薄膜磁头及其制造方法技术

提供一种薄膜磁头及其制造方法，在良好地维持低浮起量的同时，在记录再现操作时可防止元件构造部和记录介质的接触，提高磁头可靠性，能够应对高记录密度化。该薄膜磁头是具有滑块和薄膜磁头元件构造部的浮起式薄膜磁头，该滑块接受在旋转的记录介质表面产生的空气流后，从该记录介质表面浮起，该薄膜磁头元件构造部形成在该滑块的空气流出端面上；在该滑块的记录介质相对面的背面的空气流出端附近设置了热塑变形部，该热塑变形部使该薄膜磁头元件构造部局部地比该滑块的记录介质相对面更离开该记录介质表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及浮起式。
技术介绍
浮起式薄膜磁头具备组装了磁阻效应元件和感应元件等的滑块、由将该滑块粘接固定在自由端部的可挠性金属薄片构成的挠性构件、以及固定了该挠性构件的负载梁，当记录介质正在停止时，通过负载梁的弹性力使滑块的下面与记录介质表面接触，当记录介质开始移动时，沿着该记录介质的移动方向在滑块和记录介质表面之间导入空气流，受到该空气流引起的浮起力的作用，滑块从记录介质表面浮起。薄膜磁头保持着该浮起姿势进行再现记录动作。在滑块的空气流出端面，层叠形成有再现元件部，具备电阻随外部磁场的强度而变化的磁阻效应元件及向该磁阻效应元件通电的电极层的电极层；记录元件部，具备在从与记录介质相对置的相对面(下面称为“介质相对面”。)后退的位置磁性连接且夹着磁隙层层叠的下部磁心层、上部磁心层、以及向该上下的磁心层提供记录磁场的线圈层。该再现元件部及记录元件部通常被例如由Al2O3等绝缘材料构成的保护层覆盖。薄膜磁头通过检测出通电的磁阻效应元件的电阻变化进行再现动作，对线圈层供电，在下部磁心层和上部磁心层产生感应磁场，将来自磁隙层的漏磁场作为记录磁场供给记录介质，由此进行记录动作。在薄膜磁头的记录再现动作中，流过磁阻效应元件的电流使再现元件部的温度上升，流过线圈层的电流使该线圈层发热，导致记录元件部的温度上升。如上所述，再现元件部及记录元件部被由绝缘材料构成的保护层覆盖，因此，这些元件部的热量不容易向外部排散，元件部成为高温。该元件部的温度上升使包含再现元件部、记录元件部及保护层的薄膜磁头元件构造部全体热膨胀，导致从介质相对面突出。以往，为了避免薄膜磁头与记录介质的接触，采用了倾斜研磨薄膜磁头元件构造部，或者在薄膜磁头元件构造部的顶端设置缺口等各种对策。专利文献1日本特开平10-49822号公报专利文献2日本特开平11-328643号公报但是，近年来，为了应对记录介质的进一步的高记录密度化，要求将薄膜磁头的浮起量(再现元件部及记录元件部与记录介质表面的间隔)设定为15nm以下。当如此地浮起量变为非常小时，很难防止因热膨胀从介质相对面突出的元件构造部与记录介质的抵接，导致损伤记录介质或记录在记录介质中的磁信息、或损伤元件构造部自身的危险性进一步增加。而且，为了实现高记录密度而提供给磁阻效应元件及线圈层的电流的频率也增加，尤其是记录元件部的温度超过100℃的情况较多，元件构造部全体的突出量很大。在研磨薄膜磁头的元件构造部或者在元件构造部设置缺口部的以往对策中，由于成为目标的薄膜磁头的浮起量很小，所以研磨误差或缺口的形成误差对浮起量的影响很大，个体间的偏差变大而难以控制。也考虑增大付与滑块的介质相对面的凸面来防止元件构造部和记录介质接触的方法，但是，如果增大凸面的付与量，则磁头的浮起特性将会改变，因此不是所希望的。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而提出，其目的在于提供一种，在良好地维持低浮起量的同时，在记录再现动作时防止元件构造部和记录介质的接触，提高磁头可靠性，能够应对高记录密度化。本专利技术着眼于以下
技术实现思路
如果仅使在滑块的空气流出端面上形成的薄膜磁头元件构造部局部地且以较大距离离开记录介质表面，则可以将其浮起量抑制在15nm以下，同时可以防止薄膜磁头元件构造部和记录介质的接触；并且，作为使薄膜磁头元件构造部离开记录介质表面方法，可以利用滑块的热塑性变形，为了尽量不改变滑块形状，最佳的是使对滑块的热能供给位置尽可能地接近空气流出端。即，本专利技术的薄膜磁头是具有滑块和薄膜磁头元件构造部的浮起式薄膜磁头，上述滑块接受在旋转的记录介质表面产生的空气流后，从该记录介质表面浮起，上述薄膜磁头元件构造部形成在该滑块的空气流出端面上；在上述滑块的记录介质相对面的背面的空气流出端附近设置了热塑变形部，上述热塑变形部使上述薄膜磁头元件构造部局部地比上述滑块的记录介质相对面更离开上述记录介质表面。而且，本专利技术的薄膜磁头的制造方法，包括以下步骤在滑块的空气流出端面上形成薄膜磁头元件构造部的步骤，上述滑块接受在旋转的记录介质的表面产生的空气流后，从该记录介质表面浮起；通过在上述滑块的记录介质相对面的背面的空气流出端附近，供给来自热源的热能量，形成使上述薄膜磁头元件构造部局部地比上述滑块的记录介质相对面更离开上述记录介质表面的热塑变形部的步骤。在上述方法中，根据供给到上述滑块的空气流出端附近的热能量，调整使上述薄膜磁头元件构造部比上述滑块的介质相对面更离开记录介质表面离间的距离间隔。希望将该距离间隔设定成，在薄膜磁头元件构造部因通电而热膨胀时，能够得到成为目标的浮起量(从记录介质表面到薄膜磁头元件的距离)。热源可以使用固体激光器、CO2激光器、准分子激光器或光纤维激光器。作为热源使用激光器时，希望通过激光照射位置、激光功率、激光照射时间及激光照射次数中的某一个或它们的组合，来控制供给到上述滑块的空气流出端附近的热能量。通过将由该激光照射位置、激光功率、激光照射时间及激光照射次数构成的激光照射条件设定成固定，可以在多个薄膜磁头中容易地形成相同的热塑变形部，能够抑制各个个体的偏差。希望热塑变形部是与滑块的空气流出端面平行地形成的一个或多个线条部。根据本专利技术，能够得到一种，在良好地维持低浮起量的同时，在记录再现动作时防止元件构造部和记录介质的接触，提高磁头可靠性，可应对高记录密度化。附图说明图1是本专利技术涉及的薄膜磁头的整体俯视图。图2是将图1的浮起式滑块及薄膜磁头元件构造部放大表示的立体图。图3是在元件中央将薄膜磁头元件构造部的层叠结构切断表示的截面图。图4是说明滑块的介质相对面的背面的激光照射部位熔融后再凝固时发生的收缩应力引起滑块翘曲的样子的模式图。图5是将热塑变形部形成前后的、滑块的介质相对面的形状变化进行比较表示的形状剖面图(第一实施例)。图6是将热塑变形部的形成前后的、滑块的介质相对面的形状变化进行比较表示的形状剖面图(第二实施例)。具体实施例方式图1是本专利技术涉及的薄膜磁头的整体俯视图。薄膜磁头具备由Al2O3-TiC构成的大致长方体的浮起式滑块1；由将该滑块1粘接固定在自由端部的可挠性金属薄片构成的挠性构件30；固定了该挠性构件30的负载梁40。当记录介质正在停止时，成为通过负载梁40的弹性力使滑块1的下面(介质相对面)与记录介质表面接触的状态。对于此结构，当记录介质开始移动时，沿着该记录介质的移动方向在滑块1和记录介质表面之间导入空气流，受到该空气流引起的浮起力的作用，滑块1从记录介质表面浮起，保持着该浮起姿势进行再现记录动作。在滑块1的介质相对面，付与了弯曲形状(凸面、斜凸面)。如图2所示，该薄膜磁头是具有在浮起式滑块1的空气流出端面1a形成了薄膜状的薄膜磁头元件构造部H(包括再现元件部R、记录元件部W及绝缘保护层20)的记录再现用的薄膜磁头。图3是在元件中央将薄膜磁头元件构造部H的层叠结构切断表示的截面图。在图3中，X方向、Y方向及Z方向，分别定义为磁道宽度方向、深度方向(高度方向)及构成薄膜磁头元件构造部H的各层的层叠方向。再现元件部R包括从内涂层依次层叠的下部保护层3、下部间隙层4、磁阻效应元件5、上部间隙层8及上部保护层9。下部保护层3及上部保护层9由NiFe等的软磁性材料构成，下部间隙层4及上部间隙层8由Al2O3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜磁头，其特征在于，上述薄膜磁头是具有滑块和薄膜磁头元件构造部的浮起式薄膜磁头，上述滑块接受在旋转的记录介质表面产生的空气流后，从该记录介质表面浮起，上述薄膜磁头元件构造部形成在该滑块的空气流出端面上；在上述滑块的记录 介质相对面的背面的空气流出端附近设置了热塑变形部，上述热塑变形部使上述薄膜磁头元件构造部的局部比上述滑块的记录介质相对面更离开上述记录介质表面。

【技术特征摘要】
JP 2005-7-26 215863/20051.一种薄膜磁头，其特征在于，上述薄膜磁头是具有滑块和薄膜磁头元件构造部的浮起式薄膜磁头，上述滑块接受在旋转的记录介质表面产生的空气流后，从该记录介质表面浮起，上述薄膜磁头元件构造部形成在该滑块的空气流出端面上；在上述滑块的记录介质相对面的背面的空气流出端附近设置了热塑变形部，上述热塑变形部使上述薄膜磁头元件构造部的局部比上述滑块的记录介质相对面更离开上述记录介质表面。2.如权利要求1所述的薄膜磁头，其特征在于，上述热塑变形部是与上述滑块的空气流出端面平行地形成的一根或多根线条部。3.一种薄膜磁头的制造方法，其特征在于，包括以下步骤在滑块的空气流出端面上形成薄膜磁头元件构造部的步骤，上述滑块接受在旋转的记录介质的表面产生的空气流后，从...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤公宣，佐藤明广，小林弘之，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]