本实用新型专利技术公开了一种发光器件，包括基板、发光芯片、第一透光层、第二透光层和纳米涂层，所述第二透光层的透光率大于第一透光层的透光率；在基板的上方设置有对应于所述发光芯片的参考面，所述参考面高于发光芯片的底面且不高于发光芯片的顶面；第一透光层覆盖所述参考面以下的发光芯片表面，第二透光层覆盖所述参考面以上的发光芯片表面；所述第一透光层和所述第二透光层在所述参考面的位置上紧贴设置；所述纳米涂层覆盖所述第一透光层及第二透光层的外表面和所述基板的侧面。该发光器件通过双层透光层加纳米涂层的设置，减小了发光器件的侧向串光,以提高发光器件的分辨率，并保证了发光器件的发光强度和防杂质性能，具有良好的综合性能。好的综合性能。好的综合性能。
【技术实现步骤摘要】
一种发光器件及显示器
[0001]本技术涉及到发光器件领域，具体涉及到一种发光器件及显示器。
技术介绍
[0002]基于成本考虑，现有的发光器件通常只会选用一种封装胶体将发光芯片封装在基板上，以满足发光芯片的保护需求；封装胶体的透光率差异会影响发光器件的整体性能，若封装胶体的透光率较高，则在发光器件使用时容易发生串光的问题，造成发光器件的分辨率和对比度下降；若封装胶体的透光率较低，虽然可以提高发光器件的分辨率和对比度，但是由于发光器件的总体亮度会相应的降低，很难满足使用需求。
技术实现思路
[0003]为了平衡发光器件的出光强度和分辨率，本技术提供了一种发光器件，该发光器件通过双层透光层的设置，减小了发光器件的侧向串光，以提高发光器件的分辨率，并保证了发光器件的发光强度，具有良好的综合性能。
[0004]相应的，本技术提供了一种发光器件，包括基板和发光芯片，所述发光芯片键合设置在所述基板上，所述发光器件还包括第一透光层、第二透光层和纳米涂层，所述第二透光层的透光率大于所述第一透光层的透光率；
[0005]在所述基板的上方设置有对应于所述发光芯片的参考面，所述参考面高于所述发光芯片的底面且所述参考面不高于所述发光芯片的顶面；
[0006]所述发光芯片的外露表面基于所述参考面划分为上部表面和下部表面；
[0007]所述下部表面基于所述第一透光层覆盖，所述上部表面基于所述第二透光层覆盖；
[0008]所述第一透光层和所述第二透光层在所述参考面的位置上紧贴设置；
[0009]所述纳米涂层覆盖所述第一透光层的外表面、所述第二透光层的外表面和所述基板的侧面。
[0010]可选的实施方式，所述纳米涂层的厚度范围为[150nm，30000nm]。
[0011]可选的实施方式，所述纳米涂层的粗糙度取值范围为[2.7，3.2]。
[0012]可选的实施方式，所述发光芯片为倒装芯片，所述发光芯片具有位于所述发光芯片底部的电极，所述发光芯片基于对应的电极键合在所述基板上，所述下部表面包括所述发光芯片的底面和所述发光芯片位于所述参考面下方的侧面；
[0013]或所述发光芯片为正装芯片，所述发光芯片的底面贴合设置在所述基板上，所述下部表面包括所述发光芯片位于所述参考面下方的侧面。
[0014]可选的实施方式，在所述发光芯片为倒装芯片时，所述基板在对应于所述电极的位置凸起形成凸台，所述电极键合在对应的凸台上。
[0015]可选的实施方式，在所述发光芯片为正装芯片时，所述基板在对应于所述发光芯片的位置凸起形成凸台，所述发光芯片的底面贴合设置在所述凸台上。
[0016]可选的实施方式，所述发光芯片的数量为两个以上；
[0017]所有所述发光芯片共用一层所述第一透光层，和/或所有所述发光芯片共用一层所述第二透光层。
[0018]可选的实施方式，一个所述发光器件中的发光芯片的高度不完全相同；
[0019]所述第一透光层的高度不高于所述发光器件中高度最低的发光芯片的顶面。
[0020]可选的实施方式，所述发光芯片的高度为H，所述发光芯片对应的参考面的高度为h，其中，H≥h≥3H/4。
[0021]相应的，本技术还提供了一种显示器，包括以上任一项所述的发光器件。
[0022]综上，本技术提供了一种发光器件及显示器，发光器件通过两层透光层的设置，且通过对两个透光层的透光率的差异设置，在减少发光器件串光、提高发光器件分辨率和对比度的同时，尽可能的保证了发光芯片的发光强度，具有良好的综合性能；纳米涂层和凸台结构的设置，可保证发光器件的抗杂质侵入性能，提高发光器件的使用寿命；采用该发光器件的显示器具有对比度高、分辨率高、亮度高等优点。
附图说明
[0023]图1为本技术实施例的采用倒装芯片的发光器件的剖面结构示意图；
[0024]图2为本技术实施例的采用正装芯片的发光器件的剖面结构示意图；
[0025]图3为本技术实施例的采用多个正装芯片的发光器件的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]实施例一：
[0028]图1为本技术实施例的采用倒装芯片的发光器件的剖面结构示意图。
[0029]本技术实施例提供了一种发光器件，包括基板108和发光芯片103，所述发光芯片103键合设置在所述基板108上；具体的，针对发光芯片103的类型的不同，发光芯片103的键合形式具有差异性。
[0030]进一步的，所述发光器件还包括第一透光层104和第二透光层102，所述第二透光层102的透光率大于所述第一透光层104的透光率；在所述基板108的上方设置有对应于所述发光芯片103的参考面(参考面为第一透光层104和第二透光层102的交界面)，所述参考面高于所述发光芯片103的底面且所述参考面不高于所述发光芯片103的顶面；所述发光芯片103的外露表面基于所述参考面划分为上部表面和下部表面；所述下部表面基于所述第一透光层104覆盖，所述上部表面基于所述第二透光层102覆盖；所述第一透光层104和所述第二透光层102在所述参考面的位置上紧贴设置。具体的，该实施方式的有益效果在于，针对于一般结构的发光芯片103，发光芯片103的发光强度随着角度的增加而降低，发光器件发生串光和发光器件分辨率降低主要是由发光芯片103的大角度出射的光线引起的，因此，本技术实施例将发光芯片103位于参考面下方的表面通过所述第一透光层104进行覆
盖，可降低发光芯片103在大角度的出射光线量，减少串光并增加发光器件分辨率，同时，在所述发光芯片103位于所述参考面上方的表面通过所述第二透光层102进行覆盖，能够保证发光芯片103的发光强度较大的区域的出射光线尽可能的进行出射，减少透光层对光线的吸收。
[0031]优选的，假设发光芯片103的高度为H，所述参考面的高度h优选为H≥h≥3H/4。
[0032]具体实施中，第一透光层104和第二透光层102可采用同样的基质胶体材料制成，如环氧树脂等材料，以保证第一透光层104和第二透光层102之间的结合紧密型；为了形成第一透光层104和第二透光层102之间的透光率差异，可在第一透光层104的材料中渗入一定的碳黑，以满足透光率需求。
[0033]具体的，为了满足发光器件的防杂质要求，提高发光器件的使用寿命，可选的，所述发光器件除所述发光器件的底面外的其余表面基于所述纳米涂层101覆盖。
[0034]纳米涂层101通过纳米涂料喷涂形成，成型后为整体结构，一方面，由于纳米材料的材料颗粒的大小较小本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括基板和发光芯片，所述发光芯片键合设置在所述基板上，其特征在于，所述发光器件还包括第一透光层、第二透光层和纳米涂层，所述第二透光层的透光率大于所述第一透光层的透光率；在所述基板的上方设置有对应于所述发光芯片的参考面，所述参考面高于所述发光芯片的底面且所述参考面不高于所述发光芯片的顶面；所述发光芯片的外露表面基于所述参考面划分为上部表面和下部表面；所述下部表面基于所述第一透光层覆盖，所述上部表面基于所述第二透光层覆盖；所述第一透光层和所述第二透光层在所述参考面的位置上紧贴设置；所述纳米涂层覆盖所述第一透光层的外表面、所述第二透光层的外表面和所述基板的侧面。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述纳米涂层的厚度范围为[150nm，30000nm]。3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述纳米涂层的粗糙度取值范围为[2.7，3.2]。4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光芯片为倒装芯片，所述发光芯片具有位于所述发光芯片底部的电极，所述发光芯片基于对应的电极键合在所述基板上，所述下部表面包括所述发光芯片的底面和所述发光芯片位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李碧波，陈红文，秦快，郭恒，赵强，蔡彬，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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