用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底技术

本发明专利技术涉及制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底，所述方法包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与形成有第一半导体层的表面相对的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压该衬底，将该衬底、该第一半导体层以及该第二半导体层分成多片。成多片。成多片。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底


[0001]本专利技术涉及用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底。

技术介绍

[0002]在衬底(晶片)上形成半导体层和其它部件之后，将晶片进行分割，以制造诸如发光元件和光接收元件之类的半导体器件。例如，已知一种利用划片机的刀片分割晶片的技术(例如，日本特开专利公开号2008
‑
270627)。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与其上形成有第一半导体层的表面相反的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压衬底，从而将衬底、第一半导体层以及第二半导体层分成多片。
[0004]根据本专利技术的半导体衬底包括半导体层，该半导体层具有沿着用作划线的区域嵌入的空腔。
附图说明
[0005]图1A是示出了根据第一实施例的半导体器件的剖视图。
[0006]图1B是示出了半导体器件的平面图。
[0007]图2是示出了用于制造该半导体器件的方法的平面图。
[0008]图3A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0009]图3B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0010]图4A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0011]图4B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0012]图5A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0013]图5B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0014]图6A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0015]图6B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0016]图7A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0017]图7B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0018]图8A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0019]图8B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0020]图9是示出了根据第二实施例的半导体器件的剖视图。
[0021]图10A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0022]图10B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0023]图11A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0024]图11B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0025]图12A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0026]图12B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
[0027]图13是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。
具体实施方式
[0028]分割衬底可能会导致生成异物，例如衬底碎片。这些异物可能会粘附到芯片，从而导致外观不良和特征缺陷。因此，本专利技术的目的在于提供一种用于制造半导体器件的方法以及一种半导体衬底，其能够抑制生成异物。
[0029][本专利技术实施例的描述][0030]首先，将列举并描述本专利技术的实施例的内容。
[0031]根据本专利技术的实施例的用于生产半导体光学器件的方法包括：(1)在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与其上形成第一半导体层的表面相反的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压衬底，将衬底、第一半导体层以及第二半导体层分成多片。第一半导体层生长，以在绝缘膜之上延伸。该第一半导体层的在绝缘膜之上延伸的部分比其它部分更可能破裂。可以沿着划线分割衬底，并且可以抑制由于分割而生成异物。
[0032](2)该方法还可以包括：在形成第一半导体层之前，使用绝缘膜作为掩模来蚀刻衬底，以形成台面。第一半导体层生长，以在绝缘膜之上延伸。该第一半导体层的在绝缘膜之上延伸的部分比其它部分更可能破裂。可以沿着划线分割衬底，并且可以抑制由于分割而生成异物。
[0033](3)可以通过施加膦和三甲基铟的生长气体来形成该第一半导体层，并且可以通过施加三甲基铟和氯甲烷的生长气体来形成嵌入层。
[0034](4)根据本专利技术一个实施例的半导体器件包括：半导体层，该半导体层设置在衬底上；以及电极，所述电极设置在该半导体层上。该半导体层具有凹部，该凹部沿着用作划线的区域嵌入。可以沿着用作划线的区域分割该衬底，并且可以抑制由于分割而生成异物。
[0035](5)该半导体器件可以包括绝缘膜，该绝缘膜形成在凹部内。
[0036](6)该半导体器件可以是发光元件或光接收元件。
[0037](7)根据本专利技术一个实施例的半导体衬底包括半导体层，该半导体层具有沿着用作划线的区域嵌入的空腔。可以沿着用作划线的区域分割该衬底，并且可以抑制由于分割而生成异物。
[0038](8)该半导体器件可以包括绝缘膜，该绝缘膜形成在凹部内。
[0039][本专利技术实施例的细节][0040]将参照附图来给出对根据本专利技术各实施例的用于制造半导体器件的方法以及半导体衬底的实施例的描述。本专利技术不限于具体公开的实施例和变型，而是可以在不偏离本专利技术范围的情形下包括其它实施例和变型。
[0041][第一实施例][0042](半导体器件)
[0043]图1A是示出根据第一实施例的半导体器件100的剖视图，并且示出了沿着图1B中的线A
‑
A的剖面。图1B是示出了半导体器件100的平面图，并且是如下所述的示意图。X轴线方向、Y轴线方向以及Z轴线方向彼此正交。X轴线方向和Y轴线方向是半导体器件100的彼此正交的两侧的方向。Z轴线方向是在半导体器件100中半导体层的堆叠方向。
[0044]如图1A和图1B所示，半导体器件100包括台面11(第二台面)和台面15。图1B仅示出了半导体器件100中的台面11和15以及反射膜19。如图1B中所示，该台面15设置成围绕半导体器件100的外周。台面15沿X轴线方向和Y轴线方向延伸。台面11设置在该半导体器件100的中心处。台面11沿X轴线方向延伸。例如，由氮化硅(SiN)制成的反射膜19设置在半导体器件100的沿Y轴线方向延伸的两侧(即，X轴线侧的端面)上。台面15的沿X轴线方向的侧部的长度L1和台面15的沿Y轴线方向的侧部的长度L2例如是300μm。
[0045]如图1A中所示，该半导体器件100是发光元件，其包括衬底10、绝缘膜12和25、半导体层14(对应于第一半导体层)、半导体层22、有源层18、包覆层17和20、接触层24以及电极26和28。该半导体层22、有源层18以及包覆层17和20对应于第二半导体层。
[0046]台面11包括半导体层14、包覆层17、有源层18以及包覆层20。在台面11中，包覆层17设置在半导体层14的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在所述衬底的与其上形成有所述第一半导体层的表面相反的表面上、在与用作所述划线的所述区域相对应的位置处按压所述衬底，从而将所述衬底、所述第一半导体层以及所述第二半导体层分成多片。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：在形成所述第一半导体层之前，使用所述绝缘膜作为掩膜来蚀刻所述衬底，以形成台面。3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：通过施加膦和三甲基铟的生长气体来形成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽中田忠浩，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：