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本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域...
该专利属于长沙壹纳光电材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙壹纳光电材料有限公司授权不得商用。

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