提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构技术

本发明专利技术提供一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构，通过提供设置有若干半导体芯片的晶圆，所述相邻的半导体芯片具有切割道，所述切割道上有用于对准的金属结构、电性测试的金属焊盘、膜厚量测的金属焊盘中的至少一种；沿切割道方向去除所述金属结构或金属焊盘的部分金属或全部金属，形成间隙，以降低切割过程工艺难度，提高切割质量，改善半导体芯片的产品性能。品性能。品性能。

【技术实现步骤摘要】
提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构


[0001]本专利技术涉及一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构。

技术介绍

[0002]如图1所示，在集成电路制造过程中，多个半导体芯片2集成于同一片晶圆1上，图2、图3为图1中区域P的局部放大图，其中示出相邻的两个半导体芯片21、22，以及位于半导体芯片21、22之间的切割道A-A，在晶圆切割工艺过程中，沿切割道A-A进行切割，形成单个的半导体芯片21、22。
[0003]根据图2所示现有技术的一种优选实施例，切割道A-A上有用于对准的金属结构23，照明激光经反射垂直入射晶圆上的金属结构23后发生衍射并返回，通过特殊构建的滤波器保留正负一级衍射光，该衍射光返回投影物镜后与掩膜标记发生干涉，光电探测器接收含有掩膜标记和晶圆上金属结构23的二维对准叠栅强度信息，最后通过光电探测器可以在掩膜光栅后接收到光强随晶圆位移的莫尔信号函数（正弦关系）。
[0004]根据图3所示现有技术的另一优选实施例，切割道A-A上有用于电性测试或膜厚量测的金属焊盘24，其中膜厚量测的现行方法主要是椭圆偏振测试，其基本原理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，包括：提供设置有若干半导体芯片的晶圆，所述相邻的半导体芯片具有切割道，所述切割道上有用于对准的金属结构、电性测试的金属焊盘、膜厚量测的金属焊盘中的至少一种；沿切割道方向去除所述金属结构或金属焊盘的部分金属或全部金属，形成间隙，以降低后续切割的难度。2.如权利要求1提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，沿间隙深度方向，金属被完全刻蚀。3.如权利要求1提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，沿间隙深度方向，金属被部分刻蚀。4.如权利要求1提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，预先设计间隙的位置、大小、形状，保证晶圆对准、电性测试或膜厚量测的有效性。5.如权利要求4的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，对于用于膜厚量测的金属焊盘，保证量测性能为置信度大于等于0.9。6.如权利要求5的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，提供光斑照射于所述晶圆，所述光斑分别对应于所述金属焊盘进行晶圆量测。7.如权利要求5的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，当所述间隙宽度与金属焊盘宽度的比值大于等于一阈值时，所述焊盘间隙可设置于所述金属焊盘的非中间区域。8.如权利要求1的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，所述间隙通过版图设计来实现，并且间隙的方向和所处的切割道的方向一致。9.如权利要求1的提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，采用激光隐形切割工艺沿所述金属结构或金属焊盘的中间区域切割所述晶圆。10.如权利要求1的提...

【专利技术属性】
技术研发人员：许乐，赵立新，李玮，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：