平面面板显示器用玻璃基板及其制造方法技术

本发明专利技术的平面面板显示器用玻璃基板由下述玻璃形成，且热收缩率为75ppm以下；以摩尔%表示，上述玻璃含有：55～80%的SiO2、3～20%的Al2O3、3～15%的B2O3、及3～25%的RO(MgO、CaO、SrO及BaO的合计量)，实质上不含As2O3及Sb2O3，且失透温度为1250℃以下。其中，上述所谓热收缩率是指：使用实施升降温速度为10℃/分、于550℃下保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值。热收缩率(ppm)={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度}×106。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)型液晶显示器及有机电致发光(Electro Luminescence,EL)显示器等薄型且耗电较少的平面面板显示器被广泛用作行动设备等的显示器。对于这些显示器用的基板，通常使用玻璃基板。TFT中存在非晶硅(a-Si)-TFT与多晶硅(p-Si)-TFT。从可实现超高精细且美丽的画面、可实现显示器的高耐久性、可实现显示器的薄型/轻量化、及可实现低消耗电力化等方面出发，P-S1-TFT优于a-S1-TFT。但是，以往在p-S1-TFT的制造中需要高温处理。因此，制造P-S1-TFT时玻璃基板产生热收缩及热冲击，故无法使用二氧化硅玻璃以外的玻璃。结果，难以于液晶显示器中应用p-S1-TFT。然而，近年来开发出了降低了热处理温度的低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，LTPS) TFT，从而可将p-S1-TFT应用于平面面板显示器。由此，即便为移动设备等小型设备的显示器，也可实现高精细且美丽的画面。但是，p-S1-TFT的制造中仍需要400 600°C的高温热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.01 JP 2011-147759;2012.03.15 JP 2012-059131.一种形成P-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其由下述玻璃构成，且热收缩率为75ppm以下； 以摩尔％表示，上述玻璃含有:55 80% 的 SiO2、3 20% 的 A1203、 3 15%的B2O3、及 3 25% 的 R0, 所述玻璃实质上不含As2O3及Sb2O3,且失透温度为1250°C以下， RO 为 MgO、CaO、SrO, BaO 的合计量； 其中，上述所谓热收缩率是指:使用实施升降温速度为10°c /分、于550°C保持2小时的热处理后的玻璃基板的收缩量，利用下式求出的值， 热收缩率(PPm) ={热处理后的玻璃基板的收缩量/热处理前的玻璃基板的长度} X IO602.如权利要求1所述的形成P-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其热收缩率为60ppm以下。3.如权利要求1或2所述的形成p-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃的应变点为680°C以上。4.如权利要求1 3任一 项所述的形成p-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃中，Si02、Al203、B203 & RO以摩尔％表示的含有率满足(Si02+2 X Al2O3) /(2 X B203+R0) >3.0 的关系。5.如权利要求1 4任一项所述的形成p-S1-TFT的平面面板显不器用玻璃基板,其中，上述玻璃中，SiO2及Al2O3以摩尔％表示的含有率满足Si02+2A1203 ^ 80% 的关系。6.如权利要求1 5任一项所述的形成p-S1-TFT的平面面板显不器用玻璃基板,其中，上述玻璃含有ZnO作为可选成分， 上述玻璃中，B203、RO及ZnO以摩尔％表示的含有率满足 B203+R0+Zn0<20% 的关系。7.如权利要求1 6任一项所述的形成p-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其中，上述玻璃的液相黏度为104 5dPa s以上，利用下拉法将上述玻璃成形而获得。8.如权利要求1 7任一项所述的形成p-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板，其为液晶显示器用玻璃基板。9.一种形成p-S1-TFT的平面面板显示器用玻璃基板的制造方法，其包括: 熔融步骤，将以下玻璃原料熔融而生成熔融玻璃，以摩尔％计，上述玻璃原料按成为SiO2为55 80%、Al2O3为3 20%、B2...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山昭浩，阿美谕，市川学，
申请(专利权)人：安瀚视特股份有限公司，
类型：
国别省市：