【技术实现步骤摘要】
下电极组件及化学气相沉积装置
[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种下电极组件及化学气相沉积装置。
技术介绍
[0002]化学气相沉积工艺是半导体领域非常重要的一种工艺方法，其主要用于在基片的表面沉积薄膜。化学气相沉积工艺通常在化学气相沉积装置内进行，所述化学气相沉积装置包括：反应腔和位于所述反应腔内的加热盘，所述加热盘内设有若干个加热单元，所述加热单元用于对基片进行加热，且所述加热盘设有凹陷于其表面的凹坑空间，所述所述凹坑空间内设有若干个凸台用于支撑基片，使基片底部与凹坑空间底部形成一空间，那么化学气相沉积工艺过程中的工艺气体易进入所述空间内，但是，工艺气体的传热能力较差，使基片的加热方式主要来自于凹坑空间底部的辐射加热。
[0003]然而，由于若干个加热单元相互分立设置，使基片下方有的区域与加热单元相对，有些区域下方无加热单元，因此，基片不同区域温度的一致性较差。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种下电极组件及化学气相沉积装置，以提高基片不同区域温度的均匀性。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种下电极组件，其特征在于，包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，所述凸台用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，所述进气口用于向所述凹坑空间内所述基片的背面输送导热气体，所述导热气体在所述凹坑空间内扩散，最后从所述基片边缘与基片槽侧壁之间的间隙释放出去。2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述导热气体包括：氢气、氮气、氩气或氦气中的一种或者多种。3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述进气口的个数为多个，多个所述进气口在所述基片槽的底部均匀分布。4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述基片槽的底部设有若干个第一气道，所述导热气体由所述进气口进入所述第一气道。5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，所述若干个第一气道同心设置，所述进气口与内圈的第一气道连通，不同圈的第一气道之间通过连接通道连通。6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括：位于所述加热盘下方中心区域的支撑筒，所述支撑筒包括：内支撑筒和外支撑筒。7.如权利要求6中所述的下电极组件，其特征在于，所述内支撑筒与外支撑筒内外套设，在所述内支撑筒与外支撑筒之间形成第二气道，所述第二气道与进气口连通。8.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述内支撑筒位于所述加热盘下方的中心，所述外支撑筒为多个，多个所述外支撑筒环绕设置在所述内支撑筒的外围，所述外支撑筒内为第二气道，所述第二气道与进气口连通。9.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述加热盘不旋转，还包括：位于所述支撑筒下方的密封件，所述密封件内设有气体传输通道，所述气体传输通道与所述进气口连通，用于输送导热气体。10.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述加热盘沿其中心轴旋转，还包括：磁流体装置，位...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜勇，谢振南，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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