具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置具有支石墓结构，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，且支撑片由热固性树脂组合物的固化物形成、或者包括由热固性树脂组合物的固化物形成的层、以及树脂层或金属层。以及树脂层或金属层。以及树脂层或金属层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种具有支石墓结构的半导体装置，该半导体装置包括：基板；第一芯片，配置在基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑并且配置成覆盖第一芯片。并且，本专利技术涉及一种具有支石墓结构的半导体装置的制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法。另外，支石墓(dolmen)是石墓的一种，具备多个支柱石及载置在其上的板状的岩石。在具有支石墓结构的半导体装置中，支撑片相当于“支柱石”，第二芯片相当于“板状的岩石”。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体装置的领域，要求高集成、小型化以及高速化。作为半导体装置的一方式，在配置于基板上的控制器芯片上层叠半导体芯片的结构受到关注。例如专利文献1公开了一种半导体晶粒组件，该半导体晶粒组件包括控制器晶粒、以及在控制器晶粒上由支撑部件支撑的存储器晶粒。专利文献1的图1A所示的半导体组件100可谓是具有支石墓结构。即，半导体组件100包括封装基板102、配置在封装基板102表面上的控制器晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其为制造具有支石墓结构的半导体装置的方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述半导体装置的制造方法包括：(A)准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(B)通过将所述支撑片形成用膜单片化，而在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；(C)从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序；(D)在基板上配置第一芯片的工序；(E)在所述基板上且所述第一芯片的周围或应配置所述第一芯片的区域的周围，配置多个所述支撑片的工序；(F)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片；以及(G)通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带黏合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序，所述支撑片形成用膜为由热固性树脂层形成的膜、或为由使热固性树脂层中的至少一部分固化而成的层形成的膜、或者为包括热固性树脂层、以及比所述热固性树脂层具有更高刚性的树脂层或金属层的多层膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述压敏胶黏层为紫外线固化型，所述半导体装置的制造方法在(B)工序与(C)工序之间，包括对所述压敏胶黏层照射紫外线的工序。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其在(G)工序之前，包括对所述支撑片形成用膜或所述支撑片进行加热的工序。4.一种半导体装置，其具有支石墓结构，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片由热固性树脂组合物的固化物形成，或者包括由热固性树脂组合物的固化物形成的层、以及树脂层或金属层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一芯片与所述第二芯片分离。6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其进一步包括黏合剂片，所述黏合剂片设置在所述第二芯片的一个面上并且被所述第二芯片与所述多个支撑片夹持。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一芯片与所述黏合剂片分离。8.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其进一步包括黏合剂片，所述黏合剂片以至少覆盖所述第二芯片中的与所述第一芯片相对的区域的方式设置，
所述第一芯片与所述黏合剂片分离。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述黏合剂片从所述第二芯片的所述区域连续地延伸至所述第二芯片的周缘侧，并且被所述第二芯片与所述多个支撑片夹持。10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一芯片与所述黏合剂片接触。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述黏合剂片覆盖所述第二芯片中的与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢羽田达也，谷口纮平，桥本慎太郎，尾崎義信，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：