扫描驱动方法及其平面显示器技术

技术编号:3027664 阅读:154 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种扫描驱动方法,使用于一平面显示器。此扫描驱动方法于第一时序期间内,利用第N级扫描线提供一第一扫描电压至像素列,以导通对应的薄膜晶体管,并利用第N+1级提供一第二扫描电压经由导通的薄膜晶体管输出至对应的第一开关,以导通第一开关并将对应的数据线的第一数据电压输出至对应的第一像素电极。其中,第一扫描电压与第二扫描电压的绝对差值不小于薄膜晶体管的临界电压值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种扫描驱动方法及其平面显示器,特别是涉及一种像素多任务的扫描驱动方法及其平面显示器。
技术介绍
以往的平面显示器中,各像素分别地耦接至一数据线与一扫描线,且由驱动电路来提供对应的数据电压与扫描电压。由于目前市场的需求,平面显示器的尺寸越来越大,分辨率越来越高,驱动电路的成本也随之增加,使得平面显示器的成本也越来越高。因此,为了有效降低显示器成本来提高市场竞争力,像素多任务平面显示器的设计便因应而生。请参考图1,其为已知像素多任务平面显示器的像素阵列的示意图。请同时参考图2,其为图1所示平面显示器的扫描电压与数据电压的时序图。像素阵列100采用像素多任务驱动方法,藉由同一条数据线提供相邻两像素适当的数据电压。以下是以耦接数据线Dm及扫描线Gn的第N像素列Ln的相邻两像素A与B为例说明像素多任务驱动方法。首先,于t0至t1的时序期间,利用第N级扫描线Gn提供扫描电压Vn至第n像素列Ln,以导通对应的薄膜晶体管M2,并利用第N+1级扫描线Gn+1提供扫描电压Vn+1经由导通的薄膜晶体管M2输出至对应的薄膜晶体管M1,以导通薄膜晶体管M1并将对应的数据线Dm的数据电压D1输出至对应的像素A。此外,第N级扫描线Gn输出的扫描电压Vn导通对应的薄膜晶体管M3,并将对应的数据线Dm的数据电压D1输出至像素B。其中,扫描电压Vn实质上等于扫描电压Vn+1。然而,根据薄膜晶体管的特性,当薄膜晶体管M2导通时,由薄膜晶体管M2所输出至晶体管M1的栅极电压并非等于扫描线Gn+1所提供的扫描电压Vn+1,而是比扫描电压Vn+1低一个晶体管的临界电压值(ThresholdVoltage)(例如是5V),亦即晶体管M1的栅极电压=20V-5V=15V。另外,晶体管M3的栅极电压等于扫描线Gn的扫描电压Vn=20V。也就是说,于t0至t1的时序期间,像素A与B接收数据电压D1以进行充电时,由于薄膜晶体管M1的栅极电压(=15V)实质上小于薄膜晶体管M3的栅极电压(=20V),使得像素A的充电能力比像素B的充电能力差。且由于两像素A与B间充电能力的不平均,还会造成平面显示器的画面闪烁的现象。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的是提供一种像素驱动方法及其平面显示器。可有效解决由于平面显示器采用像素多任务的驱动方式而造成像素之间电压不平衡的问题,使得画面闪烁的现象有显著的改善。根据本专利技术的目的,提出一种扫描驱动方法,使用于平面显示器。首先,于第一时序期间内,利用第N级扫描线提供第一扫描电压至像素列,以导通对应的薄膜晶体管,并利用第N+1级提供第二扫描电压经由导通的薄膜晶体管输出至对应的第一开关,以导通第一开关并将对应的数据线的第一数据电压输出至对应的第一像素电极。其中,第一扫描电压与第二扫描电压的绝对差值不小于薄膜晶体管的临界电压值。接着,于第二时序期间内,第N级扫描线提供第三扫描电压至像素列以导通对应的薄膜晶体管以及第二开关,第N+1级扫描线输出第四扫描电压经由导通的薄膜晶体管输出至对应的第一开关以关闭第一开关,同时导通的第二开关将对应的数据线的第二数据电压输出至对应的第二像素电极。根据本专利技术的目的,提出一种平面显示器,其包括一基板与多个像素。此些像素皆包括第一子像素与第二子像素。第一子像素包括第一像素电极、第一开关与薄膜晶体管。第二子像素包括第二像素电极与第二开关。其中,于第一时序期间内,第N级扫描线输出第一扫描电压至此些像素其中的一像素列以导通对应的薄膜晶体管,而第N+1级扫描线输出第二扫描电压经由导通的薄膜晶体管输出至对应的第一开关,以导通第一开关并将对应的数据线输出的第一数据电压输出至对应的第一像素电极,且第一扫描电压与第二扫描电压的绝对差值不小于薄膜晶体管的临界电压值。于第二时序期间内,第N级扫描线提供第三扫描电压至像素列以导通对应的薄膜晶体管以及第二开关,第N+1级扫描线输出第四扫描电压经由导通的薄膜晶体管输出至对应的第一开关以关闭第一开关,同时导通的第二开关将对应的数据线的第二数据电压输出至对应的第二像素电极。为使本专利技术的上述目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并结合附图详细说明如下。附图说明图1示出了已知像素多任务平面显示器的像素数组的示意图。图2示出了图1所示平面显示器的扫描电压与数据电压的时序图。图3示出了依照本专利技术一较佳实施例的像素多任务平面显示器的示意图。图4示出了依照图3的显示区310中像素的电路结构示意图。图5示出了依照图4中扫描线与数据线的时序图。图6示出了依照电路软件仿真本专利技术实施例所得的扫描线与数据线的时序图。图7示出了依照本专利技术较佳实施例的扫描线与数据线时序图的另一实施例。图8示出了依照本专利技术实施例的另一种像素的电路结构示意图。图9示出了依照图8中数据线与扫描线的时序图。附图符号说明10第一像素电极20第一开关30薄膜晶体管40第二像素电极50第二开关100、800像素阵列300平面显示器310显示区312基板320扫描驱动电路330数据驱动电路 具体实施例方式请参考图3,其示出了依照本专利技术一较佳实施例的像素多任务平面显示器的示意图。平面显示器300,例如是一种液晶显示器,其包括基板312、扫描驱动电路320与数据驱动电路330。基板312设置有多条扫描线G、多条数据线D以及显示区(Display Area)310。显示区310用以显示一画面,且显示区310包括多列像素(未示出了于图中)。扫描驱动电路320以及数据驱动电路330分别经由扫描线G以及数据线D耦接至显示区310。于正常驱动模式中,扫描驱动电路320通过扫描线G输出扫描电压至基板312,以致能对应的像素。数据驱动电路330经由数据线D输出的数据电压,以显示像素显像。请参考图4,其示出了图3的显示区310中像素的电路结构示意图。于显示区310中,所有的像素P均包括第一子像素P1与第二子像素P2,接下来便以第N列像素Ln中耦接数据线Dm及扫描线Gn的像素P为例作说明。第一子像素P1包括第一像素电极10、第一开关20与薄膜晶体管30。第二子像素P2包括第二像素电极40与第二开关50。第一开关20、薄膜晶体管30与第二开关50例如皆为一N型金属氧化物半导体(N-type Metal OxideSemiconductor,NMOS)场效晶体管。于第一子像素P1中,第一开关20耦接至第一像素电极10与对应的数据线Dm,而薄膜晶体管30耦接至对应的第N级扫描线Gn、第N+1级扫描线Gn+1与第一开关20。于第二子像素P2中,第二开关50耦接至第二像素电极40、数据线Dm与第N级扫描线Gn。接下来将详细说明本专利技术实施例如何解决像素多任务驱动方式所造成显示器的画面闪烁的问题。请参考图5,其示出了图4中数据线Dm与扫描线Gn、Gn+1的时序图。于t0至t1的时序期间内,第N级扫描线Gn输出第一扫描电压V1至第N像素列Ln以导通对应的薄膜晶体管30。同时第N+1级扫描线Gn+1输出第二扫描电压V2经由导通的薄膜晶体管30输出至对应的第一开关20,以导通第一开关20并将对应的数据线Dm输出的第一数据电压D1输出至对应的第一像素电极10,并据以显示对应的像素影像。此外,第N级扫描线Gn输出的第一扫描电压V1导通对应的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种扫描驱动方法,使用于一平面显示器,该平面显示器包括多个像素、多级扫描线与多条数据线,所述像素包括一第一子像素与一第二子像素,所述第一子像素包括一第一像素电极、一第一开关与一薄膜晶体管,所述第二子像素包括一第二像素电极与一第二开关,所述像素的该第一开关耦接该第一像素电极及对应的该数据线,所述像素的该薄膜晶体管系耦接对应的该级扫描线、下一级扫描线及该第一开关,所述像素的该第二开关系耦接该第二像素电极、对应的该级扫描线及该数据线,该扫描驱动方法包括:    于一第一时序期间内,利用该级扫描线提供一第一扫描电压至所述像素其中的一像素列,以导通对应的所述薄膜晶体管,并利用下一级扫描线提供一第二扫描电压经由导通的所述薄膜晶体管输出至对应的所述第一开关,以导通所述第一开关并将对应的所述数据线的多个第一数据电压输出至对应的所述第一像素电极,其中该第一扫描电压与该第二扫描电压的绝对差值不小于所述薄膜晶体管的一临界电压值;以及    于一第二时序期间内,利用该级扫描线提供一第三扫描电压至该像素列,以导通对应的所述薄膜晶体管以及所述第二开关,并利用下一级扫描线提供一第四扫描电压经由导通的所述薄膜晶体管输出至对应的所述第一开关以关闭所述第一开关,同时利用导通的所述第二开关将对应的所述数据线的多个第二数据电压输出至对应的所述第二像素电极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈世烽曾贵圣张立勋陈文彬
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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