一种微发光二极管的修复方法技术

本发明专利技术提供了一种微发光二极管的修复方法，包括：清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料；将带有焊料合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。此微发光二极管的修复方法无需设置冗余电路和冗余焊点，也无需在坏点位置区域处重新制备焊料，能够有效缩短工艺时间，节省工艺成本，降低工艺难度，进一步有效保证了显示面板的发光效果。一步有效保证了显示面板的发光效果。一步有效保证了显示面板的发光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管的修复方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及了一种微发光二极管的修复方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示面板因其寿命长、色域广、亮度高、发光效率高等优点，逐渐成为面板行业研究热点。
[0003]在实际的生产和应用过程中，当发现微发光二极管损坏时，由于微发光二极管的尺寸较小，且为了实现高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)而设置的微发光二极管之间的间距小，导致微发光二极管的修复工艺难度较大，现有技术中尚无较好的微发光二极管修复的方法，急需研究一种新的修复方法。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种微发光二极管的修复方法，以改善现有修复工艺难度大的问题。
[0005]本专利技术一实施例中提供了一种微发光二极管的修复方法，包括：清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料；将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。
[0006]在一个实施例中，所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤，包括：采用激光技术清理所述坏点位置的所述微发光二极管芯片和所述焊料。激光技术能量稳定，工艺均匀性好，加工质量高。
[0007]在一个实施例中，所述焊料包括金属材料或有机胶，金属材料延展性好，有机胶可以保护微发光二极管芯片在后续的工艺步骤中免受损害，本实施例提供了焊料的多种可实施方式。
[0008]在一个实施例中，所述金属材料包括铟金属、锡金属或合金；优选地，所述合金包括铟锡锑合金、铟锡合金或铟锡铜合金。提供多种可选择的金属材料将微发光二极管芯片更稳定的邦定在背板上。
[0009]在一个实施例中，所述有机胶包括ACF或SAP。有机胶可以将微发光二极管芯片的电极包裹住，避免在后续邦定过程中用力过大损坏电极结构。
[0010]在一个实施例中，所述金属材料的厚度为3-7微米，或所述有机胶的厚度为3-10微米。在本实施例中分别提供了焊料和有机胶的厚度，确保了合格的微发光二极管芯片能够牢固的邦定在背板上。
[0011]在一个实施例中，在所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤之前，还包括：检测出所述坏点位置。准确知道坏点位置的具体坐标，便于后续操作的实施。
[0012]在一个实施例中，所述检测出所述坏点位置的步骤包括：采用紫外线检测、PL+AOI检测、接触式光电检测技术或者点屏下拍照检测的方式检测出所述坏点位置。能够精确的检测出坏点位置，本实施例提供了多种检测坏点位置的方式，具体可根据实际需求进行设
定。
[0013]在一个实施例中，在所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤中包括：采用转移头将所述坏点位置的所述微发光二极管芯片转移走；和/或，在所述将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处的步骤中包括：采用转移头将所述合格的微发光二极管芯片转移至所述坏点位置处。利用转移头对微发光二极管芯片进行转移操作，步骤方便快捷，同时还节约成本。
[0014]在一个实施例中，在所述将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处的步骤之后，还包括：检测所述合格的微发光二极管芯片是否固定牢固以及是否能正常发光以确定修复是否成功。确保背板上的所有微发光二极管均可以正常显示。
[0015]本专利技术实施例提供了一种微发光二极管的修复方法，该修复方法具体包括：清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料；将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。该微发光二极管的修复方法无需设置冗余电路和冗余焊点，也无需在坏点位置区域处重新制备焊料，能够有效缩短工艺时间，节省工艺成本，降低工艺难度。
附图说明
[0016]图1所示为本专利技术一实施例提供的一种微发光二极管的修复方法的流程图。
[0017]图2-图6所示分别为本专利技术一实施例提供的一种微发光二极管的修复方法对应的步骤图。
[0018]附图标记：
[0019]10-背板；20-微发光二极管芯片；30-焊料；40-有机胶；50-P电极/N电极；60-有机胶。
具体实施方式
[0020]专利技术人发现了现有技术中有关微发光二极管的修复方法大多采用冗余电路或者冗余焊点的方案，但是此方案存在工艺转移时间、制作成本高、制作时间长的问题，而且冗余设计无法满足高PPI的显示，影响显示面板的显示效果。
[0021]本申请提供的微发光二极管的修复方法能够有效简化工艺，节省工艺成本，保证显示面板的发光效果。
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0024]本专利技术一实施例中提供了一种微发光二极管的修复方法，具体可参见图1，图1所示为本专利技术一实施例提供的一种微发光二极管的修复方法的流程图，具体包括：
[0025]S101：清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料。
[0026]S102：将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的坏点位置处。
[0027]在本实施例中，采用原位修复方案，清理干净位于坏点位置的微发光二极管芯片20和焊料30，重新选取带有焊料的合格的微发光二极管芯片20再次邦定在背板10上的坏点位置处，不需要冗余电路和冗余焊点，制作工艺时间和成本大大降低，同时进一步降低了工艺难度。在一个实施例中，采用激光技术清理位于坏点位置的微发光二极管芯片20和焊料30。可以理解的是，激光技术可以发射高峰值功率的激光束，能够产生瞬时高温清除位于坏点位置的微发光二极管芯片20和焊料30，激光技术加工工艺均匀性好，同时加工质量高。具体的可参见图2-图6，图2-图6为本专利技术一实施例提供的一种微发光二极管的修复方法对应的步骤图，其中，图2中包括背板10，焊料30，微发光二极管芯片20，图中只示出了坏点位置处的微发光二极管芯片20和焊料30。
[0028]具体的，背板10可以为硅基材料制成，例如可以是硅基CMOS背板，背板10内部可设置有驱动电路，驱动电路可以向微发光二极管芯片20提供驱动信号，以驱动微发光二极管芯片20发出对应的光；多个微发光二极管芯片20可均匀的分布于背板10上，从而使得显示面板的显示较为均匀。
[0029]具体的，微发光二极管芯片20包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管的修复方法，其特征在于，包括：清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料；将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。2.根据权利要求1所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述清理坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤，包括：采用激光技术清理位于所述坏点位置的所述微发光二极管芯片和所述焊料。3.根据权利要求1或2所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述焊料包括金属材料或有机胶。4.根据权利要求3所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述金属材料包括铟金属、锡金属或合金；优选地，所述合金包括铟锡锑合金、铟锡合金或铟锡铜合金。5.根据权利要求3所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述有机胶包括ACF或SAP。6.根据权利要求3-5任一项所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述金属材料的厚度为3-7微米，或所述有机胶的厚度为3-10微米。7.根据权利要求1-6任一项所述的微发光二极管的修复方...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛翠翠，夏继业，田文亚，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：