一种碳化硅纳米隔热吸波复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅纳米隔热吸波复合材料及其制备方法，由碳泡沫基底模板、碳化硅涂层增强界面和碳化硅纳米线网络结构构成，采用未完全分解的碳泡沫作为基底模板，构成表面非连续间断分布碳化硅涂层增强界面，在化学气相渗透过程中采取先通气后加热技术制备初始碳化硅纳米线，与碳化硅涂层增强界面构成“T”字型钉扎结构，然后采用高温氧化和高速载气流量来去除残余催化剂，制备的二次碳化硅纳米线与初始碳化硅纳米线形成“T”字型钉扎结构，相互交织构成碳化硅纳米线网络结构，避免了碳化硅涂层增强界面连续融合及碳化硅纳米线贯穿泡孔，有效延长了热量传输途径，同时促进了电磁波的反射吸收，协同提高了隔热性能性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅纳米隔热吸波复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术专利涉及一种隔热吸波复合材料，特别是涉及一种碳化硅纳米隔热吸波复合材料，可以在高温复杂服役条件下实现长期应用。
技术背景
[0002]随着电磁技术的发展与应用，各种电子电器产品广泛应用于社会生活中的各个领域，电子设备在运行时会向周边环境产生强烈的电磁波辐射以实现信号的传递，但不可避免地对生态环境以及人类自身产生严重的电磁污染，设备信号之间相互交互而产生复杂的电磁网络，不仅干扰了电子系统的正常工作，还加剧了对人类健康的威胁。如果人长时间处于复杂电磁辐射网络，电磁波会扰乱人体组织分子运动，严重破坏人体内部环境平衡，引起神经系统和心血管系统的功能紊乱。同时，不同的电磁波频率、波段强度以及作用时间会对人体各系统以及机能造成不同程度的伤害。
[0003]在军事领域，随着现代战争的信息化程度不断提高，电子设备向微型化、集成化和高频化的趋势发展，由电磁辐射引起的电磁干扰以及电磁污染问题日益严重，这就要求电子设备具有优异的电磁吸波或屏蔽性能，对无用或敌对的电磁波进行吸波或屏蔽，并有效阻隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅纳米隔热吸波复合材料，由碳泡沫基底模板、碳化硅涂层增强界面和碳化硅纳米线网络结构构成，体积密度为15.0～25.0kg/m3，常温导热系数为0.030～0.040W/(m
·
K)，最小反射损耗为
‑
40.0～
‑
30.0dB，其特征在于碳泡沫基底模板采用梯度热解工艺制备，为三维开孔结构，压缩模量为200.0～300.0kPa，吸收能力为7.0～9.0kJ/m3，孔隙率为95.0～99.0％，泡孔尺寸为25.0～40.0μm；碳化硅涂层增强界面采用化学气相沉积工艺制备，在碳泡沫基底骨架表面呈非连续间断分布，厚度为1.0～2.0μm，抗压强度为1.0～1.5Mpa，压缩模量为10.0～15.0MPa；碳化硅纳米线网络结构采用化学气相渗透工艺制备，在碳化硅涂层增强界面呈树枝状分叉生长，直径为50.0～100.0nm，长度为2.0～5.0μm，弯曲强度为5.0～10.0GPa，弹性模量为400.0～500.0GPa；所述的碳化硅纳米线网络结构由初始碳化硅纳米线和二次碳化硅纳米线构成，初始碳化硅纳米线与碳化硅涂层增强界面形成“T”字型钉扎结构，二次碳化硅纳米线主要与初始碳化硅纳米线形成“T”字型钉扎结构，相互交织构成仅在碳化硅涂层增强界面5.0～10.0μm范围内生长的碳化硅纳米线网络结构。2.一种权利要求1所述的碳化硅纳米隔热吸波复合材料制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在惰性气氛保护保护下...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶信立，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：