使用光敏复合物的各向异性蚀刻制造技术

提供了一种在制造部件承载件(100)期间对电传导层结构(102)进行蚀刻的方法，其中，该方法包括：使电传导层结构(102)经受包括蚀刻剂(106)和光敏复合物(108)的蚀刻组合物，从而在电传导层结构(102)中形成凹部(110)；同时至少在部分时间内对凹部(110)进行辐照和/或加热。另外，提供了一种用于在制造部件承载件(100)期间对电传导层结构(102)进行蚀刻的设备、一种经蚀刻的电传导层结构(103)以及一种部件承载件(100)。载件(100)。载件(100)。

【技术实现步骤摘要】
使用光敏复合物的各向异性蚀刻


[0001]本专利技术涉及对电传导层结构进行蚀刻的方法(在下文中也被简称为“蚀刻处理”)、用于在制造部件承载件期间对电传导层结构进行蚀刻的设备(在下文中也被简称为“蚀刻设备”)、经蚀刻的电传导层结构、以及部件承载件。

技术介绍

[0002]在配备有一个或更多个部件的部件承载件的电子功能不断增长、以及这种部件的小型化持续增加、以及要被安装在诸如印刷电路板(PCB)之类的部件承载件上的部件的数量的不断增加的背景下，正在采用具有多个电子部件的越来越强大的阵列状的部件或封装件，这些阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部，其中这些接触部之间的间隔越来越小。
[0003]PCB行业特别地面临着使所生产的印刷电路板的尺寸适于符合小型化要求的任务。由于电路路径的新尺寸、钻孔以及这些钻孔彼此之间的距离，必须要实施新的蚀刻技术，特别是新的铜蚀刻处理。尽管铜蚀刻处理是印刷电路板的制造中最重要的步骤之一，但是在制造期间对铜进行的处理仍然是具有挑战性的任务。在如图1中所示的常规的各向同性铜蚀刻处理中，当对形成在基板上的且被掩模(作为用于图案化的负模板(negative template))部分地覆盖的要被蚀刻的铜膜进行蚀刻时，由于各向同性蚀刻而可能会在掩模下形成底切部，从而导致低粘附性。另外，各向同性蚀刻可能不能形成非常精细的蚀刻结构，而是各向同性蚀刻可能被相应的精细掩模结构阻挡。
[0004]具有30微米以下的电路路径的精细结构的产生可能需要各向异性蚀刻处理。在印刷电路板的情况下，期望的是蚀刻(特别是铜去除)更多地发生在竖向方向上而非是发生在横向方向上。因此可以获得规则的结构并且可以避免短切部(short cuts)。图2中示出了理想的各向异性蚀刻处理，在图2中示出的各向异性蚀刻处理中，蚀刻仅发生在PCB的竖向方向上而不发生在PCB的横向方向上，因此没有形成底切部。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种允许在制造部件承载件期间对电传导层结构进行各向异性蚀刻的蚀刻处理，以及获得一种包括具有至少部分(优选地完全地，即沿着整个深度)大致竖向的侧壁的凹部的经蚀刻的电传导层结构以及包括所述经蚀刻的电传导层结构的相应的部件承载件，从而提高了诸如印刷电路板之类的部件承载件的整体质量。
[0006]为了实现上述目的，提供了一种在制造部件承载件期间对电传导层结构进行蚀刻的方法、一种用于在制造部件承载件期间对电传导层结构进行蚀刻的设备、一种经蚀刻的电传导层结构以及一种根据本专利技术的部件承载件。
[0007]根据本专利技术的示例性实施方式，在制造部件承载件期间对电传导层结构进行蚀刻的方法包括使电传导层结构(的暴露区域)经受包括蚀刻剂和光敏复合物的蚀刻组合物，从而在电传导层结构中形成凹部(腔)，同时至少在部分时间内，对(电传导层结构和/或)凹部
进行(大致竖向地)辐照和/或加热，特别地或优选地，对(电传导层结构和/或)凹部的底部(或底部部分)进行(大致竖向地)辐照和/或加热。
[0008]根据本专利技术的另一示例性实施方式，用于在制造部件承载件期间对电传导层结构进行蚀刻的设备包括蚀刻单元、以及辐照单元和/或加热单元，该蚀刻单元被配置成用于使电传导层结构经受包括蚀刻剂和光敏复合物的蚀刻组合物，从而在电传导层结构中形成凹部(腔)，辐照单元被配置成用于对凹部(大致竖向地)进行辐照，特别地或优选地，辐照单元被配置成用于对凹部的底部(大致竖向地)进行辐照，加热单元被配置成用于对凹部(大致竖向地)进行加热，特别地或优选地，加热单元被配置成用于对凹部的底部部分(大致竖向地)进行加热。
[0009]根据本专利技术的又一示例性实施方式，提供了一种能够通过如本文中所描述的蚀刻处理获得的(或可以通过如本文中所描述的蚀刻处理制造的)经蚀刻的电传导层结构。
[0010]根据本专利技术的再一示例性实施方式，提供了一种部件承载件，其中，该部件承载件包括至少一个电绝缘层结构与至少一个电传导层结构的叠置件，其中，至少一个电绝缘层结构的至少一部分包括如本文中所描述的经蚀刻的电传导层结构。
[0011]根据本专利技术的示例性实施方式，提供了一种蚀刻处理，该蚀刻处理涉及对包括蚀刻剂(所述蚀刻剂可以对例如由铜制成的电传导层结构进行蚀刻并且由此在电传导层结构中形成凹部)和光敏复合物(光敏复合物可以以下述方式对辐照(诸如电磁辐照)和/或热能(诸如加热)进行响应：对光敏复合物施加辐照和/或加热将使得相比于在凹部的横向方向而言更大程度地在凹部的竖向方向上进行蚀刻，从而增大了蚀刻处理的各向异性)的蚀刻组合物的使用。例如，光敏复合物可以具有对铜的高亲和性(例如由于光敏复合物的相应的功能团(官能团，functional group))，并且因此光敏复合物可以趋于粘附到铜表面，从而阻碍蚀刻剂与铜表面的接触，并且因此抑制通过蚀刻剂对铜表面的蚀刻。此外，光敏复合物可以以下述方式对辐照和/或加热进行响应：可以借助于对光敏复合物进行辐照和/或加热而使光敏复合物对铜的亲和性降低。因此，这种被辐照和/或加热的光敏复合物可能不再趋于粘附到铜表面，而是从铜表面分离，并且因而不再保护或屏蔽铜表面免受蚀刻剂的影响。通过将辐照和/或加热具体地或优先地引导在凹部的底部部分处而非是凹部的侧壁部分处(例如，通过对凹部进行大致竖向地辐照和/或加热)，可以具体地在底部部分处发生分离或去除保护，并且因此可以优选地在凹部的竖向方向上而非是在凹部的横向方向上进行蚀刻。因此，可以获得包括具有大致竖向的侧壁的凹部的经蚀刻的电传导层结构。作为另一示例，光敏复合物可以以下述方式对辐照和/或加热进行响应：通过对光敏复合物进行辐照和/或加热可以产生离子和/或可以使电导率和/或蚀刻速度增大。因此，可以由于辐照和/或加热而使包括光敏复合物的蚀刻组合物的反应性增大。此外，在这种情况下，通过将辐照和/或加热具体地或优选地引导在凹部的底部部分处而非是凹部的侧壁部分处，可以优选地在凹部的竖向方向上而非是在凹部的横向方向上进行蚀刻，并且因此，可以获得包括具有大致竖向的侧壁的凹部的经蚀刻的电传导层结构。作为又一示例，光敏复合物可以具有对铜的低亲和性，并且可以以下述方式对辐照和/或加热进行响应：通过对光敏复合物进行辐照和/或加热可以使光敏复合物对铜的亲和性增大。例如，在基于异构化的光反应中(例如，在偶氮复合物的情况下)，被激发的分子的极性可以增大，从而可以导致对铜的亲和性增大。
[0012]在下文中，将说明以下的另外的示例性实施方式：蚀刻电传导层结构的方法，在制造部件承载件期间用于蚀刻电传导层结构的设备，经蚀刻的电传导层结构和部件承载件。然而，本专利技术不限于以下示例性实施方式的具体描述，而是仅出于说明的目的。
[0013]应当注意的是，关于一个示例性实施方式或示例性方面描述的特征可以与任何其他示例性实施方式或示例性方面结合，特别地，通过蚀刻工艺的任何示例性实施方式描述的特征可以与蚀刻工艺的任何其他示例性实施方式结合，并且与蚀刻设备、蚀刻的电传导层结构、部件承载件的实施方式相结合以及与部件承载件、蚀刻的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在制造部件承载件(100)期间对电传导层结构(102)进行蚀刻的方法，其中，所述方法包括：使所述电传导层结构(102)经受包括蚀刻剂(106)和光敏复合物(108)的蚀刻组合物，从而在所述电传导层结构(102)中形成凹部(110)。2.根据权利要求1所述的方法，还包括至少在使所述电传导层结构(102)经受所述蚀刻组合物时的部分时间内对所述凹部进行辐照和/或加热。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述蚀刻剂(106)包括氯化铜(CuCl2)和氯化铁(FeCl3)中的至少一者，以及可选地，所述蚀刻剂(106)包括盐酸(HCl)和过氧化氢(H2O2)中的至少一者。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述光敏复合物(108)具有被配置成用于抑制铜蚀刻的至少一个功能团。5.根据权利要求4所述的方法，其中，被配置成用于抑制铜蚀刻的所述至少一个功能团选自含磷原子的基团、含氮原子的基团、含硫原子的基团以及共轭π体系。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述光敏复合物(108)被配置成用于在被辐照和/或加热时附着到铜表面或从铜表面分离。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光敏复合物(108)具有选自硝基苯基、喹啉、香豆素、二苯乙烯、重氮苯、螺吡喃、三苯基甲烷、邻硝基苄基酯和二氮丙啶的至少一个功能团。8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述光敏复合物(108)被配置成用于在辐照和/或加热时使所述蚀刻组合物的反应性增大。9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述蚀刻组合物包括流变添加剂。10.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：约兰塔，
申请(专利权)人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：