【技术实现步骤摘要】
一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器
[0001]本专利技术涉及磁流变阻尼器结构设计领域,尤其是涉及一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器。
技术介绍
[0002]阻尼器是目前广泛应用于建筑、机械、汽车、航空、军工等领域的常规构件,其中磁流变阻尼器具有体积小、能耗低、阻尼力大、动态范围广、频响高、适应面大等优点,在智能结构领域具有广阔的应用前景。
[0003]目前广泛使用的磁流变阻尼器设计基于磁流变液在外磁场作用下的流变特性的改变,由于改变励磁线圈中的电流涉及反馈控制系统,实时调控方式繁琐,磁流变阻尼器的应用与发展受到制约,无法实现在常电流情况下的磁流变阻尼参数的自适应调节。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:
[0006]一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器,用以实现在常电流情况下的磁流变阻尼参数自适应调节,该阻尼器包括内部填充磁流变液的缸筒、设置在缸筒内的活塞阀以及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器,用以实现在常电流情况下的磁流变阻尼参数自适应调节,该阻尼器包括内部填充磁流变液的缸筒、设置在缸筒内的活塞阀(1)以及与连接在活塞阀(1)左右两侧且伸出缸筒的活塞杆,所述的活塞阀(1)上绕设励磁线圈(2),其特征在于,所述的活塞阀(1)外表面与缸筒内壁之间设有环形间隙作为液流通道,所述的缸筒的筒壁内径从中央向左右两侧各呈多级减小变化,使得液流通道的面积逐渐减小,使得在励磁线圈磁场作用下,磁流变阻尼器恢复力模型参数逐级增大。2.根据权利要求1所述的一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器,其特征在于,所述的缸筒从中央向左右两侧依次由一个第一级筒壁(6)、两个第二级筒壁(7)和两个第三级筒壁(8)构成。3.根据权利要求2所述的一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器,其特征在于,所述的第一级筒壁(6)内壁与第二级筒壁(7)内壁连接处采用突变的方式连接。4.根据权利要求2所述的一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器,其特征在于,所述的第一级筒壁(6)内壁与第二级筒壁(7)内壁连接处采用渐变的方式连接,用以避免阻尼力增大的瞬间产生的突加荷载导致结构破坏。5.根据权利要求1所述的一种阻尼自适应调谐磁流变阻尼器,其特征在于,所述的第一...
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