一种微LED及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种微LED及其制备方法。微LED包括衬底、外延层、电流阻挡层、透明导电层、第一金属pad、第二金属pad、绝缘层、DBR反射层、第一金属电极及第二金属电极。绝缘层设置于所述透明导电层上，且包覆所述透明导电层除去所述第一金属pad的区域。本发明专利技术的微LED在透明导电层与DBR反射层之间增加了一层绝缘层，绝缘性更佳，能够改善第一金属pad与第二金属pad之间的漏电，并且，进一步的，绝缘层为通过PVD技术镀膜而成的AlN层，如此条件制备而得的AlN层拥有较好的膜质密度，能起到更好的绝缘性，杜绝第一金属pad和第二金属pad之间的漏电，同时增强DBR反射层和透明导电层之间的粘附效果，从而提升微LED的可靠性。从而提升微LED的可靠性。从而提升微LED的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种微LED及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种微LED及其制备方法，尤其涉及一种防漏电死灯的微LED及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前倒装微LED芯片主要基于蓝宝石衬底结合GaN材料进行生长，微LED(miniLED/microLED)基于蓝宝石图形化衬底进行生长，然后进行芯片制程加工，生长钝化层和DBR反射层，蒸镀电极，研磨薄片，根据客户需求进行分档出货。
[0003]具体结构如图1所示，衬底1上沉积外延层2(n
‑
GaN层21、多量子阱层22和p
‑
GaN层23)，然后再依次沉积电流阻挡层3及透明导电层4，后制作第一金属pad5及第二金属pad7,再沉积包覆上述所有层别的DBR反射层，DBR反射层也起钝化层的作用，再在DBR反射层上开设通孔后设置第一金属电极51及第二金属电极71以与第一金属pad5及第二金属pad7导通。
[0004]但是，上述的DBR反射层的钝化效果具有一定的局限性，容易出现漏电死灯等问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提高钝化效果以改善漏电死灯的问题。
[0006]为实现上述专利技术目的之一，本专利技术提供一种微LED。
[0007]上述的微LED包括：
[0008]衬底；
[0009]外延层，呈台阶状地设置于所述衬底上，从下而上依次为n
‑
GaN层、多量子阱层和p
‑
GaN层，所述多量子阱层未完全覆盖所述n
‑<br/>GaN层；
[0010]电流阻挡层，设置于所述p
‑
GaN层上，且其未完全覆盖所述p
‑
GaN层；
[0011]透明导电层，设置于所述电流阻挡层上，且完全包覆所述电流阻挡层；
[0012]第一金属pad、第二金属pad，分别设置于所述透明导电层及所述n
‑
GaN层上；
[0013]绝缘层，设置于所述透明导电层上，且包覆所述透明导电层除去所述第一金属pad的区域；
[0014]DBR反射层，包覆所述外延层、透明导电层、第一金属pad、第二金属pad及所述绝缘层；以及
[0015]第一金属电极、第二金属电极，通过DBR反射层上开设的对应通孔分别连接至第一金属pad、第二金属pad。
[0016]作为可选的技术方案，所述绝缘层通过PVD技术镀膜而成。
[0017]作为可选的技术方案，所述绝缘层为AlN层。
[0018]作为可选的技术方案，所述AlN层的膜厚范围为10
‑
100nm。
[0019]作为可选的技术方案，所述微LED还包括SiO2层，所述SiO2层设置于所述绝缘层上。
[0020]作为可选的技术方案，所述SiO2层的膜厚范围为200～500nm。
[0021]作为可选的技术方案，所述电流阻挡层为SiO2薄膜，膜厚范围为。
[0022]作为可选的技术方案，所述DBR反射层为多对交替的TixOy/SiO2堆叠而成。
[0023]本专利技术还提供一种微LED的制备方法，包括
[0024]步骤S1：在衬底上生长外延层，所述外延层从下往上依次为n
‑
GaN层、多量子阱层和p
‑
GaN层；
[0025]步骤S2：通过PECVD技术在所述p
‑
GaN层上沉积电流阻挡层，并通过涂布光刻胶通过曝光显影和湿法腐蚀定义出所需要的电流阻挡层；
[0026]步骤S3：在所述电流阻挡层上蒸镀透明导电层，退火后进行涂布光刻胶通过曝光显影和湿法腐蚀定义出所需要的透明导电层；
[0027]步骤S4：分别在所述透明导电层及所述n
‑
GaN层上沉积金属层，形成第一金属pad及第二金属pad；
[0028]步骤S5：在所述透明导电层除去所述第一金属电极的区域通过PVD技术镀膜沉积绝缘层；
[0029]步骤S6：在所述绝缘层上沉积DBR反射层。
[0030]作为可选的技术方案，于步骤S5中，所述绝缘层为AlN层，所述AlN层的膜厚范围为10
‑
100nm，沉积温度范围为150
‑
300℃。
[0031]作为可选的技术方案，于步骤S5与步骤S6之间还包括步骤S7：于所述绝缘层上通过PECVD技术沉积SiO2层，沉积温度范围为200～300℃，膜厚范围为200～500nm。
[0032]作为可选的技术方案，于步骤S2中，所述电流阻挡层为SiO2薄膜，膜厚范围为。
[0033]作为可选的技术方案，于步骤S6中，所述DBR反射层为多对交替的TixOy/SiO2堆叠而成。
[0034]作为可选的技术方案，于步骤S6中，于所述DBR反射层对应于所述第一金属pad及第二金属pad的区域开孔，并通过所述开孔沉积第一金属电极、第二金属电极。
[0035]与现有技术相比，本专利技术的微LED在透明导电层与DBR反射层之间增加了一层绝缘层，绝缘性更佳，能够改善第一金属pad与第二金属pad之间的漏电，并且，进一步的，绝缘层为通过PVD技术镀膜而成的AlN层，如此条件制备而得的AlN层拥有较好的膜质密度，能起到更好的绝缘性，杜绝第一金属pad和第二金属pad之间的漏电，同时增强DBR反射层和透明导电层之间的粘附效果，从而提升微LED的可靠性。
附图说明
[0036]图1是现有技术微LED的示意图；
[0037]图2是本专利技术微LED的一实施例的示意图；
[0038]图3是本专利技术微LED的另一实施例的示意图；
[0039]图4是图2中微LED的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0040]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式
及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0041]下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0042]为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微LED，其特征在于，包括衬底；外延层，呈台阶状地设置于所述衬底上，从下而上依次为n
‑
GaN层、多量子阱层和p
‑
GaN层，所述多量子阱层未完全覆盖所述n
‑
GaN层；电流阻挡层，设置于所述p
‑
GaN层上，且其未完全覆盖所述p
‑
GaN层；透明导电层，设置于所述电流阻挡层上，且完全包覆所述电流阻挡层；第一金属pad、第二金属pad，分别设置于所述透明导电层及所述n
‑
GaN层上；绝缘层，设置于所述透明导电层上，且包覆所述透明导电层除去所述第一金属pad的区域；DBR反射层，包覆所述外延层、透明导电层、第一金属pad、第二金属pad及所述绝缘层；以及第一金属电极、第二金属电极，通过DBR反射层上开设的对应通孔分别连接至第一金属pad、第二金属pad。2.如权利要求1所述的微LED，其特征在于，所述绝缘层通过PVD技术镀膜而成。3.如权利要求1所述的微LED，其特征在于，所述绝缘层为AlN层。4.如权利要求3所述的微LED，其特征在于，所述AlN层的膜厚范围为10
‑
100nm。5.如权利要求1所述的微LED，其特征在于，所述微LED还包括SiO2层，所述SiO2层设置于所述绝缘层上。6.如权利要求5所述的微LED，其特征在于，所述SiO2层的膜厚范围为200～500nm。7.如权利要求1所述的微LED，其特征在于，所述电流阻挡层为SiO2薄膜，膜厚范围为8.如权利要求1所述的微LED，其特征在于，所述DBR反射层为多对交替的TixOy/SiO2堆叠而成。9.一种微LED的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玉飞，江汉，张弛，陈传国，林潇雄，褚志强，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：