的浮动高度的周期性变动。即，原来以凹凸图案形成记录层时，磁记录介质的表面为反映了记录层的凹凸图案的图案的凹凸形状，这一点是公知的，相对于此，通过将磁记录介质的表面加工成与记录层的凹凸图案不同的凹凸形状，可改善磁头的浮动特性。另外，成为本专利技术的对象的面记录密度高的磁记录介质中，磁头的浮动高度为10nm或其以下，需要将磁记录介质的表面的最大阶梯差抑制在10nm或其以下，但表面的最大阶梯差从经验上可确认为表面的算术平均粗糙度的约10倍左右，因此通过将表面的算术平均粗糙度抑制到1nm或其以下，可确实得到良好的磁头浮动特性。还有，表面的算术平均粗糙度过小时，磁头容易吸附在磁记录介质的表面上，因此表面的算术平均粗糙度最好在0.3nm或其以上。即，通过如下的本专利技术，可解决上述课题。(1)一种磁记录媒体，在基板上以规定的凹凸图案形成记录层，其特征在于，在上述凹凸图案的凹部中填充非磁性材料，形成表面与上述凹凸图案不同的凹凸形状，并且，该表面的凹凸形状的算术平均粗糙度被限制在1nm或1nm以下。(2)根据上述(1)所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录层的凹凸图案的算术平均粗糙度大于1nm。(3)根据上述(1)或(2)所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录层的凹凸图案包含有周期性的图案，上述表面的凹凸形状与上述记录层的凹凸图案的周期不对应。(4)根据上述(1)到(3)中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述表面的凹凸形状的算术平均粗糙度被限制在0.3nm或0.3nm以上。(5)根据上述(1)到(4)中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录层的上表面从上述非磁性材料露出。(6)根据上述(1)到(5)中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述非磁性材料是氧化物、氮化物和碳化物的其中之一。(7)根据上述(1)到(6)中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述非磁性材料是具有非晶结构的材料和微晶状态的材料的其中之一。(8)根据上述(1)到(7)中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述非磁性材料以SiO2为主要成分。(9)根据上述(1)到(8)中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录层限定在上述凹凸图案的凸部而形成。此外，本申请中，所谓“以规定的凹凸图案形成记录层的磁记录介质”是指，除按多个记录要素分割记录层的磁记录介质外，还包括以部分连续方式部分分割记录层的磁记录介质、像螺旋状的涡流形状的记录层那样在基板上的一部分上连续形成记录层的磁记录介质、具有形成凸部和凹部二者的连续的记录层的磁记录介质。而且，本申请中，“磁记录介质”的术语不限定于信息的记录、读取中仅使用磁性的硬盘、floppy(注册商标)disc(软盘)、磁带等，还可指兼用磁和光的MO(Magnet Optical磁光盘)等的光磁记录介质、兼用磁和热的热辅助型的记录介质。此外，本申请中，“算术平均粗糙度”的术语是指按JIS-B0601-2001定义的算术平均粗糙度。另外，本申请中，“凹凸图案的凸部”是指与表面垂直的截面的凹凸形状的突出部分。此外，本申请中，“微晶状态的材料”是指X射线衍射中不具有结晶性峰值的材料。本专利技术通过使磁记录介质的表面为与记录层的凹凸图案不同的凹凸形状，可抑制磁头的浮动高度的周期性变动，而且，通过将表面的算术平均粗糙度限制在1nm或其以下，可确实得到良好的磁头浮动特性。此外，通过使表面的算术平均粗糙度在0.3nm或其以上，可防止磁头的吸附。附图说明图1是模式地表示本专利技术实施形式的磁记录介质的结构的侧截面图；图2是进一步放大表示该磁记录介质的结构的侧截面图；图3是表示该磁记录介质的制造工序的概要的流程图；图4是模式地表示该磁记录介质的制造工序中加工坯体的结构的侧截面图；图5是模式地表示出在表面形成了记录要素的被加工体的形状的侧截面图；图6是模式地表示出在记录要素上成膜非磁性材料、凹部用非磁性材料填充了的上述被加工体的形状的侧截面图；图7是模式地表示出上述被加工体的平坦化工序的侧截面图；图8是模式地表示出平坦化工序后的上述被加工体的形状的侧截面图；图9是表示将Ar气用作该平坦化工序的加工用气体时的离子束的入射角与蚀刻率的关系的曲线图；图10是表示关于该磁记录介质通过滑动测试得到的表面的算术平均粗糙度与表面以及磁头的摩擦系数的关系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，在基板上以规定的凹凸图案形成记录层，其特征在于，在上述凹凸图案的凹部中填充非磁性材料，形成表面与上述凹凸图案不同的凹凸形状，并且，该表面的凹凸形状的算术平均粗糙度被限制在１ｎｍ或１ｎｍ以下。

【技术特征摘要】
JP 2004-2-23 2004-0469271.一种磁记录介质，在基板上以规定的凹凸图案形成记录层，其特征在于，在上述凹凸图案的凹部中填充非磁性材料，形成表面与上述凹凸图案不同的凹凸形状，并且，该表面的凹凸形状的算术平均粗糙度被限制在1nm或1nm以下。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录层的凹凸图案的算术平均粗糙度大于1nm。3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录层的凹凸图案包含有周期性的图案，上述表面的凹凸形状与上述记录层的凹凸图案的周期不对应。4.根据权利要求1或2所述的磁记...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，高井充，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]