【技术实现步骤摘要】
一种MPCVD生长台的升降装置
[0001]本专利技术涉及MPCVD位置调整
，具体为一种MPCVD生长台的升降装置。
技术介绍
[0002]金刚石在一众材料中，具有高硬度、良好的导热性和光学性能优异等突出性能，但是以往金刚石只能从大自然中采集，成本较高，不适合大范围使用，随着科技的不断发展，人造金刚石逐渐成为获取金刚石材质的主要手段，降低了生产成本，使金刚石得以较大范围内使用。目前，获得金刚石的主要方法有热丝法、直流电弧等离子体喷射法和微波法，在这三种金刚石沉积技术中，通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)获得的金刚石质量较高，成为了首选方法。
[0003]为了不断提高金刚石的沉积质量，仍需要不断进行研究，然而现有结构中，金刚石生长台大都被固定住，不方便移动，在进行金刚石沉降时，需要调节生长台和等离子团的相对位置，获得高质量金刚石，生长台高度不适合，会使等离子体被截断，造成成团不稳，影响沉积质量。此外，部分生长台升降只能通过人眼观察调节，当反应室内等离子团反应剧烈时，不方便观察，容易造成定位失败，在碳源进...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MPCVD生长台的升降装置，其特征在于：所述升降装置包括固定装置(1)、动力装置(2)、调节装置(3)和检测装置(4)，所述固定装置(1)和动力装置(2)连接，所述动力装置(2)和调节装置(3)传动连接，所述调节装置(3)一侧设有若干检测装置(4)，所述检测装置(4)和调节装置(3)活动连接，所述固定装置(1)包括框架(11)、工作台(13)和反应室(14)，所述工作台(13)置于框架(11)上侧，所述框架(11)和工作台(13)紧固连接，所述工作台(13)上侧设有反应室(14)，工作台(13)上设有通孔，所述反应室(14)底侧设有进口，所述工作台(13)通孔和反应室(14)进口连通，所述反应室(14)上设有反应腔，所述调节装置(3)和检测装置(4)置于反应腔内，所述调节装置(3)上侧设有生长台(5)，所述生长台(5)和调节装置(3)紧固连接。2.根据权利要求1所述的一种MPCVD生长台的升降装置，其特征在于：所述固定装置(1)还包括底座(12)，所述底座(12)和框架(11)紧固连接，底座(12)一侧设有动力装置(2)，所述动力装置(2)包括伺服电机(21)和传动座(24)，所述伺服电机(21)外框和底座(12)紧固连接，伺服电机(21)输出端设有支撑法兰(26)，所述支撑法兰(26)向上延伸设有丝杠(22)，所述伺服电机(21)通过支撑法兰(26)和丝杠(22)传动连接，所述丝杠(22)通过支撑组件(23)和框架(11)连接，所述丝杠(22)外圈套设有传动座(24)，所述传动座(24)中间设有螺纹孔(241)，传动座(24)和丝杠(22)螺纹连接，所述支撑组件(23)包括上支架(231)和下支架(232)，所述上支架(231)上设有轴承孔(2311)，所述丝杠(22)上端设有轴承，所述轴承外圈和轴承孔(2311)连接，所述传动座(24)上对称设有导向槽(242)，所述导向槽(242)位于螺纹孔(241)上侧，所述上支架(231)穿过导向槽(242)，上支架(231)外侧和导向槽(242)壁面滑动连接，上支架(231)两端和框架(11)紧固连接，所述下支架(232)上设有支撑槽(2321)，所述支撑法兰(26)和支撑槽(2321)活动连接，所述下支架(232)两端和框架(11)紧固连接。3.根据权利要求2所述的一种MPCVD生长台的升降装置，其特征在于：所述传动座(24)向上延伸设有传动凸块(25)，所述传动凸块(25)一端依次穿过工作台(13)通孔和反应室(14)进口，传动凸块(25)和反应室(14)进口密封连接，传动凸块(25)顶端伸反应腔内，传动凸块(25)顶端设有调节装置(3)，所述调节装置(3)包括支撑座(31)、滑块(32)、磁铁(33)和感应线圈(34)，所述传动凸块(25)和支撑座(31)底侧活动连接，所述支撑座(31)上侧设有生长台(...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡常青，赵建海，
申请(专利权)人：上海铂世光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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