存储器结构的制造方法技术

本发明专利技术公开一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成第一垫层。在第一垫层与基底中形成多个隔离结构。对隔离结构进行至少一次形状修饰处理。每次形状修饰处理包括以下步骤。对第一垫层进行第一蚀刻制作工艺，以降低第一垫层的高度，且形成暴露出隔离结构的侧壁的第一开口。在进行第一蚀刻制作工艺之后，对隔离结构进行第二蚀刻制作工艺，以修饰由第一开口所暴露出的隔离结构的侧壁的形状。移除第一垫层，而在相邻两个隔离结构之间形成第二开口。第二开口。第二开口。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种存储器结构的制造方法。

技术介绍

[0002]目前，在一些存储器元件的制作工艺中，会将电荷存储层形成在相邻两个隔离结构之间的开口中。然而，当相邻两个隔离结构之间的开口的顶部宽度过小时，会使得电荷存储层的沟填(gap-fill)能力的变差。此外，当相邻两个隔离结构之间的开口的顶部宽度过小时，在对开口下方的基底进行的离子注入制作工艺中，隔离结构会对离子注入制作工艺造成遮蔽效应(shadowing effect)，而使得由上述离子注入制作工艺所形成的掺杂区的品质不佳。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种存储器结构的制造方法，其可提升电荷存储层的沟填能力，且可降低对离子注入制作工艺的遮蔽效应。
[0004]本专利技术提出一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成第一垫层。在第一垫层与基底中形成多个隔离结构。对隔离结构进行至少一次形状修饰处理。每次形状修饰处理包括以下步骤。对第一垫层进行第一蚀刻制作工艺，以降低第一垫层的高度，且形成暴露出隔离结构的侧壁的第一开口。在进行第一蚀刻制作工艺之后，对隔离结构进行第二蚀刻制作工艺，以修饰由第一开口所暴露出的隔离结构的侧壁的形状。移除第一垫层，而在相邻两个隔离结构之间形成第二开口。
[0005]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，隔离结构的形成方法可包括以下步骤。对第一垫层与基底进行图案化制作工艺，而在第一垫层与基底中形成多个沟槽。形成填入沟槽中的隔离结构材料层。移除沟槽外部的隔离结构材料层。
[0006]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，在对第一垫层进行图案化制作工艺之后，第一垫层的底面与第一垫层的侧壁之间的夹角可小于86度。
[0007]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，隔离结构材料层的形成方法例如是高深宽比沟填制作工艺(high aspect ratio process，HARP)或高密度等离子体化学气相沉积法(high density plasma chemical vapor deposition，HDPCVD)。
[0008]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，第一蚀刻制作工艺例如是湿式蚀刻制作工艺。第一垫层的移除方法例如是湿式蚀刻法。
[0009]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，第一垫层的材料例如是氮化硅。第一蚀刻制作工艺所使用的蚀刻剂可包括磷酸。移除第一垫层所使用的蚀刻剂可包括磷酸。移除第一垫层所使用的磷酸的温度可高于第一蚀刻制作工艺所使用的磷酸的温度。
[0010]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，可通过第二蚀刻
制作工艺扩大第一开口的顶部宽度。
[0011]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，第二蚀刻制作工艺例如是湿式蚀刻制作工艺。
[0012]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，隔离结构的材料例如是氧化硅。第二蚀刻制作工艺所使用的蚀刻剂可包括稀释的氢氟酸(diluted hydrofluoric acid，DHF)。
[0013]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，由形状修饰处理所降低的第一垫层的总高度可为第一垫层的初始高度的二分之一以下。
[0014]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在进行形状修饰处理之前，对第一垫层进行清洗制作工艺。
[0015]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，清洗制作工艺所使用的清洗液可包括稀释的氢氟酸。
[0016]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在形成第一垫层之前，在基底上形成第二垫层。第二垫层的材料例如是氧化硅。
[0017]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还包括以下步骤。在移除第一垫层之后，在基底中形成掺杂区。在形成掺杂区之后，移除第二垫层。
[0018]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还可包括在第二开口中形成电荷存储层。
[0019]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，电荷存储层例如是浮置栅极。
[0020]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，电荷存储层的形成方法可包括以下步骤。形成填入第二开口的电荷存储材料层。移除第二开口外部的电荷存储材料层。
[0021]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在形成电荷存储层之前，在第二开口所暴露出的基底上形成第一介电层。
[0022]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，还可包括以下步骤。移除部分隔离结构，而在隔离结构上方形成多个第三开口。在第三开口的表面与电荷存储层上形成第二介电层。在第二介电层上形成导体层。导体层填入第三开口中。
[0023]依照本专利技术的一实施例所述，在上述存储器结构的制造方法中，基底可包括存储器元件区与逻辑元件区。存储器结构位于存储器元件区中。存储器元件区中的隔离结构与逻辑元件区中的隔离结构可同时形成。
[0024]基于上述，在本专利技术所提出的存储器结构的制造方法中，对隔离结构进行形状修饰处理，以修饰隔离结构的侧壁形状，由此可使得第二开口具有较大的顶部宽度。由于第二开口具有较大的顶部宽度，因此可提升后续形成在第二开口中的电荷存储层的沟填能力。此外，在后续对第二开口下方的基底所进行的离子注入制作工艺中，可降低隔离结构对离子注入制作工艺所造成的遮蔽效应。
[0025]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
[0026]图1A至图1L为本专利技术一实施例的存储器结构的制造流程剖视图。
[0027]符号说明
[0028]10:存储器结构
[0029]100:基底
[0030]102,104:垫层
[0031]106:沟槽
[0032]108:隔离结构材料层
[0033]108a:隔离结构
[0034]110,112,120:开口
[0035]114:掺杂区
[0036]116,122:介电层
[0037]118:电荷存储材料层
[0038]118a:电荷存储层
[0039]124:导体层
[0040]H1:初始高度
[0041]H2:总高度
[0042]S1:底面
[0043]S2,S3:侧壁
[0044]W1,W2:顶部宽度
[0045]θ:夹角
具体实施方式
[0046]图1A至图1L为本专利技术一实施例的存储器结构的制造流程剖视图。
[0047]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器结构的制造方法，包括：在基底上形成第一垫层；在所述第一垫层与所述基底中形成多个隔离结构；对所述多个隔离结构进行至少一次形状修饰处理，其中每次所述形状修饰处理包括：对所述第一垫层进行第一蚀刻制作工艺，以降低所述第一垫层的高度，且形成暴露出所述多个隔离结构的侧壁的多个第一开口；以及在进行所述第一蚀刻制作工艺之后，对所述多个隔离结构进行第二蚀刻制作工艺，以修饰由所述多个第一开口所暴露出的所述多个隔离结构的所述侧壁的形状；以及移除所述第一垫层，而在相邻两个所述隔离结构之间形成第二开口。2.如权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其中所述多个隔离结构的形成方法包括：对所述第一垫层与所述基底进行图案化制作工艺，而在所述第一垫层与所述基底中形成多个沟槽；形成填入所述多个沟槽中的隔离结构材料层；以及移除所述多个沟槽外部的所述隔离结构材料层。3.如权利要求2所述的存储器结构的制造方法，其中在对所述第一垫层进行图案化制作工艺之后，所述第一垫层的底面与所述第一垫层的侧壁之间的夹角小于86度。4.如权利要求2所述的存储器结构的制造方法，其中所述隔离结构材料层的形成方法包括高深宽比沟填制作工艺或高密度等离子体化学气相沉积法。5.如权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其中所述第一蚀刻制作工艺包括湿式蚀刻制作工艺，且所述第一垫层的移除方法包括湿式蚀刻法。6.如权利要求5所述的存储器结构的制造方法，其中所述第一垫层的材料包括氮化硅，所述第一蚀刻制作工艺所使用的蚀刻剂包括磷酸，移除所述第一垫层所使用的蚀刻剂包括磷酸，且移除所述第一垫层所使用的磷酸的温度高于所述第一蚀刻制作工艺所使用的磷酸的温度。7.如权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其中通过所述第二蚀刻制作工艺扩大所述多个第一开口的顶部宽度。8.如权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其中所述第二蚀刻制作工艺包括湿式蚀刻制作工艺。9.如权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其中所述多个隔离结构的材料包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧秦，施凯侥，廖玉梅，廖欣怡，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：