石墨盘制造技术

本实用新型专利技术提供了一种石墨盘，解决了现有技术中利用石墨盘进行材料外延生长时所得到的外延片的性能均一性差的问题。石墨盘包括：石墨盘本体，包括承载槽和位于承载槽远离石墨盘本体的中心点一侧的凹槽；和止挡件，与凹槽匹配嵌合，止挡件凸出于承载槽的底部表面，以形成限位结构。形成限位结构。形成限位结构。

【技术实现步骤摘要】
石墨盘


[0001]本技术涉及半导体材料生长设备
，具体涉及一种石墨盘。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域。现阶段制取LED晶圆片的方法主要是通过金属有机化合物气相沉积(Metal
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organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)实现，可以简述其流程如下：将衬底放入石墨盘的凹槽上，将载有衬底的石墨盘放入MOCVD反应室内，通过将反应室温度加热到预设温度，并配合通入有机金属化合物和五族气体，使它们在衬底上断开化学键并重新聚合形成LED外延层。
[0003]然而，根据上述过程得到的外延片的性能均一性较差，例如LED波长不均匀、二维电子气不均匀等。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例致力于提供一种石墨盘，以解决现有技术中利用石墨盘进行材料外延生长时所得到的外延片的性能均一性差的问题。
[0005]本技术实施例提供了一种石墨盘，用于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘，用于半导体材料的外延生长，其特征在于，包括：石墨盘本体，包括承载槽和位于所述承载槽远离所述石墨盘本体的中心点一侧的凹槽；和止挡件，与所述凹槽匹配嵌合，所述止挡件凸出于所述承载槽的底部表面，以形成限位结构。2.根据权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽和所述止挡件之间还设置有隔热层。3.根据权利要求2所述的石墨盘，其特征在于，所述隔热层包覆所述止挡件。4.根据权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述止挡件上设置有导热孔。5.根据权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述止挡件包括与所述承载槽的底部表面垂直的止挡面，所述止挡面为曲面。6.根据权利要求1
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5中任一所述的石墨盘，...

【专利技术属性】
技术研发人员：向鹏，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：