使用颗粒隔离型膜作为垫层的磁记录介质、其制造方法及利用其的磁记录/再现装置制造方法及图纸

一种具有磁记录层的磁记录介质，该磁记录层由具有改善取向性的精细晶粒制成。在非磁性基片１上依次形成软磁性层３、籽晶层４、垫层５和磁记录层７，其中籽晶层４由包含Ｎｉ的材料制成，垫层５具有颗粒隔离型结构，在该结构中由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且该非磁性阵列由包含Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的材料制成。具有这种结构，改善了垫层５在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征，从而改善了在垫层上所形成的磁记录层７在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征。因此，改善了介质噪声和矫顽力，从而可以进行高密度记录。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
为了增加磁记录介质的记录密度，重要的是，形成精细的晶粒且降低介质噪声，而不干扰磁记录层的各向异性。过去，已经使用各种垫层(under layer)和籽晶层来在磁记录层上形成精细的晶粒。例如，使用一种磁记录介质，包括由Ti或Ta制成的籽晶层，在籽晶层上形成具有这样的结构的垫层，在所述结构中，由氧化物或氮化物分开六角形紧密堆积的结构(hcp)或面心立方结构(fcc)的晶粒，并在其上层叠中间层和磁记录层。在这种磁记录介质中，使组成磁记录层的晶粒精细且彼此隔开(参考例如专利文献1)。还提出一种结构，其中提供一个非磁性中间层，其具有由氧化物或碳化物隔离晶粒的结构，并且在其上形成磁性层，从而改善了矫顽力，并降低了噪声(参考例如专利文献2)。根据上述的现有技术，通过提供具有其中使晶粒精细且使用氧化物或类似物隔离所述晶粒的结构的垫层，使得在磁记录层中所包括的晶粒精细并且彼此隔离，因而相对于使用不具有这种结构的垫层的常规装置而言，改善了记录和再现特征。还提出在垫层下面提供籽晶层，以便改善垫层的取向性，从而也改善磁性层的取向性，并改善介质的记录和再现特征。然而，在现有技术中存在这样的问题，很难同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，包括：在非磁性基片上依次层叠的软磁性层、籽晶层、垫层和磁记录层，其中所述籽晶层由包含Ｎｉ的材料制成；以及所述垫层具有颗粒隔离型结构，在所述结构中，由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且所述非磁性阵列 由包含Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的材料制成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-7-14 196559/2003;US 2003-7-24 60/489,4871.一种磁记录介质，包括在非磁性基片上依次层叠的软磁性层、籽晶层、垫层和磁记录层，其中所述籽晶层由包含Ni的材料制成；以及所述垫层具有颗粒隔离型结构，在所述结构中，由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且所述非磁性阵列由包含Y2O3的材料制成。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述颗粒由包含选自于Pt、Pd、Ru和Rh中的至少一种元素的非磁性材料制成。3.一种磁记录介质，包括在非磁性基片上依次层叠的软磁性层、籽晶层、垫层和磁记录层，其中所述籽晶层由包含Ni的材料制成；以及所述垫层具有颗粒隔离型结构，在该结构中由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且所述非磁性阵列由包含选自于金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、半导体氧化物、半导体氮化物和半导体碳化物中的至少一种的材料制成，并且所述颗粒由包含选自于Au、Ag和Cu中的至少一种元素的材料制成。4.如权利要求3所述的磁记录介质，其中所述非磁性阵列是包含选自于SiO2、Y2O3、Cr2O3、Al2O3和Ta2O5中的至少一种的材料。5.如权利要求1所述的磁记录介质，其中由包含Ru的材料制成的第二垫层被提供在所述垫层和所述磁记录层之间。6.如权利要求3所述的磁记录介质，其中由包含Ru的材料制成的第二垫层被提供在所述垫层和所述磁记录层之间。7.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述籽晶层包含选自于Fe、Co、Cr、V、Mo、Nb、Zr、W、Ta、B和C中的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村太，及川壮一，岩崎刚之，前田知幸，清水谦治，酒井浩志，
申请(专利权)人：株式会社东芝，昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]