【技术实现步骤摘要】
的气体体积流量比5：1～1：1，微波功率2～60kW，温度600～1000℃，涂层厚度10μm～200μm。
[0009]本专利技术采用利用烧蚀方法对SiC基体刻蚀，刻蚀装置价格低廉、使用方便、可控型好、单点重复性好、误差小等优点，可以烧蚀微纳尺度的各种图案。同时采用氢氧等离子体既可以清洁活化表面，又可以通过参数设定以及气氛作用在SiC基体上进行不同程度的刻蚀，形成不同尺寸的尖锥化图形。结合上述两种方式的优点，可在SiC基体表面形成精密刻蚀的图形阵列，同时还通过采用氢氧等离子体刻蚀对表面产生了活化，一方面可提高金刚石的成核密度和生长速度，另一方面可以进一步提高金刚石和siC基体间的结合强度。此外，通过MPCVD所得的纳米金刚石抛光片质量高，均匀性好，可用陶瓷、硬质合金、玻璃等材料的研磨抛光领域。
附图说明
[0010]图1为实施案例1的金刚石抛光片制备过程示意图。
[0011]图2为实施案例2的金刚石抛光片制备过程示意图。
具体实施方式
[0012]下面通过实施例来进一步说明本专利技术，但不局限于以下实施例。
[0013]实施例1：1)SiC基板烧蚀将单面晶面抛光的SiC基板（表面粗糙度小于0.01mm）进行清洗烘干，设置激光烧蚀参数与图案类型：频率：4KHz，速度：10μm/s，圆柱直径：200μm，，高度：80μm，单个图案为圆柱形，阵列图案为正方形，对SiC基本进行图案阵列化烧蚀。
[0014]2)SiC基板刻蚀将烧蚀图案化的SiC基板至于等离子体化学气相沉积装置中，以H2和O2作为刻蚀气...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精密金刚石抛光片的制备方法，包括以下步骤：A. 预图形化：利用激光烧蚀技术在抛光后且光滑洁净的SiC基体表面进行图案化处理，获得具有不同柱状阵列图案的图形化基体；B. 等离子体刻蚀：将预图形化的SiC基体置入微波等离子体化学气相沉积装置中，通入氧气和氢气，开启微波等离子体化学气相沉积装置，激发形成氧和氢的复合等离子体产生刻蚀作用，将柱状阵列转化为尖锥阵列, 停止通入氧气；C. 制备纳米金刚石涂层：通入含碳气体同时调节氢气流量，在图形化基体表面沉积纳米金刚石膜，最终在SiC基体表面制备由纳米金刚石包覆的尖锥阵列的高精密金刚石抛光片。2.根据权利要求1所述的高精密金刚石抛光片的制备方法，其特征在于：在步骤A中，烧蚀图案可为矩形阵列或同心圆阵列，其中图案单个图形为三角形、圆形或多边形中的任意一种，相邻单个图形的间距为50
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200 μm。3.根据权利要求1所述的高精密金刚石抛光片的制备方法，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：于盛旺，吴艳霞，黑鸿君，高洁，郑可，马永，周兵，王永胜，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：
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