平面显示器用玻璃基板及其制造方法技术

本发明专利技术是提供一种包含应变点或玻璃转移点所代表的低温黏性范围内的特性温度较高、热收缩率较小、且于利用直接通电加热的熔解时可避免熔解槽熔损的问题发生的玻璃的p-Si·TFT平面显示器用玻璃基板及其制造方法。本发明专利技术的玻璃基板包含含有52～78质量%SiO2、3～25质量%Al2O3、3～15质量%B2O3、3～25质量%RO(其中，RO为MgO、CaO、SrO及BaO的总量)、0.01～1质量%Fe2O3、0～0.3质量%Sb2O3，且实质上不含As2O3，质量比(SiO2+Al2O3)/B2O3为7～30的范围，且质量比(SiO2+Al2O3)/RO为6以上的玻璃。本发明专利技术的玻璃基板的制造方法包括以下步骤：至少使用直接通电加热熔解调合成上述玻璃组成的玻璃原料而获得熔融玻璃的熔解步骤；将上述熔融玻璃成形为平板状玻璃的成形步骤；以及缓冷上述平板状玻璃的缓冷步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种平面显示器用玻璃基板、尤其是涉及一种多晶硅薄膜(以下记为P-Si)。更详细地说，本专利技术涉及一种于基板表面形成P-Si而制造的平面显示器中所使用的玻璃基板及其制造方法。更具体地说，本专利技术涉及一种多晶硅薄膜晶体管(以下记为P-Si.TFT)。进一步详细而言，本专利技术涉及一种于基板表面形成P-Si.TFT而制造的平面显示器中所使用的玻璃基板及其制造方法。进一步具体而言，本专利技术涉及一种P-Si.TFT平面显示器为液晶显示器的P-Si.TFT。或者，本专利技术涉及一种有机EL(Electro Luminescence,电致发光)显示器用玻璃基板及其制造方法。或者,本专利技术涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管平面显示器用玻璃基板。进一步详细而言，本专利技术涉及一种于基板表面形成氧化物半导体薄膜晶体管而制造的平面显示器中所使用的玻璃基板及其制造方法。
技术介绍
对于搭载于便携装置等小型机器上的显示器，出于可降低消耗电力等理由，而于薄膜晶体管(TFT)的制造时使用p-Si (多晶硅)。当前，于p-S1-TFT平面显示器的制造时必需进行400 600°C的相对高温下的热处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.01 JP 2011-147767;2012.03.15 JP 2012-059231.一种P-Si.TFT平面显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，所述玻璃含有 52 78 质量 ％Si02、3 25 质量 ％A1203、 3 15质量％B203、 3 25质量％R0、0.0l I 质量 ％Fe203、·O 0.3 质量 ％Sb203， 且所述玻璃实质上不含As2O3, 质量比(Si02+Al203)/B203在7 30的范围，且质量比(Si02+Al203)/RO为6以上， 其中，RO为Mg。、Ca。、SrO及BaO的总量。2.如权利要求1的玻璃基板，其中上述玻璃实质上不含Sb203。3.—种p-Si.TFT平面显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，所述玻璃含有 52 78 质量 ％Si02、3 25 质量 ％A1203、 3 15质量％B203、 3 13质量％R0、0.01 I 质量 ％Fe203， 并且，所述玻璃实质上不含Sb2O3,且实质上不含As2O3, 质量比如02+41203)作203在8.9 20的范围，且质量比(Si02+Al203)/R0为7.5以上， 其中，RO为Mg。、Ca。、SrO及BaO的总量。4.如权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板，其中SiO2的含量为58 72质量％，Al2O3的含量为10 23质量％，B2O3的含量为3 不足11质量％。5.如权利要求1至4中任一项所述的玻璃基板，其中 SiO2及Al2O3的合计含量为75质量％以上， R0、ZnO及B2O3的合计含量为7 不足20质量％，且 B2O3的含量为3 不足11质量％。6.如权利要求1至5中任一项所述的玻璃基板，其中上述玻璃的应变点为688°C以上。7.如权利要求1至5中任一项所述的玻璃基板，其中上述玻璃由R2O的含量为0.01 0.8质量％的玻璃形成，其中，R2O的含量为Li20、Na2O及K2O的总量。8.如权利要求1至7中任一项所述的玻璃基板，其中上述玻璃的β-OH值为0.05 0.4mm、9.如权利要求1至8中任一项所述的玻璃基板，其中上述玻璃的ZrO2的含量不足0.2质量％。10.如权利要求1至9中任一项所述的玻璃基板，其中上述玻璃的SrO及BaO的合计含量为O 不足2质量％。11.一种p-Si.TFT平面显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，所述玻璃含有 ·52 78 质量 ％Si02、·3 25 质量 ％A1203、 ·3 15质量％B203、3 13质量％R0、.0.0l 1 质量 ％Fe203， 并且，所述玻璃实质上不含Sb2O3,且实质上不含As2O3，其中，RO为Mg0、Ca0、Sr0及BaO的总量， 所述玻璃基板于升降温速度为10°C /min、550°C下实施保持2小时的热处理后的由下述式所表示的热收缩率为75ppm以下， (式) 热收缩率(PPm) = {热处理前后的玻璃的收缩量/热处理前的玻璃的长度} X IO6012.如权利要求11的玻璃基板，其中热收缩率为60ppm以下。13.如权利要求11或12的玻璃基板，其中上述热收缩率是如下得到的值:将玻璃基板于Tg下保持30分钟后，以100°C /min冷却至Tg_100°C，进行放置冷却直至室温的缓冷操作后，实施上述热处理而获得的值。14.一种p-Si.TFT平面显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，所述玻璃含有 57 75 质量 ％Si02、 8 25 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山昭浩，阿美谕，市川学，
申请(专利权)人：安瀚视特控股株式会社，
类型：
国别省市：