一种磁记录再生装置，包括：具有以规定的凹凸图形形成记录层，把记录要素作为凹凸图形的凸部形成，使面记录密度高且磁头的撞坏不容易发生而可靠性高的磁记录介质，上述磁记录介质（１２）包括：在基板上以规定的凹凸图形形成，以该凹凸图形的凸部形成记录要素（２４Ａ）的记录层（２４）、和充填在记录要素（２４）之间的凹部上的非磁性的充填要素（２８），充填要素（２８）的上面在基板（２２）侧形成为部分地凹下的形状，在表面（３２）上形成宽度比凹部（２６）的宽度窄的沟部（３０）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以规定的凹凸图形形成记录层且记录要素的作为凹凸图形的凸部形成的磁记录介质以及包括该磁记录介质的磁记录再生装置。
技术介绍
以前，硬盘等磁记录介质随着构成记录层的磁性粒子的微细化、材料的变更，磁头加工的微细化等改进而面记录密度已显著提高，今后仍期待面记录密度进一步提高，但因磁头的加工极限、磁头的记录磁场的展宽引起的相邻的磁道上的记录、再生时的交调干扰等问题变得严重，使利用以前的改良技术提高面记录密度已经达到极限。与此相应，作为能实现进一步提高面记录密度的磁记录介质的候补，有人建议以规定的凹凸图形形成记录层，且以凹凸图形的凸部形成的分立式的磁道介质和形成图形的介质(参照例如特开平9-97419号公报)。另外，显示出在面记录密度越高、磁头与磁记录介质的磁隙越小、分立式磁道介质和形成图形的介质那样的200Gbpsi以上的面记录密度的磁记录介质的场合，把磁隙设定为15nm以下的方针。另外，在硬盘等磁记录介质中，为了阻止磁头的撞坏而重视表面的平坦性，在面记录密度越高、磁头与磁记录介质的磁隙越小的分立式磁道的介质和形成图形的介质的场合，表面的平坦性是特别重要的。为此，优选的是用非磁性的充填要素充填记录要素间的凹部，并使记录要素和充填要素的上面平坦化。作为用充填要素充填凹部的方法，可以利用溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、IBD(Ion Beam Deposition)法等。另外作为平坦化的方法，可以用CMP(Chemical MechanicalPolishing)法和干蚀刻等加工方法。(参照例如特开平12-195042号公报，特表平14-515647号公报)。另外，如果表面过度地平坦，则磁头容易吸附在磁记录介质的表面上，反倒容易发生磁头的撞坏。与此相反，以前是通过在基板的表面上进行织构处理，并在其上面顺次成膜记录层等来在表面上形成仿照基板的织构处理的图形的微细的凹凸，防止因吸附引起的磁头的撞坏。另外，在分立式的磁道介质和形成图形介质的场合设置记录要素的上面与充填要素的上面的阶梯的结构也是公知的(参照例如特开平1-279421号公报)也可以考虑由该阶梯附予织构效果这样的方法。然而，用在基板上进行织构处理的方法在表面上形成凹凸时，表面变成100nm～2μm程度的周期的波纹状的畸变的形状。磁头跟踪100nm～2μm程度的周期的波纹状的畸变的运行是困难的，该波纹状的畸变按其原样变为磁隙的变动。虽然在磁隙为25nm以下的世代中，这样的磁隙的变动在实用上不会有问题，但一旦磁隙变成15nm以下，这样的磁隙的变动在实用上有不能允许的影响。另外，即使在基板的表面上进行织构处理，用充填要素充填记录要素之间，使记录要素和充填要素的上面平坦化的场合，因为除去仿照基板的织构处理的微细的凹凸，存在用该方法在表面上形成所希望的凹凸这件事本身是困难的这样的问题。另外，因为在设置记录要素的上面与充填要素的上面的阶梯差的方法的场合，磁头与磁记录介质的表面之间的空气膜刚性过小，磁头的浮起变得不稳定，所以因外部干扰而容易使磁头浮起的高度变动大。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题提出的，目的是提供以规定的凹凸图形形成记录层，记录要素作为凹凸图形的凸部形成而使面记录密度高，且磁头不容易被撞坏且可靠性高的磁记录介质和具有这样的磁记录介质的磁记录再生装置。本专利技术通过将充填要素的上面的基板侧部分地形成为凹下的形状，在表面上形成宽度比充填要素充填的凹部的宽度小的沟表面来达到上述目的。在想起本专利技术的过程中，专利技术人当初曾尝试通过在表面上形成非磁性材料的突起防止因吸附引起磁头的撞坏，然而存在磁隙随着突起的变大而变大，使记录/再生特性劣化的这样的问题，因此本专利技术人又重新认真研究，直到完成上述的专利技术。通过将充填要素的上面形成为向基板侧部分地凹下的形状，在表面上形成沟部，可以使记录要素的上面与磁头之间的空间保持得小，同时防止因吸附引起磁头的撞坏。另外，因为沟部的宽度比充填要素充填的凹部的宽度小，所以可以使与磁头之间的空气膜获得充分的刚性，可以阻止磁头的浮起高度的变动。另外，通过将充填要素的上面形成为向基板侧部分地凹下的形状来形成沟部，由于形成沟部不需要加工记录要素的上面，所以可以获得良好的磁特性。即，通过下述的本专利技术，可以达到上述的目的。(1)一种磁记录介质，其特征在于包括在基板的上面以规定的凹凸图形形成并把记录要素作为该凹凸图形的凸部形成的记录层、和充填在上述记录要素之间的凹部的非磁性充填要素；该充填要素的上面在上述基板侧形成为部分地凹下的形状，在表面上形成宽度比上述凹部的宽度窄的沟部。(2)如(1)所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部沿着上述记录要素与上述充填要素的边界形成。(3)如(1)或(2)所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部具有向离开上述基板的方向扩宽的断面形状。(4)如(1)至(3)中任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部的深度是0.1～4nm。(5)如(1)至(4)中任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述表面的上述记录要素的上面部分与上述充填要素的上面部分的阶梯差是0～2nm。(6)一种磁记录再生装置，其特征在于包括(1)至(5)中任何一项所述的磁记录介质、和为了对该磁记录介质进行数据的记录/再生而以接近该磁记录介质的表面并能浮起的方式设置的磁头。另外，在本说明书中，所谓“在基板上以规定的凹凸图形形成并以该凹凸图形的凸部形成记录要素的记录层”的含义是指除包含将连续记录层以规定的图形分割成多个记录要素的记录层外，还包含将连续记录层以规定的图形部分地分割并以一部分连续的记录层构成记录层，或例如像螺旋状的涡卷形状的记录层那样在基板上的一部分上连续形成的记录层、和形成有凸部和凹部两者的连续的记录层。另外，在本说明书中所谓“充填要素的上面”的含意是指充填要素上的与基板相反侧的那面，就“记录要素的上面”的含意也相同。在本说明书中所谓“沟部的宽度”的含意是指如图18中用符号wg所示那样与磁记录体10的表面110上的沟部100相邻的充填要素104的上面部分或从记录要素106A的上面部分中低的一方(靠近基板102的一方)到沟部100的底的厚度方向的长度的一半的位置上的宽度。另外，在本说明书中，所谓“凹部的宽度”的含意是指如图18中用符号wr所示那样在凹部112的深度一半的位置上的宽度。在本说明书中，所谓“沟部深度”的含意是指例如像在图18中的符号Dg表示的那样，在与磁记录介质108的表面110上的沟部100相邻接的充填要素104的上面部分或从记录要素106A的上面部分中高的方向(离开基板102的方向)到沟部100的底的厚度方向的长度。另外在图18中，为了说明“沟部的深度”的含意，而为了方便起见将表面110上的记录要素106A的上面部分比充填要素104的上面部分高的场合和充填要素104的上面部分比记录要素106A的上面部分高的场合示在一个图中。另外，在本说明书中，所谓“表面上的记录要素的上面部分”含意是指例如如图18中用符号A所示那样，位于与在磁记录介质108的表面110上的记录要素106A的基板102相反侧的部分中最高的部分(距基板102最远的部分)。同样，所谓“在表面的充填要素的上面部分”的含意是指例如图本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于：包括在基板的上面以规定的凹凸图形形成并把记录要素作为该凹凸图形的凸部形成的记录层、和充填在上述记录要素之间的凹部的非磁性的充填要素；该充填要素的上面在上述基板侧形成为部分地凹下的形状，在表面上形成宽度比上述凹部的宽度窄的沟部。
【技术特征摘要】
JP 2004-8-3 2004-2271911.一种磁记录介质，其特征在于包括在基板的上面以规定的凹凸图形形成并把记录要素作为该凹凸图形的凸部形成的记录层、和充填在上述记录要素之间的凹部的非磁性的充填要素；该充填要素的上面在上述基板侧形成为部分地凹下的形状，在表面上形成宽度比上述凹部的宽度窄的沟部。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部沿着上述记录要素与上述充填要素的边界形成。3.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部具有向离开上述基板的方向扩宽的断面形状。4.如权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部具有向离开上述基板的方向扩宽的断面形状。5.如权利要求1至4中任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述沟部的深度是0.1～4nm。6.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：诹访孝裕，岛川和也，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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