气相沉积晶圆撑托结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种气相沉积晶圆撑托结构，包含碟盘以及大盘模块，碟盘中央设有一晶圆定位通孔，晶圆定位通孔供一晶圆置入，晶圆定位通孔内设有复数承载指以撑托晶圆的边缘，大盘模块具有至少一碟盘槽以供至少一碟盘定位；实施时，每一承载指具有一倾斜承载面，并以倾斜承载面撑托晶圆的边缘，以极小化晶圆与其他物体的接触部位，以大幅减少晶圆的接触性热传导，使晶圆整体受热效果、成膜效果更为均匀，而提升晶圆的产制品质。而提升晶圆的产制品质。而提升晶圆的产制品质。

【技术实现步骤摘要】
气相沉积晶圆撑托结构


[0001]本技术涉及半导体化学气相沉积作业的设备，尤指一种应用于高温低压状态的气相沉积晶圆撑托结构。

技术介绍

[0002]化学气相沉积是一种在晶圆(或可称为基板)反应面，形成薄膜的重要手段，其系将晶圆置入一反应腔中，对晶圆加热并使晶圆的反应面与反应气体接触而形成薄膜。在高温低压的气相沉积制程中，晶圆的反应面与反应气体的接触是否均匀、晶圆的反应面的加热温度是否精准与均匀，都会直接影响薄膜形成的品质。其中，晶圆置入反应腔后的定位及承载方式也影响薄膜的形成品质，承载晶圆的机构有时还涉及许多传动机构以及驱动旋转的机构，这些传动以及驱动旋转的机构会直接影响反应气体对晶圆的反应面的接触效果、对晶圆非反应面的加热方式以及晶圆是否便于通过自动化设备执行而影响晶圆产能的问题。
[0003]在化学气相沉积过程中，晶圆反应面的背面或边缘通常会与相关的固定或承载装置进行接触，而此等接触就会产生接触性热传导的途径，而接触性热传导是造成晶圆整体温度不均匀的其中一项因素。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术是针对晶圆的固定方式进行改良，以使整体晶圆的温度能获得较佳地控制。
[0005]本技术的主要目的，系在提供一种气相沉积晶圆撑托结构，包含：至少一碟盘，其中央设有一晶圆定位通孔，晶圆定位通孔供一晶圆置入，晶圆定位通孔内设有复数承载指以撑托晶圆的边缘；以及一大盘模块，其具有至少一碟盘槽以供至少一碟盘定位。
[0006]实施时，复数承载指的每一承载指具有一倾斜承载面，并以倾斜承载面撑托晶圆的边缘。
[0007]实施时，碟盘边缘设有一呈环状的衔接部，至少一碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入。
[0008]实施时，环槽沟衔接一入气引道，以引入气浮气体于环槽沟，环槽沟衔接于一导出口以供气浮气体排出。
[0009]实施时，大盘模块具有一热源面，热源面与晶圆定位通孔所承载的晶圆对应保持有一受热间距。
[0010]实施时，热源面设置在晶圆定位通孔的上方，晶圆定位通孔供晶圆以反应面朝下的形式放置，大盘模块对应于晶圆定位通孔的下方设有一透孔。
[0011]实施时，热源面设置在晶圆定位通孔的下方，晶圆定位通孔供晶圆以反应面朝上的形式放置。
[0012]相较于现有技术，本技术在结构设计上相当单纯，除了大幅降低晶圆的接触
式热传导之外，更没有过多或复杂的传动机构，非常有利于维护与保养；其次，本技术独特的设计可广泛的运用于面上型、面下型气相沉积作业，能提供晶圆较佳的产品合格率。
附图说明
[0013]图1为本技术第一实施例的俯视分解图；
[0014]图2为本技术第一实施例的剖视图示意图；
[0015]图3为本技术第一实施例的碟盘剖视图；
[0016]图4为本技术第一实施例的承载指立体图；
[0017]图5为本技术第二实施例的俯视分解图示意图；
[0018]图6为本技术第二实施例的剖视图示意图。
[0019]附图标记说明：1
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气相沉积晶圆撑托结构；10
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碟盘；11
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通孔；12
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衔接部；121
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凸齿；122
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迎风面；13
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承载指；131
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倾斜承载面；20
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大盘模块；21
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第一大盘；22
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第二大盘；23
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碟盘槽；24
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环槽沟；25
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入气引道；26
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导出口；27
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热源面；28
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透孔；30
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晶圆；40
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加热器。
具体实施方式
[0020]请参阅图1，第一实施例所示是面下型气相沉积作业所适用的气相沉积晶圆撑托结构1，气相沉积晶圆撑托结构1包含至少一碟盘10以及一大盘模块20，以供承载晶圆30之用。
[0021]请参阅图2至图4所示，碟盘10中央设有一晶圆定位通孔11，并于边缘设有一呈环状的衔接部12，晶圆定位通孔11呈现上方与下方贯通的设计，使得晶圆30的两面都呈现非接触状态，此为面下型的气相沉积作业的实施，晶圆30的反应面是朝下设置。晶圆定位通孔11的边缘设有复数承载指13，每一承载指13具有一倾斜承载面131，以有效降低对晶圆30边缘的接触式热传导。
[0022]大盘模块20由一第一大盘21以及一第二大盘22所组合而成。大盘模块20具有至少一个碟盘槽23以供碟盘10定位，且至少一碟盘槽23设有一环槽沟24以供衔接部12置入，环槽沟24衔接一入气引道25，入气引道25相对于与环槽沟24的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量，以引入气浮气体于环槽沟24中施力于衔接部12使碟盘10悬浮及旋转，环槽沟24衔接于一导出口26，以供气浮气体排出。
[0023]大盘模块20具有一热源面27与晶圆定位通孔11对应保持有一受热间距，此实施例热源面27设置在晶圆定位通孔11的上方，晶圆定位通孔11供晶圆30以反应面朝下的形式放置，大盘模块20对应于晶圆定位通孔11的下方设有一透孔28，热源面27在受到外部加热器40加热后可对晶圆30提供辐射热，透孔28可供反应气体进入后，与晶圆30朝下的反应面进行反应。
[0024]图2至图4中所示的晶圆30的厚度仅为示意说明便于理解的用并非实际精确尺寸。一般热的传输分为三种方式，包括热辐射、热对流以及热传导。而在低压或接近真空的制程中，热对流的影响较很小，热的传输主要是以热辐射与热传导为主。本实施例为了提供晶圆30较佳的受热均匀性，特意设计在任何的情况下，不让接触式热传导在关键的晶圆30的中心发生，仅位于晶圆30边缘的微小承载指13具有接触，可避免造成不均匀热传输，倾斜承载
面131能有效地最少化接触面积。
[0025]请参阅图5及图6所示，第二实施例所示是面上型气相沉积作业所适用的气相沉积晶圆撑托结构1，此气相沉积晶圆撑托结构1同样包含至少一碟盘10以及一大盘模块20，以供承载晶圆30之用。第二实施例与第一实施的差异在于热源面27设置在晶圆定位通孔11的下方，晶圆定位通孔11供晶圆30以反应面朝上的形式放置，使晶圆30的反应面直接向上曝露，此第二实施例的大盘模块20设计又较第一实施例更为精简。同样地，可防止接触式热传导在关键的晶圆30的中心发生，仅位于晶圆30边缘的微小承载指13具有接触，可避免造成不均匀热传输。
[0026]以上说明对本技术而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积晶圆撑托结构，其特征在于，包含：至少一碟盘，其中央设有一晶圆定位通孔，该晶圆定位通孔供一晶圆置入，该晶圆定位通孔内设有复数承载指以撑托该晶圆的边缘；以及一大盘模块，其具有至少一碟盘槽以供该至少一碟盘定位。2.如权利要求1所述的气相沉积晶圆撑托结构，其特征在于：该复数承载指的每一承载指具有一倾斜承载面，并以该倾斜承载面撑托该晶圆的边缘。3.如权利要求1所述的气相沉积晶圆撑托结构，其特征在于：该碟盘边缘设有一呈环状的衔接部，该至少一碟盘槽设有一环槽沟以供该衔接部置入。4.如权利要求3所述的气相沉积晶圆撑托结构，其特征在于：该环槽沟衔接一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭钦，刘峰，
申请(专利权)人：苏州雨竹机电有限公司，
类型：新型
国别省市：