存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存取一闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括了至少一闪存芯片，每一个闪存芯片包括了多个区块，每一个区块包括多个数据页，且所述方法包括有：提供一读取重试表，其中所述读取重试表记录了多个读取档位，每一个读取档位对应到至少一读取电压、且任两个读取档位不具有完全相同的读取电压；建立一读取成功记录表，其记录了先前曾经被用来成功读取所述闪存模块的至少一特定读取档位；以及当需要读取所述闪存模块时，使用所述读取成功记录表所记录的所述至少一个特定读取档位来读取所述闪存模块。本发明专利技术建立并更新读取成功纪录表，闪存控制器可快速找到适合的读取档位，因此改善系统效能。因此改善系统效能。因此改善系统效能。

【技术实现步骤摘要】
存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置


[0001]本专利技术关于闪存，尤指一种存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置。

技术介绍

[0002]随着低密度奇偶检查码(Low-density parity-check code，LDPC)的发展，闪存控制器中的错误更正码(Error Correction Code，ECC)电路可以对具有更高位错误量/位错误率的数据进行错误更正，以成功地对数据进行解码操作。然而，虽然错误更正码电路的解码能力提升了，但是当位错误量/位错误率高于一临界值时，错误更正码电路的处理速度会大幅下降，例如降低到约每秒20百万字节(20MB/s)，因而严重影响到系统效能。
[0003]为了解决上述位错误量/位错误率过高而导致系统效能下降或是甚至无法成功解码的问题，闪存模块会提供多个读取档位，以使用不同的读取电压来读取闪存模块，以得到适合的数据(也就是说，可以成功解码的数据或是具有较低位错误量/位错误率的数据)。然而，上述的读取档位随着技术的发展变得越来越多，例如有50个读取档位，而若是依序尝试这50个读取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器是用来存取一闪存模块，所述闪存模块包括了至少一闪存芯片，每一个闪存芯片包括了多个区块，每一个区块包括多个数据页，且所述闪存控制器的特征在于，包括有：一只读存储器，用来存储一程序代码；以及一微处理器，用来执行所述程序代码以控制对所述闪存模块的存取；一缓冲存储器，用以存储了一读取重试表以及一读取成功记录表，其中所述读取重试表记录了多个读取档位，每一个读取档位对应到至少一读取电压、且任两个读取档位不具有完全相同的读取电压；以及所述读取成功记录表记录了先前曾经被用来成功读取所述闪存模块的至少一个特定读取档位；其中当所述微处理器需要读取所述闪存模块时，所述微处理器根据所述读取成功记录表所记录的所述至少一个特定读取档位来读取所述闪存模块。2.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述读取成功记录表记录了多个先前曾经被用来成功读取所述闪存模块的多个特定读取档位；以及当所述微处理器需要读取所述闪存模块时，所述微处理器先直接使用所述多个特定读取档位中的一第一特定读取档位来读取所述闪存模块，且若是所述微处理器使用所述第一特定读取档位来读取所述闪存模块时遭遇读取失败，则所述微处理器直接使用所述多个特定读取档位中的一第二特定读取档位来读取所述闪存模块。3.如权利要求2所述的闪存控制器，其特征在于，若是所述微处理器使用所述第二特定读取档位时成功读取了所述闪存模块，则所述微处理器调整所述读取成功记录表所记录的所述多个特定读取档位的优先级，以使得所述第二特定读取档位优先于所述第一特定读取档位。4.如权利要求3所述的闪存控制器，其特征在于，若是所述微处理器使用所述第二特定读取档位时成功读取了所述闪存模块，则所述微处理器调整所述读取成功记录表以使得所述第二特定读取档位具有最高的优先级；以及当所述微处理器需要再次读取所述闪存模块时，所述微处理器先直接使用所述第二特定读取档位来读取所述闪存模块。5.如权利要求1、2、3或4所述的闪存控制器，其特征在于，当所述微处理器在使用所述至少一个特定读取档位的任一者都无法成功读取所述闪存模块时，所述微处理器依序使用所述读取重试表所记录的所述多个读取档位的至少一部份来读取所述闪存模块；以及当所述微处理器成功读取所述闪存模块时，所述微处理器更新所述读取成功记录表以将目前所使用的所述读取档位记录在所述读取成功记录表中。6.如权利要求5所述的闪存控制器，其特征在于，所述当所述微处理器在使用所述至少一个特定读取档位的任一者都无法成功读取所述闪存模块时，所述微处理器依序使用所述读取重试表所记录的所述多个读取档位来读取所述闪存模块，且一旦微处理器成功读取所述闪存模块时便停止继续使用剩余的读取档位来读取所述闪存模块。7.如权利要求5所述的闪存控制器，其特征在于，当所述微处理器成功读取所述闪存模块时，所述微处理器更新所述读取成功记录表以删除最早记录的所述特定读取档位，并将目前所使用的所述读取档位记录在所述读取成功记录表中，以作为最新的特定读取档位。8.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，当所述微处理器需要读取所述闪存模块时，所述微处理器先使用一预设读取档位来读取所述闪存模块，以及当所述微处理器使
用所述预设读取档位读取所述闪存模块遭遇失败时，所述微处理器直接根据所述读取成功记录表所记录的所述至少一个特定读取档位来读取所述闪存模块。9.如权利要求8所述的闪存控制器，其特征在于，当所述微处理器在使用所述至少一个特定读取档位的任一者都无法成功读取所述闪存模块时，所述微处理器依序使用所述读取重试表所记录的所述多个读取档位的至少一部份来读取所述闪存模块；以及当所述微处理器成功读取所述闪存模块时，所述微处理器更新所述读取成功记录表以将目前所使用的所述读取档位记录在所述读取成功记录表中。10.如权利要求9所述的闪存控制器，其特征在于，所述当所述微处理器在使用所述至少一个特定读取档位的任一者都无法成功读取所述闪存模块时，所述微处理器依序使用所述读取重试表所记录的所述多个读取档位来读取所述闪存模块，且一旦微处理器成功读取所述闪存模块时便停止继续使用剩余的读取档位来读取所述闪存模块。11.如权利要求9所述的闪存控制器，其特征在于，当所述微处理器成功读取所述闪存模块时，所述微处理器更新所述读取成功记录表...

【专利技术属性】
技术研发人员：林瑜智，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：