湿法腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种湿法腐蚀装置，涉及半导体晶片蚀刻技术领域，包括反应槽、第一驱动机构、连接臂和卡盒；其中，第一驱动机构、连接臂和卡盒均设置在反应槽中；卡盒用于放置晶片，卡盒通过连接臂与第一驱动机构的转轴连接，以使卡盒能够以第一驱动机构为中心转动，且卡盒能够相对于连接臂与卡盒的相接处自转。在使用过程中，先将晶片放置到卡盒内，然后启动第一驱动机构，第一驱动机构通过连接臂带动卡盒以第一驱动机构为中心公转，同时，卡盒能够相对于连接臂与卡盒的相接处自转，以使得处于卡盒内的晶片的各个部位能够与反应槽内的蚀刻液充分接触，从而提高晶片蚀刻的均匀性。从而提高晶片蚀刻的均匀性。从而提高晶片蚀刻的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
湿法腐蚀装置


[0001]本技术涉及半导体晶片蚀刻
，尤其是涉及一种湿法腐蚀装置。

技术介绍

[0002]湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将半导体器件，例如晶片，置于液态的化学蚀刻液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，蚀刻液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。
[0003]现有的湿法腐蚀通常是将待蚀刻的半导体器件放入带有蚀刻液的容器中，利用蚀刻液对半导体器件进行化学腐蚀，然而，随着晶片的尺寸逐渐增大，以及晶片表面的图形尺寸不断变小，如何保证晶片蚀刻的整体均匀性是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种湿法腐蚀装置，以提高晶片蚀刻的均匀性。
[0005]本技术提供的湿法腐蚀装置，包括反应槽、第一驱动机构、连接臂和卡盒；所述第一驱动机构、所述连接臂和所述卡盒均设置在所述反应槽中；
[0006]所述卡盒用于放置晶片，所述卡盒通过所述连接臂与所述第一驱动机构的转轴连接，以使所述卡盒能够以所述第一驱动机构为中心转动，且所述卡盒能够相对于所述连接臂与所述卡盒的相接处自转。
[0007]进一步的，所述连接臂和所述卡盒的数量均为多个，且一一对应；
[0008]多个所述连接臂以所述第一驱动机构的转轴为中心均布。
[0009]进一步的，所述连接臂和所述卡盒的数量均为三个。
[0010]进一步的，所述湿法腐蚀装置还包括第二驱动机构，所述第二驱动机构设置在所述连接臂与所述卡盒的相接处，所述第二驱动机构用于驱动所述卡盒自转。
[0011]进一步的，所述第二驱动机构包括自转电机，所述自转电机固定在所述连接臂远离所述第一驱动机构的一端，所述自转电机的输出轴与所述卡盒连接，以使所述卡盒能够与所述自转电机的输出轴同步转动。
[0012]进一步的，湿法腐蚀装置还包括储液槽、连接管道和泵体；
[0013]所述储液槽通过所述连接管道与所述反应槽的底部连通，所述泵体串联在所述连接管道上。
[0014]进一步的，所述连接管道与所述反应槽的底部的相接处设置有滤板。
[0015]进一步的，所述反应槽包括内槽体和外槽体，所述第一驱动机构、所述连接臂和所述卡盒均设置在所述内槽体中；
[0016]所述外槽体套设于所述内槽体的外部，以使所述内槽体中溢出的蚀刻液能够进入所述外槽体，所述外槽体通过回收管道与所述储液槽连通。
[0017]进一步的，所述内槽体的周向设置有温度调节机构，所述温度调节机构用于调节所述内槽体中的蚀刻液的温度。
[0018]进一步的，所述湿法腐蚀装置还包括第三驱动机构，所述第三驱动机构与所述第一驱动机构的固定端连接，用于驱动所述第一驱动机构、所述连接臂和所述卡盒在所述反应槽内上下移动。
[0019]本技术提供的湿法腐蚀装置，包括反应槽、第一驱动机构、连接臂和卡盒；所述第一驱动机构、所述连接臂和所述卡盒均设置在所述反应槽中；所述卡盒用于放置晶片，所述卡盒通过所述连接臂与所述第一驱动机构的转轴连接，以使所述卡盒能够以所述第一驱动机构为中心转动，且所述卡盒能够相对于所述连接臂与所述卡盒的相接处自转。
[0020]在使用过程中，先将晶片放置到卡盒内，然后启动第一驱动机构，第一驱动机构通过连接臂带动卡盒以第一驱动机构为中心公转，同时，卡盒能够相对于连接臂与所述卡盒的相接处自转，以使得处于卡盒内的晶片的各个部位能够与反应槽内的蚀刻液充分接触，从而提高晶片蚀刻的均匀性。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术实施例提供的湿法腐蚀装置的结构图；
[0023]图2为本技术实施例提供的湿法腐蚀装置的俯视图。
[0024]图标：100
‑
反应槽；110
‑
内槽体；111
‑
滤板；120
‑
外槽体；210
‑
第一驱动机构；220
‑
第二驱动机构；230
‑
第三驱动机构；300
‑
连接臂；400
‑
卡盒；500
‑
储液槽；510
‑
连接管道；520
‑
泵体；530
‑
回收管道；600
‑
盘管；700
‑
蚀刻液；800
‑
晶片。
具体实施方式
[0025]下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]如图1至图2所示，本技术提供的湿法腐蚀装置，包括反应槽100、第一驱动机构210、连接臂300和卡盒400；其中，第一驱动机构210、连接臂300和卡盒400均设置在反应槽100中。
[0027]卡盒400用于放置晶片800，卡盒400通过连接臂300与第一驱动机构210的转轴连接，以使卡盒400能够以第一驱动机构210为中心转动，且卡盒400能够相对于连接臂300与卡盒400的相接处自转。
[0028]在使用过程中，先将晶片800放置到卡盒400内，然后启动第一驱动机构210，第一驱动机构210通过连接臂300带动卡盒400以第一驱动机构210为中心公转，同时，卡盒400能够相对于连接臂300与卡盒400的相接处自转，以使得处于卡盒400内的晶片800的各个部位能够与反应槽100内的蚀刻液700充分接触，从而提高晶片800蚀刻的均匀性。
[0029]具体地，本实施例中，第一驱动机构210能够驱动连接臂300和卡盒400在竖直平面
内转动，卡盒400也可以在该竖直平面内自转，需要说明的是，卡盒400也可以在与该竖直平面呈一定角度或者垂直的平面内自转。
[0030]需要说明的是，第一驱动机构210还可以驱动连接臂300和卡盒400在水平面内转动，卡盒400可以在该水平面内自转，也可以在与该水平面呈一定角度的平面内自转。
[0031]进一步的，连接臂300和卡盒400的数量均为多个，且一一对应；多个连接臂300以第一驱动机构210的转轴为中心均布。
[0032]具体地，连接臂300和卡盒400的数量均为多个，且一一对应，其中，每个连接臂300的一端连接有一个能够自转的卡盒400，需要说明的是，卡盒可以为具有一定容积的盒体，可以在卡盒400内固定或放置一个或者多个晶片800，盒体上具有开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法腐蚀装置，其特征在于，包括反应槽(100)、第一驱动机构(210)、连接臂(300)和卡盒(400)；所述第一驱动机构(210)、所述连接臂(300)和所述卡盒(400)均设置在所述反应槽(100)中；所述卡盒(400)用于放置晶片(800)，所述卡盒(400)通过所述连接臂(300)与所述第一驱动机构(210)的转轴连接，以使所述卡盒(400)能够以所述第一驱动机构(210)为中心转动，且所述卡盒(400)能够相对于所述连接臂(300)与所述卡盒(400)的相接处自转。2.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于，所述连接臂(300)和所述卡盒(400)的数量均为多个，且一一对应；多个所述连接臂(300)以所述第一驱动机构(210)的转轴为中心均布。3.根据权利要求2所述的湿法腐蚀装置，其特征在于，所述连接臂(300)和所述卡盒(400)的数量均为三个。4.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置，其特征在于，所述湿法腐蚀装置还包括第二驱动机构(220)，所述第二驱动机构(220)设置在所述连接臂(300)与所述卡盒(400)的相接处，所述第二驱动机构(220)用于驱动所述卡盒(400)自转。5.根据权利要求4所述的湿法腐蚀装置，其特征在于，所述第二驱动机构(220)包括自转电机，所述自转电机固定在所述连接臂(300)远离所述第一驱动机构(210)的一端，所述自转电机的输出轴与所述卡盒(400)连接，以使所述卡盒(400)能够与所述自转电机...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦栋，惠利省，李靖，杨国文，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：