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本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆...
该专利属于南昌硅基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌硅基半导体科技有限公司授权不得商用。

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