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具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法制造方法及图纸
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下载具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法的技术资料
文档序号:30533140
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本发明的半导体装置具有支石墓结构,所述半导体装置包括:基板;第一芯片,配置于基板上;多个支撑片,配置于基板上且第一芯片的周围;以及第二芯片,由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片,且支撑片由热固性树脂组合物的固化物形成、或者包括由热固性树脂组...
该专利属于昭和电工材料株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过昭和电工材料株式会社授权不得商用。
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