光信息记录介质及其制作方法技术

技术编号:3052067 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种既能达到高密度记录,同时又能减少漏入到相邻磁道的信号(串音)的光信息记录介质。本发明专利技术的光信息记录介质含有具有预刻沟槽的第1基板以及在第1基板上按顺序设置的底层、色素记录层和反射层以及在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板,该光信息记录介质的预刻沟槽的磁道间距为0.1~0.6μm,沟槽深度为20~200nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可以高密度记录的光信息记录介质。
技术介绍
过去以来,为了记录·再现大量的文字信息、图象信息、声音信息等,人们提出了可利用激光仅记录一次信息的、被称为追写型数字多用途光盘デジタル·ヴアサタイル·デイスク(所谓DVD-R)的光盘。该DVD-R具有这样一种结构在透明的圆盘状基板上设置由色素构成的色素记录层、通常在该色素记录层之上的光反射层、进而根据需要的保护层,将两张这样形成的盘片贴合在一起的结构;或者具有这样一种结构以该色素记录层为内侧,用粘接剂将该盘片和具有与该盘片相同形状的圆盘状保护基板贴合而成的结构。上述圆盘状基板具有用于引导被照射的激光的导向沟(预刻沟槽(pre-groove)),预刻沟槽的磁道间距比CD-R预刻沟槽磁道间距窄一半以下(0.74~0.8μm)。信息在DVD-R上的记录再现,通过照射可见激光(通常为630~680nm范围波长的激光)来进行,从而可以进行较之CD-R更高密度的记录。另外,自从开始播放数字高保真电视Digital Hi-Vision以来,人们期待图象数据量有进一步的增加。由于图象数据量的增加,要求光信息记录介质能够达到高容量、高数据传输速度。在家庭中将数字高保真电视播放录像的场合,可以预测,即便是上述的DVD±R也感到容量不足,因此人们要求开发第二代的DVD。作为其一例,有人提出具有与该DVD±R大致相同构成的追记型HD-DVD的方案。被称为HD-DVD的光信息记录介质的基板,包含具有比DVD-R更窄的磁道间距(0.3~0.5μm)的预刻沟槽,可以进行高密度记录。另外,HD-DVD也可以使用波长400~500nm的青紫色半导体激光来进行记录再现。这样,对于具有小磁道间距的光信息记录介质,可进行高密度记录,但漏入到相邻的磁道的信号增大,也就是串音变大,这是存在的问题。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述的以往问题而进行的。本专利技术的目的之一在于,提供一种既能达到高密度记录,同时又能够减少漏入到相邻磁道的信号(串音)的光信息记录介质。本专利技术的光信息记录介质具备具有预刻沟槽的第1基板;在第1基板上按顺序形成的底层(下引き层)、色素记录层和反射层;在该反射层上通过粘接层或粘合层而贴合在一起的第2基板,上述预刻沟槽具有0.1~0.6μm的磁道间距和20~200nm的沟槽深度。由于这种光信息记录介质具有上述的预刻沟槽,因此可以进行高密度记录。另外,由于在色素记录层与基板之间具有底层,因此,通过激光照射来形成记录坑时余热扩散变得容易,其结果,可以减少漏入到相邻磁道的信号。另外,按照本专利技术,底层优选含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物、和Ta的氮化物中选出的1种化合物,更优选含有Nb的氧化物或者Ta的氮化物,进一步优选含有Nb的氧化物和/或Ta的氧化物的复合氧化物。构成底层的材料优选为Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-SiO2、或者Ta2O5-Al2O3。应予说明,按照本专利技术的光信息记录介质,其底层的厚度优选在1~200nm的范围内。本专利技术的光信息记录介质的制作方法包括在第1基板上按顺序形成底层、色素记录层和反射层;在该反射层上通过粘接层或粘合层将第2基板粘接;第1基板具有预刻沟槽,预刻沟槽的磁道间距为0.1~0.6μm,且沟槽深度为20~200nm。根据本专利技术,可以提供一种在既能达到高密度记录,同时又能够减少漏入到相邻磁道的信号(串音)的光信息记录介质。具体实施例方式本专利技术的光信息记录介质包括具有预刻沟槽的第1基板;在第1基板上按顺序形成的底层、色素记录层和反射层;在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板。上述预刻沟槽的磁道间距为0.1~0.6μm,上述预刻沟槽的沟槽深度为20~200nm。本专利技术的光信息记录介质的制作方法包括在第1基板上按顺序形成底层、色素记录层和反射层;在该反射层上通过粘接层或粘合层将第2基板粘接。第1基板具有预刻沟槽,预刻沟槽的磁道间距为0.1~0.6μm,且沟槽深度为20~200nm。本专利技术的光信息记录介质由于具有上述的预刻沟槽,因此,在本专利技术的光信息记录介质上可以进行高密度记录。另外,由于在色素记录层与基板之间存在底层,因此,通过激光照射来形成记录坑时的余热容易扩散,因此,具有可以减少漏入到相邻磁道的信号的优良效果。下面说明本专利技术的光信息记录介质的各构成要素。本专利技术的光信息记录介质的第1基板的材料,可以从以往作为光盘基板使用的各种材料中任意选择。基板材料的例子包括玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等的丙烯酸树脂、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系树脂、环氧树脂、非晶态聚烯烃和聚酯等。也可以根据希望将多种基板材料合并使用。上述材料中,从耐湿性、尺寸稳定性和价格等观点考虑,优选聚碳酸酯。第1基板的厚度,优选为0.5~1.2mm,更优选为0.6~1.1mm。按照本专利技术,第1基板上所形成的预刻沟槽,从达到高密度记录的观点考虑,优选具有0.1~0.6μm的磁道间距和20~200nm的沟槽深度。磁道间距更优选在0.33~0.50μm的范围内。另外,沟槽深度优选在50~150nm的范围内,更优选在70~100nm的范围内。进而,在第1基板上形成的预刻沟槽的沟槽宽(半幅值)优选在100~300nm的范围内,更优选在120~250nm的范围内。此外,预刻沟槽的沟槽倾斜角度优选在20~80°的范围内,更优选在30~70°的范围内。在设置色素记录层的一侧基板表面(形成预刻沟槽的表面一侧)上,为了改善平面性、提高粘接力以及防止色素记录层变质,也可以设置下涂层。下涂层材料的例子包括聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸·甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯·马来酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羟甲基丙烯酰胺、苯乙烯·乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纤维素、聚氯乙烯、氯化聚烯烃、聚酯、聚酰亚胺、乙酸乙烯酯·氯乙烯共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等高分子物质;以及硅烷偶合剂等表面改质剂等。下涂层可以通过将下涂层的材料溶解或者分散于适当的溶剂中,配制成涂布液,然后采用旋转涂布法、浸涂法、挤出涂布法等涂布法将该涂布液涂布到基板表面上来形成。下涂层的层厚一般在0.005~20μm的范围内,优选在0.01~10μm的范围内。为了提高色素记录层的保存性以及为了调整导热率,本专利技术中的底层设置在基板与下述的色素记录层之间。底层中所使用的材料,可以是能够透过在记录和再现时所使用的激光的材料。底层中所使用的材料只要是能够透过激光,就没有特殊限制,例如,优选为气体或水分的透过性差的材料。具体地说,优选含有Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge、Nb、Ta等元素的氮化物、氧化物、碳化物或硫化物的材料。其中,从高湿·高温时的保存稳定性的观点考虑,优选含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。更优选含有Nb的氧化物和/或Ta的氧化物的复合氧化物。作为底层材料的优选具体例,含有ZnS、MoO2、GeO2、TeO、SiO2、TiO2、ZnO、ZnS-SiO2、SnO2、ZnO-Ga2O3、Nb2O5、Ta2O5、Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种光信息记录介质,具备:第1基板;在第1基板上按顺序形成的底层、色素记录层和反射层;以及在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板,其中,第1基板具有0.1~0.6μm的磁道间距以及20~200nm的沟槽深度的预刻沟槽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-10-18 303006/20041.一种光信息记录介质,具备第1基板;在第1基板上按顺序形成的底层、色素记录层和反射层;以及在该反射层上通过粘接层或者粘合层而贴合在一起的第2基板,其中,第1基板具有0.1~0.6μm的磁道间距以及20~200nm的沟槽深度的预刻沟槽。2.根据权利要求1中所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有从Nb的氧化物、Nb的氮化物、Ta的氧化物以及Ta的氮化物中选出的1种化合物。3.根据权利要求1或权利要求2所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有含Nb的氧化物和/或Ta的氧化物的复合氧化物。4.根据权利要求1~3任一项中所述的光信息记录介质,其中,上述底层中含有Nb2O5-SiO2、Nb2O5-Al2O3、Nb2O5-Ta2O5、Ta2O5-SiO2、或者Ta2O5-Al2O3。5.根据权利要求1~4任一项中所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:今井隆宇佐美由久片山和俊
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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