一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，所述方法包括： 将奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域被用来存储数据的方向设置为相反方向。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可记录的信息存储介质，更具体地讲，涉及这样一种信息存储介质，其将在OPC区域中执行的最优功率控制(OPC)处理对其它信息存储层的影响最小化，所述的OPC区域被包括在该信息存储介质的信息存储层的每个中。
技术介绍
一般的信息存储介质被广泛地用作用于以非接触方式记录/再现数据的光学拾取设备的信息记录介质。光盘被用作信息存储介质并根据它们的信息存储容量分为压缩盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。可记录、可擦除和可再现的光盘的例子是650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW等。此外，具有25GB或更大的记录容量的高密度DVD(HD-DVD)正在研究之中。如上所述，信息存储介质已经发展以具有较大的记录容量。可以以两种代表性的方法来增加信息存储介质的记录容量，这两种方法为1)降低从光源射出的记录光束的波长；和2)增加物镜的数值孔径。此外，还有形成多个信息存储层的方法。图1A和1B示意性地示出具有第一和第二信息存储层L0和L1的双层信息存储介质。第一和第二信息存储层L0和L1分别包括分别用于获得最优写功率的第一和第二最优功率控制(OPC)区域111和121、以及第一和第二缺陷管理区域(DMA)115和125。第一和第二OPC区域111和121彼此面对(即，相对于信息存储介质的内侧和外侧边界以共同半径而设置)。使用各种级别的写功率将数据记录在第一和第二OPC区域111和121中以查找最优写功率。于是，可以采用比最优写功率的级别要高的功率来记录数据。表1示出当采用不同级别的写功率将数据记录在OPC区域111和121中时的第一和第二信息存储层L0和L1中的每个的抖动特性的变化。表1 根据表1，如果采用正常写功率记录数据，则第一和第二信息存储层L0或L1的抖动特性保持恒定。另一方面，如果采用比正常写功率大20％的写功率记录数据，则数据已经被记录其中的第一或第二信息存储层L0或L1的OPC区域的抖动特性被降低。如果采用比正常写功率大20％的写功率将数据记录在第一和第二信息存储层之一上，则可以期待其它信息存储层的抖动特性还可被进一步降低。于是，如果第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二OPC区域111和121存在于如图1A和1B示出的相同半径内，则它们之一可不被使用。第一和第二OPC区域111和121之一的记录状态可以影响其它OPC区域的记录特性。例如，如图1B所示，如果数据已经被记录在第一OPC区域111的部分111a上并且没有数据已经记录在第一OPC区域111的部分111b上，则与第一OPC区域111的已用部分111a相应的第二OPC区域121的一部分的记录性能与相应于第一OPC区域111的未用部分111b的第二OPC区域121的一部分的记录性能不同。换言之，由于激光对第一OPC区域111的已用部分111a的透射率与激光对第一OPC区域111的未用部分111b的透射率不同，所以第二OPC区域121的记录性能在该区域上是不规则的。如上所述，如果第一和第二OPC区域位于相同半径内，则它们可能不正确地工作。
技术实现思路
本专利技术提供一种信息存储介质，其将在OPC区域中执行的最优功率控制(OPC)处理对其它信息存储层的影响最小化，所述的OPC区域被包括在信息存储层的每个中；一种将信息存储介质的OPC区域之间的干扰最小化的方法；以及一种记录和/或再现设备，用于将信息存储介质的OPC区域之间的干扰最小化。根据本专利技术的一方面，提供了一种信息存储介质，包括多个信息存储层，其中的每个包括获得最优记录条件的最优功率控制区域，其中，在奇数和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，保留区域与最优功率控制区域相邻而置。根据本专利技术的另一方面，提供了一种信息存储介质，包括多个信息存储层，其中的每个包括获得最优记录条件的最优功率控制区域，其中，在奇数和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被重叠设置，从而每个最优功率控制区域彼此部分重叠。根据本专利技术的另一方面，提供了一种信息存储介质，包括多个信息存储层，其中的每个包括获得最优记录条件的最优功率控制区域，其中，从光入射在信息存储介质上的方向观看的在奇数和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的相同半径内，并且奇数和偶数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向是相反的。根据本专利技术的另一方面，提供了一种将信息存储介质的第一信息存储层中的第一最优功率控制区域与第二信息存储层的第二最优功率控制区域之间的干扰最小化的方法，包括设置第一和第二最优功率控制区域使得每个最优功率控制区域与另一个最优功率控制区域部分重叠；以及以相反的方向记录第一最优功率控制区域和第二最优功率控制区域以最小化干扰。在该方法中，第一和第二最优功率控制区域的记录包括将第一最优功率控制区域记录在与第二最优功率控制区域的第一未用部分相应的第一部分；以及将第二最优功率控制区域记录在与第二最优功率控制区域的第二未用部分相应的第二部分。根据本专利技术的另一方面，提供了一种记录和/或再现设备，包括光学拾取器，其以光学功率将数据记录在信息存储介质的表面上或从信息存储介质的表面读取数据；以及控制器，其控制光学拾取器以记录和/或再现在信息存储介质的表面上的数据以及在记录期间确定用于设置光学功率的最优记录功率，其中，所述的信息存储介质包括第一信息存储层和第二信息存储层，所述的第一信息存储层包括第一最优功率控制区域和第一限制使用区域，所述的第二信息存储层包括第二最优功率控制区域和第二限制使用区域，以上所述的第一和第二信息存储层以这样方式被布置，即第一最优功率控制区域与第二限制使用区域和第二最优功率控制区域部分重叠，第二最优功率控制区域与第一限制使用区域和第一最优功率控制区域部分重叠，控制器根据由光学拾取器记录和/或再现的数据在与第一和第二最优功率控制区域中的一个的未用部分相应的第一和第二最优功率控制区域中的另一个的一部分中确定最优记录功率。在该设备中，第一和第二最优功率控制区域可以相反方向由控制器记录。将在接下来的描述中部分阐述本专利技术另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本专利技术的实施而得知。附图说明通过以下对照附图详细描述本专利技术的实施例，本专利技术的以上和/或其它方面和优点将会变得更加清楚，其中图1A和1B是示出在传统双层信息存储介质中OPC区域对非该OPC区域的区域的影响的视图；图2示出根据本专利技术实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图3A和3B示出一种情况，在该情况下，数据以相同方向被记录在图2的信息存储介质的第一和第二信息存储层中；图4A和4B示出一种情况，在该情况下，数据以不同方向被记录在图2的信息存储介质的第一和第二信息存储层中；图5A和5B示出根据本专利技术的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局； 图6示出根据本专利技术的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图7示出根据本专利技术的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图8示出根据本专利技术的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图9示出根据本专利技术的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图10是根据本专利技术实施例的用于将信息记录到信息存储介质或从信息存储介质再现信息的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，所述方法包括：将奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域被用来存储数据的方向设置为相反方向。
【技术特征摘要】
1.一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，所述方法包括将奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域被用来存储数据的方向设置为相反方向。2.如权利要求1所述的方法，其中，奇数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从内侧边界到外侧边界，偶数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从外侧边界到内侧边界。3.如权利要求1所述的方法，其中，奇数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从外侧边界到内侧边界，偶数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从内侧边界到外侧边界。4.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李坰根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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