一种用于真空镀膜的平面靶制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于真空镀膜的平面靶，涉及真空镀膜技术领域，为解决现有的平面靶结构和功能单一，使用灵活性较低的问题。所述真空镀膜箱的内部设置有平面靶，所述平面靶的上端设置有跑道刻蚀区，所述跑道刻蚀区包括A区段和B区段，所述A区段和B区段的上端均设置有磁力线，所述A区段包括A金属靶块，所述B区段包括B金属靶块，所述平面靶的外侧设置有挡板，所述挡板上端的一侧设置有第一竖板，所述挡板上端的另一侧设置有第二竖板，所述真空镀膜箱的内侧安装有驱动箱，所述驱动箱内部的一侧设置有凹槽，所述凹槽的内部安装有电机，且凹槽与电机通过螺钉连接，所述电机的一端安装有丝杆，且丝杆与驱动箱通过轴承连接。且丝杆与驱动箱通过轴承连接。且丝杆与驱动箱通过轴承连接。

【技术实现步骤摘要】
一种用于真空镀膜的平面靶


[0001]本技术涉及真空镀膜
，具体为一种用于真空镀膜的平面靶。

技术介绍

[0002]真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术最先用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等；后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等，如手表外壳镀仿金色，机械刀具镀膜，改变加工红硬性。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜。
[0003]但是，现有的平面靶结构和功能单一，使用灵活性较低，因此不满足现有的需求，对此我们提出了一种用于真空镀膜的平面靶。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于真空镀膜的平面靶，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的平面靶结构和功能单一，使用灵活性较低的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于真空镀膜的平面靶，包括真空镀膜箱，所述真空镀膜箱的内部设置有平面靶，所述平面靶的上端设置有跑道刻蚀区，所述跑道刻蚀区包括A区段和B区段，所述A区段和B区段的上端均设置有磁力线，所述A区段包括A金属靶块，所述B区段包括B金属靶块，所述平面靶的外侧设置有挡板，所述挡板上端的一侧设置有第一竖板，所述挡板上端的另一侧设置有第二竖板。
[0006]优选的，所述真空镀膜箱的内侧安装有驱动箱，所述驱动箱内部的一侧设置有凹槽，所述凹槽的内部安装有电机，且凹槽与电机通过螺钉连接，所述电机的一端安装有丝杆，且丝杆与驱动箱通过轴承连接，且丝杆与电机通过联轴器连接，所述丝杆贯穿第一竖板，且第一竖板贯穿驱动箱，且第一竖板与驱动箱滑动连接。
[0007]优选的，所述真空镀膜箱的内侧安装有立板，且立板设置有两个，两个所述立板之间安装有导向杆，且导向杆贯穿第二竖板，且第二竖板与导向杆滑动连接。
[0008]优选的，所述挡板的上端设置有开槽。
[0009]优选的，所述平面靶的上端设置有铜背板，所述铜背板上端的一侧设置有第一N磁体，所述铜背板上端的另一侧设置有第二N磁体，所述铜背板上端的中间设置有S磁体。
[0010]优选的，所述第一N磁体、S磁体和第二N磁体的上端设置有极板。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1、本技术通过将平面靶的跑道磁场分为A区段和B区段，并采用磁铁调节A区段和B区段的靶面磁场，由于A区段和B区段分别安装有A金属靶块和B金属靶块，通过调节磁铁的励磁电流，即可获得不同成分的A合金膜和B合金膜，在不更换平面靶的同时可进行两种不同合金膜的加工，提高了平面靶的功能性和使用时的灵活性。
[0013]2、本技术通过电机工作驱动丝杆转动，可使第一竖板沿着驱动箱水平滑动，同时第二竖板沿着导向杆水平滑动，即实现挡板相对于平面靶的水平滑动，由于挡板的上
端设置有开槽，通过调节挡板的位置，可实现对A金属靶块的遮蔽或者B金属靶块的遮蔽，可根据工作需求相应的遮蔽金属靶块，能够加工出单一的A合金膜或者单一的B合金膜，通过轮流选择遮蔽对象，也能够加工出AB合金多层复合膜，进一步提高了平面靶的功能性和使用时的灵活性。
附图说明
[0014]图1为本技术的一种用于真空镀膜的平面靶的结构示意图；
[0015]图2为本技术的平面靶的结构示意图；
[0016]图3为本技术的驱动箱的结构示意图；
[0017]图4为本技术的挡板的结构示意图。
[0018]图中：1、真空镀膜箱；2、平面靶；3、第一N磁体；4、S磁体；5、第二N磁体；6、极板；7、A金属靶块；8、B金属靶块；9、跑道刻蚀区；10、A区段；11、B区段；12、磁力线；13、挡板；14、驱动箱；15、第一竖板；16、第二竖板；17、凹槽；18、电机；19、丝杆；20、立板；21、导向杆；22、铜背板；23、开槽。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0020]请参阅图1
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4，本技术提供的一种实施例：一种用于真空镀膜的平面靶，包括真空镀膜箱1，真空镀膜箱1的内部设置有平面靶2，平面靶2的上端设置有跑道刻蚀区9，跑道刻蚀区9包括A区段10和B区段11，A区段10和B区段11的上端均设置有磁力线12，A区段10包括A金属靶块7，B区段11包括B金属靶块8，平面靶2的外侧设置有挡板13，挡板13上端的一侧设置有第一竖板15，挡板13上端的另一侧设置有第二竖板16，通过调节磁铁的励磁电流，即可获得不同成分的A合金膜和B合金膜，在不更换平面靶2的同时可进行两种不同合金膜的加工，提高了平面靶2的功能性和使用时的灵活性。
[0021]进一步，真空镀膜箱1的内侧安装有驱动箱14，驱动箱14内部的一侧设置有凹槽17，凹槽17的内部安装有电机18，且凹槽17与电机18通过螺钉连接，电机18的一端安装有丝杆19，且丝杆19与驱动箱14通过轴承连接，且丝杆19与电机18通过联轴器连接，丝杆19贯穿第一竖板15，且第一竖板15贯穿驱动箱14，且第一竖板15与驱动箱14滑动连接，电机18工作驱动丝杆19转动，可使第一竖板15沿着驱动箱14水平滑动，同时第二竖板16沿着导向杆21水平滑动，即实现挡板13相对于平面靶2的水平滑动，由于挡板13的上端设置有开槽23，通过调节挡板13的位置，可实现对A金属靶块7的遮蔽或者B金属靶块8的遮蔽，可根据工作需求相应的遮蔽金属靶块，能够加工出单一的A合金膜或者单一的B合金膜，通过轮流选择遮蔽对象，也能够加工出AB合金多层复合膜。
[0022]进一步，真空镀膜箱1的内侧安装有立板20，且立板20设置有两个，两个立板20之间安装有导向杆21，且导向杆21贯穿第二竖板16，且第二竖板16与导向杆21滑动连接，达到导向的目的。
[0023]进一步，挡板13的上端设置有开槽23，实现对平面靶2的选择性遮蔽。
[0024]进一步，平面靶2的上端设置有铜背板22，铜背板22上端的一侧设置有第一N磁体3，铜背板22上端的另一侧设置有第二N磁体5，铜背板22上端的中间设置有S磁体4，通过调节磁铁的励磁电流，即可获得不同成分的A合金膜和B合金膜。
[0025]进一步，第一N磁体3、S磁体4和第二N磁体5的上端设置有极板6，作为发射电极。
[0026]工作原理：使用时，电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子，新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向平面靶2，并以高能量轰击平面靶2表面，使平面靶2发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，由于平面靶2的跑道磁场分为A区段10和B区段11，并采用磁铁调节A区段10和B区段11的靶面磁场，由于A区段10和B区段11分别安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于真空镀膜的平面靶，包括真空镀膜箱(1)，其特征在于：所述真空镀膜箱(1)的内部设置有平面靶(2)，所述平面靶(2)的上端设置有跑道刻蚀区(9)，所述跑道刻蚀区(9)包括A区段(10)和B区段(11)，所述A区段(10)和B区段(11)的上端均设置有磁力线(12)，所述A区段(10)包括A金属靶块(7)，所述B区段(11)包括B金属靶块(8)，所述平面靶(2)的外侧设置有挡板(13)，所述挡板(13)上端的一侧设置有第一竖板(15)，所述挡板(13)上端的另一侧设置有第二竖板(16)。2.根据权利要求1所述的一种用于真空镀膜的平面靶，其特征在于：所述真空镀膜箱(1)的内侧安装有驱动箱(14)，所述驱动箱(14)内部的一侧设置有凹槽(17)，所述凹槽(17)的内部安装有电机(18)，且凹槽(17)与电机(18)通过螺钉连接，所述电机(18)的一端安装有丝杆(19)，且丝杆(19)与驱动箱(14)通过轴承连接，且丝杆(19)与电机(18)通过联轴器连接，所述丝杆(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟平，王金泉，王菊姿，
申请(专利权)人：莱糸真空科技常州有限公司，
类型：新型
国别省市：