高密度数据存储装置和利用该装置的数据记录或再现方法制造方法及图纸

一种高密度数据存储装置以及利用该装置的数据记录或再现方法，所述装置和方法能够在无接触的情况下记录或再现高密度数据，从而防止由于接触而造成的数据错误。所述高密度数据存储装置使用记录介质和探针。记录介质是由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的的薄膜；探针具有成形在其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质顶部间隔开的情况下移动。而且，通过电场或热量辐射实现数据的记录或再现，所述电场和热量辐射在探针的顶端产生，记录介质和探针之间无直接接触，从而能够消除起因于在记录介质和探针之间的接触的不稳定性，也能够没有错误地稳定地实现向／从记录介质的数据记录或再现。

【技术实现步骤摘要】

按照本专利技术的方法和设备，涉及一种高密度数据存储装置和一种使用该 装置的数据记录或再现方法，尤其涉及这样一种高密度数据存储装置和使用 该装置的数据记录或再现方法，所述装置可在无接触的情况下记录和再现高 密度数据，从而能够防止由于接触而造成的数据错误。现有技术随着国际互联网相关的技术的发展，对于能够记录包括电影的大容量信 息的记录介质以及能够自由传送和利用存储与记录介质中的信息的方法的 需求也随之增长。这是指引信息记录介质的以后发展的许多个重要因素之当前，可以将轻便储存装置主要地分类为，例如闪存(flash memories) 的固态存储装置器和例如硬盘的碟式储存装置。然而，因为固态存储装置的 容量只有几十GB，因而固态存储装置很难作为大规模数据存储装置使用。 而且，在近期，安装在轻便装置上的硬盘也期望具有几十GB的容量。但是， 可以预料的是，要获得大于几十GB的磁记录密度将十分困难。为了克服这样的限制，已经提出了 一种使用扫描探针或探针来记录和再 现高密度数据的技术。也就是说，已经提出了一种方法，该方法使用扫描探 针显微镜(SPM)技术将记录介质细分为几纳米(nm)到几十纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用记录介质和探针的高密度数据存储装置，所述高密度数据存储装置包括：　　　　记录介质，所述记录介质被成形为由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的薄膜；和　　　　探针，所述探针具有成形于其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质的顶部间隔开的情况下移动。

【技术特征摘要】
KR 2006-8-24 80530/061.一种使用记录介质和探针的高密度数据存储装置，所述高密度数据存储装置包括记录介质，所述记录介质被成形为由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的薄膜；和探针，所述探针具有成形于其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质的顶部间隔开的情况下移动。2. 如权利要求l所述的高密度数据存储装置，其中，所述相变材料包括 GeSbTe化合物或InSbTe化合物。3. 如权利要求l所述的高密度数据存储装置，其中，所述相变材料包括 过渡金属氧化物。4. 如权利要求l所述高密度数据存储装置，其中，所述尖端具有场效应 晶体管的沟道结构。5. 如权利要求l所述高密度数据存储装置，其中，所述记录介质具有形 成在该记录介质下部的导电薄膜。6. 如权利要求5所述高密度数据存储装置，其中，所述探针与所述导电 薄膜电连接。7. —种高密度数据记录或再现方法，其使用在基底上形成为薄膜的记 录介质和与该记录介质的表面间隔开地移动的探针，所述方法包括与所述记录介质的表面间隔开地移动所述探针；对所述探针施加不同大小的第一和第二电压，使得从该探针的尖端发出 热量；和通过所述尖端发出的热量，改变所述记录介质的结晶相。8. 如权利要求7所述方法，其中，所述尖端具有场效...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪承范，丁柱焕，高亨守，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]