一种LED芯片及其制作方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明专利技术通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法与应用


[0001]本专利技术涉及光电子
，具体涉及一种LED芯片及其制作方法与应用。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。随着第三代半导体技术的蓬勃发展，半导体照明以节能、环保、亮度高、寿命长等优点，成为社会发展的焦点，也带动了整个行业上中下游产业的快速发展。
[0003]Ⅲ‑
V族化合物半导体材料是当前主流的用于制作LED芯片的半导体材料，其中以氮化镓基材料和铝镓铟磷基材料最为普遍。传统的P型
Ⅲ‑
V族化合物半导体材料的电流扩展性能较差，为了使电流能够均匀的注入发光层，通常的做法是在P型
Ⅲ‑
V族化合物半导体材料层上添加一层透明导电层。
[0004]ITO(Indium Tin Oxides)薄膜具有高的穿透率和低的电阻率，广泛应用于LED领域，作为LED芯片工艺中的透明导电层。ITO是一种N型氧化物半导体，如图1所示，自由载流子主要来源于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于：包括底层，所述底层，表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域，表面设有中间层；所述中间层，表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和所述第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料中的至少一种；所述SnO2复合材料中包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料中包括Cu2O与NiO。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于：所述SnO2复合材料中SnO2与In2O3的质量比为1～19:1；优选地，所述SnO2复合材料中SnO2与In2O3的质量比为1.5～4:1。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于：所述Cu2O复合材料中Cu2O与NiO的质量比为1～5:1；优选地，所述Cu2O复合材料中Cu2O与NiO的质量比为1～3:1。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于：所述P型透明导电层的厚度为50nm～350nm。5.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于：所述底层由下至上依次包括以下各层：衬底(1)和缓冲层(2)；优选地，所述中间层由下至上依次包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明飞，刘永成，王金科，江长久，陈明高，王志杰，徐胜利，郭梓旋，
申请(专利权)人：长沙壹纳光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：