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一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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