一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式(1)所示的结构，该化合物以咪唑并氮硫(氧)杂七元环并二苯的缺电子大共轭结构为母核，并连接有Ar基团，该化合物结构具有较强的缺电子性，有利于电子的注入，同时，大共轭结构的缺电子基团使分子具有良好的平面共轭性，从而有利于提高电子的迁移率，使分子整体表现出良好的电子注入和迁移性能，因此，当将本发明专利技术的化合物用作有机电致发光器件中，特别是作为电子传输层材料时，可以有效提升器件中的电子注入和迁移效率，从而确保器件获得高发光效率、低启动电压的优异效果。低启动电压的优异效果。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件是一类具有类三明治结构的器件，包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。对OLED器件的电极施加电压，正电荷从正极注入，负电荷从负极注入，在电场作用下正负电荷在有机层中迁移相遇复合发光。由于OLED器件具有亮度高、响应快、视角宽、工艺简单、可柔性化等优点，在新型显示
和新型照明
备受关注。目前，该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板，进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展，是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。
[0003]随着OLED在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于其核心材料的研究也更加关注。这是因为一个效率好、寿命长的OLED器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果，这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。
[0004]为了制备驱动电压更低、发光效率更好、器件使用寿命更长的OLED发光器件，实现OLED器件的性能不断提升，不仅需要对OLED器件结构和制作工艺进行创新，更需要对OLED器件中的光电功能材料不断研究和创新，以制备出具有更高性能的功能材料。基于此，OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。
[0005]为了进一步满足对OLED器件的光电性能不断提升的需求，以及移动化电子器件对于节能的需求，需要不断地开发新型的、高效的OLED材料，其中开发新的具有高电子注入能力和高迁移率的电子传输材料具有很重要的意义。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，特别在于提供一种用于有机电致发光器件的化合物，尤其在于提供一种用作有机电致发光器件电子传输材料的化合物，所述化合物具有较高的电子注入能力和电子迁移率，能够提高器件的电流效率、降低驱动电压。
[0007]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0008]本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式(1)所示的结构；
[0009][0010]式(1)中，所述X为S或O；
[0011]式(1)中，所述Ar选自取代或未取代的C8～C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基、氰基中的任意一种；
[0012]式(1)中，所述L选自单键、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C3-C60亚杂芳基中的任意一种；
[0013]式(1)中，所述R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、硝基、C1-C20烷基、C3-C21环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种；
[0014]式(1)中，所述R选自氘、卤素、氰基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、硝基、C1-C20烷基、C3-C21环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种；
[0015]式(1)中，所述n为0～7的整数，例如1、2、3、4、5、6等，优选n为0或1，所述m为0或1的整数；
[0016]式(1)中，所述Y表示单键；当m为0时，R1和R2为两个独立的取代基，二者不连接，当m为1时，R1和R2通过单键Y相连，根据本领域公知常识，当R1或R2任一项选自氢、氘、卤素、氰基或硝基时，二者无法连接，即m只能为0；
[0017]Ar、L、R1、R2和R中，所述取代的基团各自独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C10链状烷基、C3-C10环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10硫代烷氧基、C6-C30芳基氨基、C3-C30杂芳基氨基、C6-C30单环芳基、C10-C30稠环芳基、C3-C30单环杂芳基、C6-C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。“单环芳基”指的是不含有稠合基团的芳基，例如苯基、联苯基、三联苯基均属于单环芳基，“稠合芳基”则指的是稠合的芳基，例如萘基、蒽基、菲基等，单环杂芳基和稠环杂芳基同理。
[0018]Ar、L、R1、R2和R中，所述取代的基团的个数为1至最大可取代个数，上段所列举的基团指的是“取代或未取代”的基团存在取代基时取代基的选择范围，“取代或未取代”的基团上可以取代有一个取代基，也可以取代有多个取代基，当取代基为多个时，可以选自不同的取代基，本专利技术中涉及到相同的表达方式时，均具有同样的意义，且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。
[0019]在本专利技术的优选技术方案中，Ar、L、R1、R2和R中，所述取代的基团各自独立地选自氰基、苯基、甲基或吡啶基中的任意一种或至少两种组合。
[0020]本专利技术中，杂芳基的杂原子，通常指选自N、O、S。
[0021]本专利技术中，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。
[0022]本专利技术中，所述C8-C60芳基、C6-C60(亚)芳基的碳数可以为C8、C10、C12、C14、C16、
C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58等；
[0023]本专利技术中，所述C3-C60(亚)杂芳基的碳数可以为C4、C5、C6、C7、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58等；
[0024]本专利技术中，所述C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C14、C16、C18等；
[0025]本专利技术中，所述C3-C21环烷基的碳数可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C14、C16、C18、C19、C20等；
[0026]本专利技术中，所述C1-C10链状烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10硫代烷氧基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等；
[0027]本专利技术中，所述C3-C10环烷基的碳个数可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9等；
[0028]本专利技术中，所述C6-C30芳基氨基的碳数可以为C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等；
[0029]本专利技术中，所述C3-C30杂芳基氨基的碳个数可以为C3、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等；
[0030]本专利技术中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式(1)所示的结构；式(1)中，所述X为S或O；式(1)中，所述Ar选自取代或未取代的C8-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基、氰基中的任意一种；式(1)中，所述L选自单键、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C3-C60亚杂芳基中的任意一种；式(1)中，所述R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、硝基、C1-C20链状烷基、C3-C21环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种；式(1)中，所述R选自氘、卤素、氰基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、硝基、C1-C20链状烷基、C3-C21环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种；式(1)中，所述n为0～7的整数，所述m为0或1的整数；式(1)中，所述Y表示单键；Ar、L、R1、R2和R中，所述取代的基团各自独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C10链状烷基、C3-C10环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10硫代烷氧基、C6-C30芳基氨基、C3-C30杂芳基氨基、C6-C30单环芳基、C10-C30稠环芳基、C3-C30单环杂芳基、C6-C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(a)至式(h)所示的结构中的任意一种；
所述R
3-R9各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、硝基、C1-C20烷基、C3-C21环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基的任意一种；R
3-R9中，所述取代的基团各自独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C10链状烷基、C3-C10环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10硫代烷氧基、C6-C30芳基氨基、C3-C30杂芳基氨基、C6-C30单环芳基、C10-C30稠环芳基、C3-C30单环杂芳基、C6-C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合；所述Ar、L、R1、R2均具有与权利要求1相同的限定范围。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自取代或未取代的C8-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、氰基中的任意一种，优选取代或未取代的C3-C30缺电子杂芳基或者氰基。4.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自氰基或者取代或未取代的如下基团中的任意一种：其中，波浪线标记处代表基团的连接键。5.根据权利要求1或2所述的化合物，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙恩涛，方仁杰，吴俊宇，刘叔尧，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：