一种高反射低欧姆接触电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。电光转化效率。电光转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高反射低欧姆接触电极的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种高反射低欧姆接触电极的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于半导体发光二极管 (LED) 在照明、显示、医学、畜牧业、农业等领域的广泛应用而倍受关注。LED的发光源自于芯片内部P型层和N型层之间的发光层。当接通外部电源，电子和空穴对在发光层中复合发光。但是，当光线射向基板层时将会被不透光的基板吸收，造成大量的光损耗并产生热量，对器件造成不良的影响。如图1所示，为了提高出光效率，业界通常在P
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GaN上制备反射镜层，将射向基板侧的光反射到出光层，可显著提高器件的发光效率。但由于反射镜层与P
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GaN难以形成良好的欧姆接触，较高的势垒导致LED器件的电压升高。因此在P
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GaN上制备高反射低欧姆接触电极，对提升LED器件的光电性能有至关重要的作用。
[0003]目前垂直结构 LED芯片的P面反射电极大多采用Ni/Ag、NiO/Ag/Ni等结构。专利文献中也给出了在倒装结构LED芯片中制备反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，包括在衬底上生长多层氮化物半导体结构，其中所述多层氮化物半导体结构依次包括N型层、发光层和P型层，其特征在于：在所述P型层上依次制备能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜作为反射电极。2.根据权利要求1所述的高反射低欧姆接触电极的制备方法，其特征在于：所述金属纳米点为Au、Pt、Ni多种金属材料中的任意一种，或任意...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小明，胡志敏，陈芳，莫春兰，王立，
申请(专利权)人：南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：